
近日,協(xié)鑫集團旗下的蘇州協(xié)鑫納米科技有限公司(簡稱協(xié)鑫納米)發(fā)布了其在鈣鈦礦光伏組件技術方面的突破性進展。協(xié)鑫納米已經率先建成10MW級別大面積鈣鈦礦組件中試生產線,完成了相關材料合成及制造工藝的開發(fā),并已開始100MW量產生產線的建設工作,計劃于2020年實現(xiàn)鈣鈦礦光伏組件的商業(yè)化生產。
近來有網絡媒體稱,“中微半導體自主研制的5納米等離子體刻蝕機,性能優(yōu)良,將用于全球首條5納米芯片制程生產線”,并評論說“中國芯片生產技術終于突破歐美封鎖,第一次占領世界制高點”“中國彎道超車”等等。
1月27日,上海市第十五屆人民代表大會第二次會議正式開幕,上海市市長應勇作政府工作報告,報告中回顧了2018年上海市的發(fā)展狀況,并對2019年的重點工作及任務作出規(guī)劃。上海市作為全國集成電路產業(yè)重要集聚區(qū),其2019年政府工作報告中多處提及集成電路。
3D打印作為具有代表性的前沿技術之一,其在多個領域的應用狀況一直受到世界各國的高度關注。近幾年,在世界各國的共同推動下,3D打印前沿技術研發(fā)速度不斷加快,這些技術在各行業(yè)的應用程度也日益深入。目前,3D打印的應用場景已經從工藝品設計、文物修復拓展至工業(yè)制造、生物醫(yī)療等領域,并為相關領域的發(fā)展提供了有力的技術支撐。
雖然還不能讓人類像“蟻人”或“黃蜂女”那樣縮小,但麻省理工的研究人員們,已經掌握了納米級的“內爆制造”(Implosion Fabrication)工藝,可以“打印”出各種常見形狀的微型版本。據(jù)悉,負責該項目的 MIT 團隊,發(fā)明了一種捕捉物體形狀并進行復制的方法,可在將它干燥后進一步縮小至納米級。
近日,中國科學院深圳先進技術研究院研究員喻學鋒課題組在黑磷電化學制備及其儲能應用領域取得新突破。相關工作\"Synthesis of High-Quality Black Phosphorus Sponges for All-Solid-State Supercapacitor\"(《高質量黑磷海綿的制備及其在全固態(tài)超級電容器中的應用》)發(fā)表于化學材料領域刊物Materials Horizons(DOI: 10.1039/c8mh00708j)。論文共同第一作者是課題組博士后溫敏和研究助理劉丹妮,通訊作者
日前才正式發(fā)表新一代顯示卡的繪圖芯片大廠輝達 (NVIDIA),日前又公告未來繪圖芯片的發(fā)展路線圖。其中,針對再下一代的代號 Ampere 的顯示卡,除了制程將升級到 7 納米節(jié)點之外,雖然性能還是未知數(shù),但是藉由 7 納米制程技術將會把繪圖芯片的芯片核心面積大幅降低,從現(xiàn)在 754㎜2 的 GV102 或者 TU102 的核心面積,將降低到 440㎜2 左右的核心面積。
前者理論是清楚的,但從器件發(fā)展到電路,所需的技術仍處于發(fā)展之中,要進入到比較普遍的應用估計仍需一二十年的時間。至于納米器件,目前多以原子和分子自組裝技術與微電子超深亞微米加工技術相結合的方法進行,特別
萊迪思半導體公司日前公布了其第三代非易失FPGA器件,LatticeXP2系列。LatticeXP2具有增強的性能,雙倍增加的邏輯容量達40K查找表(LUT)、性能改進了25%、還加入了專用DSP塊,而每個功能的價格減少達50%。對1.2伏加
Synopsys推出了具備工藝識別功能的可制造性設計(DFM)新系列產品PA-DFM,用于分析45納米及以下工藝定制/模擬設計階段的工藝變異的影響。隨著工藝尺寸的日益減小,先進硅技術將引起更多如應力工程的變異問題,這將越來
萊迪思半導體公司公布了其第三代非易失FPGA器件,LatticeXP2系列。LatticeXP2具有增強的性能,雙倍增加的邏輯容量達40K查找表(LUT)、性能改進了25%、還加入了專用DSP塊,而每個功能的價格減少達50%。對1.2伏加工工