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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco
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抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作
英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運(yùn)。 2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Fl
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美光內(nèi)存采用銅取代鋁導(dǎo)線生產(chǎn)商 沖擊設(shè)備市場
市場研究機(jī)構(gòu)TheInformationNetwork總裁RobertCastellano指出，內(nèi)存組件轉(zhuǎn)向采用銅導(dǎo)線 (copperinterconnect)的趨勢在2009年達(dá)到高峰，因此盡管當(dāng)年整體半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)銷售業(yè)績衰退達(dá)40%以上，其中與銅導(dǎo)線直接相關(guān)的
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美光內(nèi)存采用銅取代鋁導(dǎo)線生產(chǎn)商沖擊設(shè)備市場
市場研究機(jī)構(gòu)TheInformationNetwork總裁RobertCastellano指出，內(nèi)存組件轉(zhuǎn)向采用銅導(dǎo)線(copperinterconnect)的趨勢在2009年達(dá)到高峰，因此盡管當(dāng)年整體半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)銷售業(yè)績衰退達(dá)40%以上，其中與銅導(dǎo)線直接相關(guān)的
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抓緊景氣回升IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作
英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IMFlash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運(yùn)。2005年英特爾和美光因看好NANDFlash市場，遂于2006年初合資成立IMFlash，由英
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什么因素推動(dòng)爾必達(dá)和美光最近的閃存資產(chǎn)收購行動(dòng)？
據(jù)iSuppli公司，最近DRAM供應(yīng)商爾必達(dá)和美光的收購行動(dòng)，突顯供應(yīng)商越來越重視打造完整的內(nèi)存產(chǎn)品組合，以面向快速增長的智能手機(jī)市場。如圖所示，未來幾年智能手機(jī)使用的DRAM平均數(shù)量將增長九倍以上，到2014年將從2
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英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)?！ ?/p>
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英特爾美光將推出25納米NAND閃存芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾和美光科技星期一預(yù)計(jì)將宣布這兩家公司將推出全球第一個(gè)基于25納米NAND閃存技術(shù)的芯片。這種25納米的8GB閃存芯片目前還是樣品，預(yù)計(jì)將在2010年下半年之前開始大批量生產(chǎn)。作為目前應(yīng)用
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美光即將量產(chǎn)25nm工藝NAND
在半導(dǎo)體內(nèi)存行業(yè)，美國美光科技（MicronTechnology）的地位在不斷提高。該公司2010年2月宣布收購第一大NOR閃存廠商瑞士恒憶（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND閃存外，該公司今后還將涉足NOR閃存、MCP（Multi-chipPacka
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美光西安封測廠增建動(dòng)土 估2011年建成投產(chǎn)
新民網(wǎng)報(bào)導(dǎo)，由美光科技(Micron Inc.)投資3億美元建設(shè)的半導(dǎo)體測試產(chǎn)線近日在西安高新區(qū)開工建設(shè)，是美光繼05年在西安高新區(qū)投資建設(shè)半導(dǎo)體封裝測試生產(chǎn)基地以來的又一重大項(xiàng)目，建成后將成為包括固態(tài)硬盤、發(fā)光二極
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三星美光反對擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能
近期內(nèi)存價(jià)格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來，好光景來之不易，不應(yīng)該一味擴(kuò)大產(chǎn)能惡性競爭而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。韓國三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示，
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美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃將專注于制程提升
繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃，美光表示他們將專注與縮減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前，
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美光表示年內(nèi)沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃 將專注于制程提升
繼三星，力晶等內(nèi)存芯片大廠對內(nèi)存芯片產(chǎn)能提升事宜公開發(fā)表意見之后，美光公司近日也表態(tài)稱他們今年沒有提升內(nèi)存芯片產(chǎn)能的計(jì)劃，美光表示他們將專注與縮 減內(nèi)存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前，
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Intel、美光25nm NAND閃存二季度開售
Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候就可以看到相關(guān)U盤、記憶卡、固態(tài)硬盤等各種產(chǎn)品。IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣
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南亞科大擴(kuò)產(chǎn)12寸廠拉升至5萬片
臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科日前決定進(jìn)行大擴(kuò)產(chǎn)，原本規(guī)劃將12寸晶圓廠產(chǎn)能從現(xiàn)有3萬片提升至3.6萬片，現(xiàn)在計(jì)劃一舉提升產(chǎn)能至5萬片水平，因此將再增加250名員工，整體員工人數(shù)將達(dá)4,250人；總經(jīng)理連日昌表示，目前1
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Forté N25Q系列高性能串行閃存解決方案（美光）
恒憶（Numonyx）宣布推出業(yè)界首款 65nm 多路輸入輸出串行閃存系列產(chǎn)品，從而進(jìn)一步擴(kuò)大了恒憶為滿足嵌入式市場嚴(yán)格的代碼和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性要求而設(shè)計(jì)的強(qiáng)大的存儲(chǔ)器產(chǎn)品陣容。新的 Numonyx® Forté™ N25Q
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臺(tái)灣多家科技公司因地震停工 股價(jià)大幅下滑
臺(tái)灣南部地區(qū)昨日發(fā)生6.4級地震。到目前為止，地震已造成12人受傷，島內(nèi)大量高科技公司工廠宣布臨時(shí)停工。來自美國地質(zhì)勘探署的數(shù)據(jù)顯示，地震波及臺(tái)灣南部城市高雄方圓70千米左右的地區(qū)，但臺(tái)北市仍有震感。同樣受影
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美日韓陣營鼎立DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點(diǎn)
2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強(qiáng)變成四強(qiáng)鼎立，歐系代表奇夢達(dá)(Qimonda)正式退出市場，也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁，將會(huì)是美、日、韓陣營合寫歷史，但目前臺(tái)灣的DRAM版圖中，韓系已消失，未
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美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術(shù)
據(jù)國外媒體報(bào)道，臺(tái)灣南亞科技總裁連日昌周三表示，公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手，共同為未來的DRAM生產(chǎn)開發(fā)先進(jìn)的20納米芯片制程技術(shù)。這 項(xiàng)先進(jìn)的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片
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美日韓陣營鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒有終點(diǎn)
2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強(qiáng)變成四強(qiáng)鼎立，歐系代表奇夢達(dá)(Qimonda)正式退出市場，也宣告溝槽式技術(shù)陣營的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁，將會(huì)是美、日、韓陣營合寫歷史，但目前臺(tái)灣的DRAM版圖中，韓系已消失，未
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