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海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈
韓國半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。 據(jù)業(yè)界預(yù)
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全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢
盡管近期DRAM價(jià)格大幅反彈，但估計(jì)2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術(shù)
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美光或收購Numonyx Intel脫離NAND市場？
根據(jù)國外媒體爆料，NAND閃存芯片制造商以及英特爾的合作伙伴美光科技可能會收購英特爾投資的NOR閃存制造商N(yùn)umonyx。這將使得英特爾能夠擺脫掉Numonyx，而美光則可以藉此進(jìn)入NOR閃存業(yè)務(wù)，并獲得Numonyx的phase-chang
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，有望挺進(jìn)10納米級
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，
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美光：TMC模式不會成功
隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團(tuán)將加速送出整合計(jì)畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不
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美光：NAND尺寸持續(xù)微縮，挺進(jìn)10納米級有望
在日前的快閃內(nèi)存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，
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美光對NAND未來充滿樂觀 挺進(jìn)1x-nm有望
在日前的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上，人們普遍對該產(chǎn)業(yè)的前途感到悲觀。 有人說，NAND供貨商在可預(yù)見的未來都將繼續(xù)虧損。另一些人則認(rèn)為，新的應(yīng)用如固態(tài)硬盤(SSD)所需的起飛時(shí)間遠(yuǎn)較預(yù)期來得長。當(dāng)然，還
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美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
2009、2010年對美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程，大量轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程，就技術(shù)角度而言相當(dāng)艱鉅，且同時(shí)也需要龐大的資金挹注，才能完成整個(gè)轉(zhuǎn)換過程。 美光分析，在50納米制程上，預(yù)計(jì)每
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美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米 為明年大戰(zhàn)暖身
三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開始試產(chǎn)，爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個(gè)導(dǎo)入40納米制程
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DRAM市場觸底，Q3出貨成長有望超過30%
市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research 指出，2008年下半在全球金融海嘯沖擊下，終端消費(fèi)市場需求快速萎縮，造成DRAM現(xiàn)貨市場報(bào)價(jià)在這半年間下跌幅度超過50%，連帶使得原本就虧損累累、財(cái)務(wù)體質(zhì)日漸惡化的DRAM制造廠商營運(yùn)
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英特爾、美光合力3bps技術(shù)，推出業(yè)界最高效NAND產(chǎn)品
英特爾公司（Intel Corporation）和美光科技股份有限公司（Micron Technology Inc.）近日宣布，雙方依靠其獲獎的34納米NAND工藝，推出每單元儲存3比特（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（MLC）NAND技術(shù)試用產(chǎn)品
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