電源
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電源浪涌與信號系統(tǒng)浪涌的特性解析
在電子信息系統(tǒng)日益復(fù)雜的當(dāng)下，浪涌作為一種突發(fā)性的過電壓、過電流干擾，已成為威脅設(shè)備安全運(yùn)行的重要隱患。浪涌按作用對象可分為電源浪涌和信號系統(tǒng)浪涌兩大類，二者因作用場景、傳輸介質(zhì)和干擾來源的差異，呈現(xiàn)出截然不同的特性。深入理解這兩種浪涌的特性，是構(gòu)建有效浪涌防護(hù)體系、保障電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的前提。本文將從來源、波形、幅值、持續(xù)時(shí)間等核心維度，系統(tǒng)剖析電源浪涌與信號系統(tǒng)浪涌的特性差異，并簡要闡述其防護(hù)要點(diǎn)。
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匯總平衡PCB層疊設(shè)計(jì)的方法
在電子設(shè)備日益微型化、高頻化的今天，PCB層疊設(shè)計(jì)已成為決定產(chǎn)品性能的關(guān)鍵因素。一塊6層板的制造成本可能是4層板的1.5倍，但能減少40%的電磁干擾;而盲埋孔技術(shù)的應(yīng)用，可使信號傳輸速率提升30%以上。
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電源管理芯片有哪些作用？如何檢測電源管理芯片
以下內(nèi)容中，小編將對電源管理芯片的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行著重介紹和闡述，希望本文能幫您增進(jìn)對電源管理芯片的了解，和小編一起來看看吧。
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氮化鎵技術(shù)在開關(guān)模式電源中的應(yīng)用之道
隨著5G通信、電動汽車快充、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)﹄娫葱⌒突?、高效率的需求日益迫切，傳統(tǒng)硅基器件已難以突破性能瓶頸。氮化鎵(GaN)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表，憑借其卓越的電學(xué)特性，正重塑開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)理念與性能邊界。將氮化鎵技術(shù)科學(xué)應(yīng)用于開關(guān)模式電源，需從器件特性認(rèn)知、電路設(shè)計(jì)優(yōu)化、挑戰(zhàn)應(yīng)對等多維度系統(tǒng)推進(jìn)，方能充分釋放其技術(shù)優(yōu)勢。
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導(dǎo)熱硅膠片在電源散熱中的應(yīng)用與解決方案
在電子設(shè)備向高功率、小型化發(fā)展的趨勢下，電源作為能量供給核心，其散熱性能直接決定設(shè)備的穩(wěn)定性、壽命與安全性。電源工作時(shí)，內(nèi)部功率器件會產(chǎn)生大量熱量，若熱量無法及時(shí)散出，會導(dǎo)致器件溫度升高，不僅會降低轉(zhuǎn)換效率，還可能引發(fā)熱失控、燒毀等故障。導(dǎo)熱硅膠片作為一種高效的熱界面材料，憑借優(yōu)異的導(dǎo)熱性能、適配性與安裝便利性，已成為電源散熱系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。本文將深入探討導(dǎo)熱硅膠片在電源散熱中的應(yīng)用價(jià)值、核心解決方案及實(shí)踐要點(diǎn)。
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隔離電源與非隔離電源的核心區(qū)別解析
在電力電子技術(shù)廣泛應(yīng)用的今天，電源作為各類電子設(shè)備的“心臟”，其性能直接決定了設(shè)備的穩(wěn)定性、安全性和可靠性。根據(jù)是否存在電氣隔離結(jié)構(gòu)，電源可分為隔離電源和非隔離電源兩大類。兩者在工作原理、安全性能、適用場景等方面存在顯著差異，了解這些差異對電子設(shè)備設(shè)計(jì)、選型及日常使用都具有重要意義。本文將從多個(gè)核心維度，系統(tǒng)解析隔離電源與非隔離電源的區(qū)別。
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射頻電源反射功率過大怎么辦？射頻電源發(fā)展趨勢如何
射頻電源將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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射頻電源測試原理是什么？射頻電源有多重要？
在這篇文章中，小編將為大家?guī)砩漕l電源的相關(guān)報(bào)道。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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射頻電源需要滿足哪些要求？射頻電源有哪些應(yīng)用領(lǐng)域
在這篇文章中，小編將對射頻電源的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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射頻電源工作原理是什么？射頻電源有哪些主要參數(shù)
射頻電源將是下述內(nèi)容的主要介紹對象，通過這篇文章，小編希望大家可以對它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識和了解，詳細(xì)內(nèi)容如下。
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電源設(shè)計(jì)中影響環(huán)路性能的關(guān)鍵因素解析
在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，環(huán)路性能直接決定了電源的穩(wěn)定性、動態(tài)響應(yīng)速度、輸出紋波抑制能力等核心指標(biāo)。環(huán)路作為電源系統(tǒng)中“檢測-比較-調(diào)節(jié)”的核心鏈路，其工作狀態(tài)受到多種設(shè)計(jì)因素的耦合影響。無論是線性電源還是開關(guān)電源，環(huán)路設(shè)計(jì)不當(dāng)都可能導(dǎo)致輸出電壓波動、負(fù)載突變時(shí)響應(yīng)滯后，甚至出現(xiàn)系統(tǒng)振蕩等嚴(yán)重問題。本文將系統(tǒng)梳理電源設(shè)計(jì)中影響環(huán)路性能的關(guān)鍵因素，深入分析各因素的作用機(jī)制及對環(huán)路的具體影響，為電源環(huán)路優(yōu)化設(shè)計(jì)提供參考。
