
新能源的稱謂是件很有意思的事情,很多新能源其能量來源是再平常不過的,“新”只是指利用的方式是新的,比如除傳統(tǒng)能源之外的太陽能、風(fēng)能、水力、生物能、地熱能、海洋能等。走過2009年,我們看到,新能源產(chǎn)業(yè)在金
傳統(tǒng)電表在向智能電表演進 電網(wǎng)由于增加了“智能”二字而進一步加深了與電子信息產(chǎn)業(yè)的聯(lián)系,它將給信息產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展契機。據(jù)專家介紹,智能電網(wǎng)的主要特征包括自愈、兼容、互動、優(yōu)化、集成、容許各種不同發(fā)
逆變器作為不間斷電源的核心部分,廣泛用于通信、金融等領(lǐng)域。一個高性能的逆變器除了要滿足體積、重量、電磁兼容等基本指標外,還需滿足系統(tǒng)穩(wěn)定,穩(wěn)態(tài)電壓精度高;總諧波畸變率(THD)含量?。粍討B(tài)響應(yīng)快等要求
本文主要對大功率高壓變頻器H橋級聯(lián)型逆變器的實現(xiàn)方式進行了探討,主要從系統(tǒng)中PWM實現(xiàn)的控制策略上進行研究,并針對幾種控制策略的實現(xiàn)方法及性能進行了分析及比較。
本文主要對大功率高壓變頻器H橋級聯(lián)型逆變器的實現(xiàn)方式進行了探討,主要從系統(tǒng)中PWM實現(xiàn)的控制策略上進行研究,并針對幾種控制策略的實現(xiàn)方法及性能進行了分析及比較。
昭和電工宣布,成功量產(chǎn)了表面平滑性達到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(Epitaxial Wafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產(chǎn)品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實現(xiàn)
(1)應(yīng)急電源是確保電力供電系統(tǒng)和消防系統(tǒng)安全運行的技術(shù)保障 當代社會生活對市電電網(wǎng)供電可靠性的依賴度之高是人所共知的。近年來,隨著我國工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)的高速增長及人民生活水平的提高所需求的電力供應(yīng)量也隨
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,適用于電動汽車 (EV) 、混合電動汽車 (HEV) 和中功率驅(qū)動器
針對串聯(lián)諧振逆變器頻率提高和功率調(diào)節(jié)難的問題,提出了新型分時一相位復(fù)合控制策略,采用逆變開關(guān)的分時段控制來提高頻率,通過改變電壓電流的相位差來調(diào)節(jié)功率。在系統(tǒng)建模和理論分析的基礎(chǔ)上,分析電路的結(jié)構(gòu)和工作原理,并對其進行相關(guān)的計算機仿真分析,給出了仿真波形。結(jié)果表明,該控制方法結(jié)構(gòu)簡單、控制方便,功率調(diào)節(jié)容易,可以實現(xiàn)基于時間分割的倍頻控制,有效地提高了電源的頻率,具有很好的應(yīng)用前景。
針對串聯(lián)諧振逆變器頻率提高和功率調(diào)節(jié)難的問題,提出了新型分時一相位復(fù)合控制策略,采用逆變開關(guān)的分時段控制來提高頻率,通過改變電壓電流的相位差來調(diào)節(jié)功率。在系統(tǒng)建模和理論分析的基礎(chǔ)上,分析電路的結(jié)構(gòu)和工作原理,并對其進行相關(guān)的計算機仿真分析,給出了仿真波形。結(jié)果表明,該控制方法結(jié)構(gòu)簡單、控制方便,功率調(diào)節(jié)容易,可以實現(xiàn)基于時間分割的倍頻控制,有效地提高了電源的頻率,具有很好的應(yīng)用前景。
簡要介紹采用N87C196MC的波形發(fā)生器的結(jié)構(gòu)、原理,以及用N87C196MC作為主控芯片的空調(diào)逆變器方案。
簡要介紹采用N87C196MC的波形發(fā)生器的結(jié)構(gòu)、原理,以及用N87C196MC作為主控芯片的空調(diào)逆變器方案。
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點 IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點 IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點 IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
1 引 言 隨著現(xiàn)代科技的發(fā)展,逆變電源廣泛應(yīng)用到各行各業(yè),進而對其性能提出了更高的要求。傳統(tǒng)的逆變電源多為模擬控制或數(shù)字相結(jié)合的控制系統(tǒng)。好的逆變電源電壓輸出波形主要包括穩(wěn)態(tài)精度高,動態(tài)性能好等方面。