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成本下降給力 LED燈泡廉價時代即將到來
成本一直是一個主要障礙，妨礙著人們購買高能效LED燈泡?，F(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導體公司（Osram Opto Semiconductors）表示，它已經(jīng)完善技術，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。 白色LED的制備，通常
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成本下降給力 LED燈泡廉價時代即將到來
成本一直是一個主要障礙，妨礙著人們購買高能效LED燈泡?，F(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導體公司（Osram Opto Semiconductors）表示，它已經(jīng)完善技術，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本?！ “咨獿ED的制備
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LED球泡燈成本將顯著降低
成本一直是LED照明一個主要障礙，妨礙著人們購買高能效LED球泡燈。現(xiàn)在，世界上最大的一家LED制造商歐司朗光電半導體公司(Osram Opto Semiconductors)表示，它已經(jīng)完善技術，能顯著降低LED的生產(chǎn)成本。白光LED的制備
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歐司朗新技術可取代藍寶石襯底 大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報導，一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進一步推動其普及進程。這項由西門子旗下子公司歐司朗光電半導體公司的研究人員所進行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵L
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歐司朗在矽襯底上成功生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片
據(jù)悉，一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進一步推動其普及進程。這項由西門子旗下子公司歐司朗光電半導體公司的研究人員所進行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片，取代了目前普
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氮化鎵在射頻通信中應用
氮化鎵并非革命性的晶體管技術，這種新興技術逐漸用于替代橫向擴散金屬氧化物硅半導體（Si LDMOS）和砷化鎵（GaAs）晶體管技術以及某些特定應用中的真空管。與現(xiàn)有技術相比，氮化鎵（GaN）的優(yōu)勢在于更高的漏極效率、
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歐司朗在矽襯底上成功生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片
據(jù)悉，一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進一步推動其普及進程。這項由西門子旗下子公司歐司朗光電半導體公司的研究人員所進行的研究，成功在矽襯底上生產(chǎn)出了氮化鎵LED芯片，取代了目前普
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東芝普瑞攜手：8英寸LED芯片實現(xiàn)突破
據(jù)悉，領先的LED照明技術及解決方案開發(fā)商和制造商普瑞光電公司與世界領先的半導體制造商東芝公司今日宣布，在年初兩家公司達成合作協(xié)定短短幾個月后，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級8英寸矽基氮化鎵LED芯片。該芯片僅
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東芝普瑞攜手：8英寸LED芯片實現(xiàn)突破
據(jù)悉，領先的LED照明技術及解決方案開發(fā)商和制造商普瑞光電公司與世界領先的半導體制造商東芝公司今日宣布，在年初兩家公司達成合作協(xié)定短短幾個月后，兩家公司共同研發(fā)出了行業(yè)頂級8英寸矽基氮化鎵LED芯片。該芯片僅
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未來5年 氮化鎵襯底引領LED襯底發(fā)展潮流
在當今日美壟斷LED芯片核心技術的格局下，中國LED企業(yè)如何打破格局，完成技術攻堅，促進LED發(fā)展顯得尤為重要。目前，LED襯底類別包括藍寶石、碳化硅、硅以及被稱為第三代半導體材料的氮化鎵。與傳統(tǒng)襯底材料相比，氮
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RFMD為功率器件產(chǎn)品和代工客戶推出rGaN-HV工藝技術
高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices， Inc.（Nasdaq 股市代號：RFMD）日前宣布，擴展其RFMD 業(yè)界領先的氮化鎵工藝技術，以包括功率轉(zhuǎn)換應用中專為高電壓功率器件而優(yōu)化的新
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積極物色代工廠普瑞明年量產(chǎn)矽基氮化鎵LED
普瑞光電(Bridgelux)正與全球半導體大廠洽談代工生產(chǎn)矽基氮化鎵(GaN-on-Silicon,簡稱GaN-on-Si)發(fā)光二極體(LED)細節(jié)，預定2013年初導入量產(chǎn)。普瑞光電行銷副總裁JasonPosselt表示，繼八吋晶圓廠后，普瑞光電下一步尋
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王占國院士：半導體材料將走向“納米化”
半導體是介于導體和絕緣體之間的材料。自1947年12月23日正式發(fā)明后，在家電、通信、網(wǎng)絡、航空、航天、國防等領域得到廣泛應用，給電子工業(yè)帶來革命性的影響。2010年，全球半導體市場達到2983億美元，拉動上萬億美元
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LED2.0比普通LED明亮10倍
2月9日，美國加州的創(chuàng)新公司Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品――被稱為LED2.0技術的發(fā)光二極管(LED)照明產(chǎn)品。 據(jù)悉，Soraa公司發(fā)明的這種新型LED燈泡，比普通LED明亮10倍。一個12瓦的燈泡，其明亮程度同50瓦的鹵素燈泡
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Soraa推出GaN-on-GaN LEDs和MR16燈
Soraa是世界領先的氮化鎵開發(fā)商，開發(fā)了世界上第一個商業(yè)氮化鎵LED產(chǎn)品。Soraa成立于2008年，創(chuàng)辦人之一的中村修二擁有“藍光LED之父”的美名。近日，Soraa宣布推出自己的旗艦產(chǎn)品——被稱為LED2.0技術的LED照明產(chǎn)品
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產(chǎn)業(yè)冷清晶能光電成燙手山芋 金沙江累計投資超1億美元
2011年9月，美國LED芯片制造商BridgELux(以下簡稱“普瑞光電”)公司首席執(zhí)行官Bill Watkins透露，公司計劃裁掉利弗莫爾總部共250名員工中的53名，約五分之一。同時，公司決定將重心從藍寶石襯底LED制造轉(zhuǎn)移至成本更低
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RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊
21ic訊 RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊 RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵 HEMT 和砷化鎵 pHEMT 技術，可在頻率 45 至 1003MHz 范圍
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蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列成果
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應用于光電器件領域，如激光器（LD）、發(fā)光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材
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蘇州納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究
氮化鎵（GaN）是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應用于光電器件領域，如激光器（LD）、發(fā)光二極管（LED）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等。GaN基材
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納米所利用氮化鎵器件從事核應用研究取得系列成果
氮化鎵(GaN)是一種III / V直接帶隙半導體，作為第三代半導體材料的代表，隨著其生長工藝的不斷發(fā)展完善，現(xiàn)已廣泛應用于光電器件領域，如激光器(LD)、發(fā)光二極管(LED)、高電子遷移率晶體管(HEMT)等。GaN基材料的良好