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意法半導(dǎo)體股東大會特別會議通過兩項(xiàng)重要人事任命決議
2025年12月19日，中國——服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST，紐約證券交易所代碼:STM) 公布了于阿姆斯特丹召開的股東大會特別會議(EGM)對所有表決事項(xiàng)的投票結(jié)果。
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Flex Power Modules將產(chǎn)品制造擴(kuò)展至歐洲，以支持不斷增長的AI領(lǐng)域需求
Flex Power Modules已將其產(chǎn)品制造擴(kuò)展到歐洲，在奧地利阿爾特霍芬的Flex工廠設(shè)立新的生產(chǎn)基地。此舉將提高Flex Power Modules的電源模塊產(chǎn)能，助力其更快速、更高效地響應(yīng)AI數(shù)據(jù)中心客戶快速增長的需求。
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在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)的注意事項(xiàng)
本文詳細(xì)討論了GaN技術(shù)，解釋了如何在開關(guān)模式電源中使用此類寬禁帶開關(guān)，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅(qū)動器和控制器的優(yōu)勢。而且，文中展示了LTspice?工具，以幫助理解GaN開關(guān)在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術(shù)的未來。
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安森美與佛瑞亞海拉深化戰(zhàn)略合作，共同推進(jìn)新一代電源技術(shù)發(fā)展
此次合作將帶來更智能的汽車電源解決方案，兼具卓越能效與優(yōu)化性能
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現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)工具
本文介紹適用于開關(guān)電源開發(fā)的各種工具。這些工具協(xié)同工作，幫助設(shè)計(jì)人員完成從系統(tǒng)電源管理架構(gòu)的初始設(shè)計(jì)到硬件最終評估的全流程開發(fā)。每種工具都有特定的用途，并能提供有價(jià)值的洞察，使工程師能夠在更短的開發(fā)時(shí)間內(nèi)設(shè)計(jì)出更優(yōu)質(zhì)的電源。
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本地設(shè)計(jì)和制造的Molex莫仕MX-DaSH模塊化線對線連接器 率先集成在中國2026年車型，并且推動全球OEM廠商采用
伊利諾伊州萊爾市 – 2025年12月10 日 – 全球電子領(lǐng)導(dǎo)者和連接技術(shù)創(chuàng)新者 Molex莫仕在全球推出 MX-DaSH 模塊化線對線連接器，這是其屢獲殊榮的 MX-DaSH 數(shù)據(jù)信號混合連接器系列的最新成員。該系列連接器將電源、信號和高速數(shù)據(jù)連接集成于單一連接器系統(tǒng)中。MX-DaSH 模塊化連接器把四個(gè)多功能模塊集成于單個(gè)外殼系統(tǒng)中，從而簡化了布線和線束架構(gòu)，同時(shí)提高了汽車設(shè)計(jì)的靈活性、適應(yīng)性和可擴(kuò)展性，可應(yīng)用于多種車型和應(yīng)用場景。
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意法半導(dǎo)體總裁兼首席財(cái)務(wù)官Lorenzo Grandi將在巴克萊投資者會議上發(fā)表講話
2025年12月5日 – 中國，意法半導(dǎo)體總裁兼首席財(cái)務(wù)官Lorenzo Grandi將于2025年12月11日星期四中歐時(shí)間晚上7點(diǎn)25分(即北京時(shí)間12月12日 凌晨2點(diǎn)25分)，在舊金山舉行的巴克萊第23屆全球技術(shù)年會上發(fā)表演講。
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Allegro與英諾賽科聯(lián)合推出全GaN參考設(shè)計(jì)，賦能AI數(shù)據(jù)中心電源
Allegro 創(chuàng)新柵極驅(qū)動器助力工程師實(shí)現(xiàn)鈦金級效率和極佳功率密度，滿足嚴(yán)苛的 AI 和邊緣計(jì)算應(yīng)用需求
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電源上電緩慢對 MCU 的挑戰(zhàn)與核心需求
電源上電緩慢是嵌入式系統(tǒng)中常見的供電異常場景，通常指電源電壓從 0V 上升到 MCU 額定工作電壓(如 3.3V、5V)的過程超過規(guī)范閾值(一般要求≤10ms)，可能長達(dá)數(shù)百毫秒甚至數(shù)秒。這種情況多由線性穩(wěn)壓器響應(yīng)遲緩、電源濾波電容過大、電池供電壓降等因素導(dǎo)致，會直接威脅 MCU 的正常啟動：一方面，電壓未穩(wěn)定時(shí) MCU 可能反復(fù)復(fù)位或進(jìn)入不確定工作狀態(tài);另一方面，上電階段的關(guān)鍵初始化操作(如 GPIO 配置、外設(shè)掛載、數(shù)據(jù)加載)若中斷，會引發(fā)系統(tǒng)功能失效、數(shù)據(jù)丟失等問題。因此，MCU 需通過硬件適配與軟件優(yōu)化的協(xié)同設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn) “電壓爬升中不宕機(jī)、穩(wěn)定后快速恢復(fù)” 的核心目標(biāo)。
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