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英特爾聯(lián)手美光推34納米工藝NAND芯片
8月12日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當今最小的NAND芯片應用于消費存儲設備。 新NAND閃存芯片采用34納米生產(chǎn)工藝，每單元可儲存3比特。新產(chǎn)品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公
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英特爾和美光利用34納米工藝開發(fā)32Gb 3bpc NAND芯片
英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）宣布，雙方依靠其獲獎的34納米NAND工藝，推出每單元儲存3比特（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術試用產(chǎn)品。這
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DRAM廠40納米開戰(zhàn) 50納米恐曇花一現(xiàn)
臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(Elpida)這次
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DRAM廠40納米開戰(zhàn) 50納米恐曇花一現(xiàn)
臺系DRAM廠身陷財務泥淖且制程停留在70納米制程，然國際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)！三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(Elpida)這次
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臺灣創(chuàng)新記憶體公司TMC正式成立 第四季進軍市場
由臺灣當局主導成立的新DRAM公司已于7月底正式登記成立，取名“臺灣創(chuàng)新記憶體股份有限公司”(TMC)，董事長即為這項產(chǎn)業(yè)整合計劃的召集人宣明智，登記資本額50萬臺幣。 對于TMC已向臺“經(jīng)濟部”提出的營運計劃書，
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2009第二季全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收漲幅高達27.1%
根據(jù)集邦科技調(diào)查統(tǒng)計，2009年第二季，DRAM合約價在減產(chǎn)效應持續(xù)發(fā)酵，計算機系統(tǒng)廠商在低價持續(xù)拉高庫存水位下，第二季DRAM合約季均價上漲23%?，F(xiàn)貨價格亦在減產(chǎn)效應下，供給吃緊，DDR2 1Gb 667MHz 現(xiàn)貨價格在五月一
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逆境中成長 歐美光源加大研發(fā)投入
在照明行業(yè)遭遇寒流和淡季的環(huán)境下，大部分企業(yè)都遭遇了企業(yè)裁員、經(jīng)費縮減、銷售量下滑等困境，但是一些注重品質(zhì)的企業(yè)沒有受到?jīng)_擊，并在逆市中不斷完善自己的生產(chǎn)設備，保證企業(yè)產(chǎn)品品質(zhì)得到進一步提升，寧波歐美
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美光推出增加服務器內(nèi)存容量和提升性能的新方法
美光科技股份有限公司前日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內(nèi)存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容
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存儲芯片市場前景令人堪憂
去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DR
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美光70ns隨機存取時間的閃存存儲器Axcell M29W和M29DW
Axcell M29W和M29DW是高速單級芯片(SLC) NOR閃存存儲器，具有70-ns隨機存取時間,有能力支持60ns，主要用于嵌入式領域。這些最新增加的Axcell M29產(chǎn)品系列與現(xiàn)有產(chǎn)品架構是引腳兼容，非常適合于包括汽車、消費電子、通
