據(jù)報(bào)道,DRAM產(chǎn)業(yè)的整并案歹戲拖棚了超過(guò)3個(gè)月,臺(tái)灣“經(jīng)濟(jì)部”好不容易宣布TMC(Taiwan Memory Company)正式成立,但9日卻被“立法院”諸公同聲投反對(duì)票,讓整起DRAM整并鬧劇又重新打回原點(diǎn),DRAM廠認(rèn)為,雖然現(xiàn)在經(jīng)
據(jù)報(bào)道,未來(lái)全新的DRAM公司結(jié)合爾必達(dá)、力晶、瑞晶、茂德、華邦之力,全球市占率有機(jī)會(huì)超過(guò)20%,僅次于三星電子(Samsung Electronics),和美光、南亞科、華亞科組成的陣營(yíng)不相上下,如果美光加入新公司,未來(lái)全球DR
誰(shuí)將會(huì)獲得臺(tái)灣DRAM行業(yè)的控制權(quán)?爾必達(dá)存儲(chǔ)公司(ElpidaMemoryInc.)和美光科技公司(MicronTechnologyInc.)是在這高風(fēng)險(xiǎn)博弈中的兩家競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。目前,日本的爾必達(dá)公司略占優(yōu)勢(shì)。 美光公司表示,該公司仍在參與競(jìng)
據(jù)報(bào)道,基本上目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)還是在體力競(jìng)賽的階段,誰(shuí)有體力撐到最后,誰(shuí)就是贏家,臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)是否能趁此機(jī)會(huì)跳脫技術(shù)仰人鼻息的代工老二,一躍成為全球舉足輕重的DRAM產(chǎn)業(yè)大國(guó),考驗(yàn)著當(dāng)政者及產(chǎn)業(yè)全體的智慧
臺(tái)灣當(dāng)局將提出DRAM業(yè)整并案,爾必達(dá)與美光陣營(yíng)誰(shuí)會(huì)在整并案主導(dǎo)權(quán)勝出,市場(chǎng)各有解讀,分屬兩陣營(yíng)的南科(5346)、華亞科(3474)、力晶(5346)昨日股價(jià)皆應(yīng)聲上漲,半導(dǎo)體業(yè)界較看好南科與華亞科所屬的美光陣營(yíng)。
提案整合臺(tái)灣內(nèi)存芯片制造商的美光科技表示,愿意貢獻(xiàn)其技術(shù),作為整并計(jì)劃的基礎(chǔ)。 美光科技發(fā)言人Daniel Francisco接受彭博電話專訪時(shí)表示,該公司已和臺(tái)灣政府代表磋商數(shù)周之久。 他表示,美光希望藉由合并臺(tái)
未來(lái)全新的DRAM公司結(jié)合爾必達(dá)、力晶、瑞晶、茂德、華邦之力,全球市占率有機(jī)會(huì)超過(guò)20%,僅次于三星電子(Samsung Electronics),和美光、南亞科、華亞科組成的陣營(yíng)不相上下,如果美光加入新公司,未來(lái)全球DRAM產(chǎn)業(yè)風(fēng)
據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》周六引述美國(guó)美光在臺(tái)最高主管勒松言(Michael Sadler)指出,美光將開(kāi)出最優(yōu)惠的條件,無(wú)償技術(shù)移轉(zhuǎn)超過(guò)2,500項(xiàng)專利予由政府主導(dǎo)的新控股公司,并擬增加投資額來(lái)爭(zhēng)取整并的主導(dǎo)權(quán). 在臺(tái)灣地區(qū)政
國(guó)外媒體稱,由于計(jì)劃在截至8月的本財(cái)年底前關(guān)閉位于愛(ài)達(dá)荷州博伊西的200毫米DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)線,美國(guó)內(nèi)存芯片廠商美光科技(以下簡(jiǎn)稱“美光”)計(jì)劃裁減2000名員工。 去年秋季,美光宣布因停產(chǎn)部分NAND閃存芯片將裁
DRAM廠2008年第4季受到價(jià)格重挫,加上自2008年9月開(kāi)始,DRAM廠因?yàn)椴豢疤潛p都紛紛宣布減產(chǎn),因此三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)等DRAM大廠的營(yíng)收都紛紛下滑,根據(jù)集邦
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,由于計(jì)劃在截至8月的本財(cái)年底前關(guān)閉位于愛(ài)達(dá)荷州博伊西的200毫米DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)線,美國(guó)內(nèi)存芯片廠商美光科技(以下簡(jiǎn)稱“美光”)計(jì)劃裁減2000名員工?! ∪ツ昵锛荆拦庑家蛲.a(chǎn)部分NAND閃存芯