盡管近期DRAM價格大幅反彈，但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢，2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(Elpida)轉虧為盈，至于臺廠方面，由于 2010年三星制程技術將晉級到40納米，以目前臺廠腳步，未來恐將會有多家大廠被迫淡出標準型DRAM市場。
DRAM價格雖已開始反彈，然復原最快廠商仍是三星，第2季已開始賺錢，預計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進入獲利，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復蘇，美光和爾必達2010年可望陸續(xù)轉虧為盈。反觀臺廠，過去在每一次DRAM景氣復蘇過程中，都是最慢獲利的，但這次情況恐將大不相同。
存儲器業(yè)者指出，由于三星2010年將從50納米轉進40納米制程，大部分臺廠卻仍停留在70納米或60納米制程，臺廠2010年不僅將面臨最晚獲利窘境，甚至會面臨生存保衛(wèi)戰(zhàn)，恐將被迫淡出標準型DRAM領域，轉進晶圓代工或利基型存儲器市場。
存儲器業(yè)者認為，這次DRAM產(chǎn)業(yè)虧損甚鉅，問題不是出在生產(chǎn)家數(shù)過多，而是除三星之外，各廠前一波賺到錢時間點都一樣，因此，都在同一時間點進行擴產(chǎn)投資，導致產(chǎn)能大量產(chǎn)出時間點過近，進而使得價格崩跌，未來惟有師法三星分散產(chǎn)品線，不能只押注DRAM產(chǎn)品，才能避免悲劇再發(fā)生。
此外，這波DRAM產(chǎn)業(yè)大浩劫，雖然價格跌幅并不是史上最慘烈，但各DRAM廠虧損金額卻刷新史上新紀錄，2000~2003年DRAM價格跌幅是史上最鉅，全球各家DRAM廠合計虧損約86億美元，2007年第2季到2009年第2季DRAM價格跌幅并未破紀錄，但全球各廠虧損金額卻高達173億美元，成為史上最慘烈。
下載文檔Flash Memory 是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
關鍵字： Flash 存儲器 嵌入式系統(tǒng)
