
2008年,受到全球半導(dǎo)體市場衰退的影響,中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄1M管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設(shè)計業(yè)仍實現(xiàn)了一定增長,但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場的變化和利潤
得益于《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃》及4萬億投資拉動計劃等因素的積極作用,今年以來,深圳口岸集成電路出口呈持續(xù)增長態(tài)勢。昨日,記者從深圳海關(guān)獲悉,相關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,今年1至5月,深圳口岸集成電路出口累計8.6
近日,中國電子信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)公司(CEC)旗下的中電熊貓信息產(chǎn)業(yè)集團(tuán)和英特爾投資公司共同舉辦了“英特爾投資與中電熊貓創(chuàng)新技術(shù)日”活動。活動當(dāng)天,英特爾投資公司就技術(shù)與產(chǎn)品進(jìn)行了業(yè)務(wù)介紹、技術(shù)演示以及
近日,中國最具實力的IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)集聚高地——國家集成電路(無錫)設(shè)計中心在江蘇省無錫市奠基。該中心建成后,將進(jìn)駐IC和工業(yè)設(shè)計研發(fā)類企業(yè)200至300家。據(jù)介紹,國家集成電路(無錫)設(shè)計中心由中國電子科技
得益于《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整振興規(guī)劃》及4萬億投資拉動計劃等因素的積極作用,今年以來,深圳口岸集成電路出口呈持續(xù)增長態(tài)勢。昨日,記者從深圳海關(guān)獲悉,相關(guān)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示,今年1至5月,深圳口岸集成電路出口累計8.6
受國際金融危機(jī)影響,2009年將是我國集成電路行業(yè)最為困難的一年,何時走出低谷,要看市場是否持續(xù)景氣。為此,我們要依托政府出臺的政策,認(rèn)真解讀和落實《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》(以下簡稱《規(guī)劃》),依靠自
受國際金融危機(jī)影響,2009年將是我國集成電路行業(yè)最為困難的一年,何時走出低谷,要看市場是否持續(xù)景氣。為此,我們要依托政府出臺的政策,認(rèn)真解讀和落實《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》(以下簡稱《規(guī)劃》),依靠自
目前,對高亮度 LED(發(fā)光二極管)的市場預(yù)測存在很大差別。盡管預(yù)測數(shù)據(jù)不同,但是趨勢是明顯的:高亮度(HB)LED 市場正在以驚人的速度增長。有些預(yù)測數(shù)據(jù)為年復(fù)合增長率 15%,另一些則為年復(fù)合增長率 35%。2007 年
目前,對高亮度 LED(發(fā)光二極管)的市場預(yù)測存在很大差別。盡管預(yù)測數(shù)據(jù)不同,但是趨勢是明顯的:高亮度(HB)LED 市場正在以驚人的速度增長。有些預(yù)測數(shù)據(jù)為年復(fù)合增長率 15%,另一些則為年復(fù)合增長率 35%。2007 年
目前,對高亮度 LED(發(fā)光二極管)的市場預(yù)測存在很大差別。盡管預(yù)測數(shù)據(jù)不同,但是趨勢是明顯的:高亮度(HB)LED 市場正在以驚人的速度增長。有些預(yù)測數(shù)據(jù)為年復(fù)合增長率 15%,另一些則為年復(fù)合增長率 35%。2007 年
5月6日,國務(wù)院總理溫家寶主持召開國務(wù)院常務(wù)會議,強(qiáng)調(diào)2009年中央以貸款貼息為主的方式,安排200億元人民幣的技術(shù)改造專項資金,用以加強(qiáng)企業(yè)技術(shù)改造。 會議決定,200億投資主要用于鋼鐵、裝備制造、新能源汽車
Sigma-Aldrich集團(tuán)成員SAFC旗下的業(yè)務(wù)部門SAFC Hitech 日前透過宣布與工業(yè)與醫(yī)療氣體領(lǐng)先制造廠商Air Water Inc., (AWI)的進(jìn)一步協(xié)同合作,重申其對日本微電子產(chǎn)業(yè)的堅定承諾。根據(jù)此合作協(xié)議的內(nèi)容,這兩家企業(yè)將持
2009年3月,我國集成電路出口約38.94億個,出口總金額約為16.86億美元,比2月增長19.4%,比2008年同期減少13.9%。1-3月,我國集成電路累計出口約87.12億個,比2008年同期減少19.7%;累計出口總金額約為42.52億美元,
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O 引 言 通常意義的的集成電路測試,只是施加測試以判斷被測電路是否存在故障,并不對故障進(jìn)行定位、確定故障類型、明確故障發(fā)生的根本原因。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,對集成電路測試提出了更高的要求,必須
對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層,使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構(gòu)情況。實驗結(jié)果表明,對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層,均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu),這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。
《規(guī)劃》指出,未來三年,電子信息產(chǎn)業(yè)銷售收入保持穩(wěn)定增長,產(chǎn)業(yè)發(fā)展對GDP增長的貢獻(xiàn)不低于0.7個百分點,三年新增就業(yè)崗位超過150萬個,其中新增吸納大學(xué)生就業(yè)近100萬人。
20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一是半導(dǎo)體集成電路。半導(dǎo)體集成電路有兩個諾貝爾物理學(xué)獎成果,一個是獲1956年諾貝爾物理學(xué)獎的半導(dǎo)體晶體管,另一個是獲2000年諾貝爾物理學(xué)獎的集成電路。1958年德州儀器|儀表公司研究人員基爾
20世紀(jì)最偉大的發(fā)明之一是半導(dǎo)體集成電路。半導(dǎo)體集成電路有兩個諾貝爾物理學(xué)獎成果,一個是獲1956年諾貝爾物理學(xué)獎的半導(dǎo)體晶體管,另一個是獲2000年諾貝爾物理學(xué)獎的集成電路。1958年德州儀器公司研究人員基爾比發(fā)