日本半導(dǎo)體能反撲成功嗎？

近兩年來，日本對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的野心越發(fā)彰顯。一方面，極力拉攏像臺(tái)積電、三星、英特爾這類業(yè)內(nèi)佼佼者在日本建廠;另一方面，將振興芯片產(chǎn)業(yè)列為國(guó)家項(xiàng)目，加大投資和政策扶持力度。據(jù)報(bào)道，日本政府還將提供資金支持、協(xié)助日本企業(yè)研發(fā)2nm以后的次世代半導(dǎo)體制造技術(shù)，發(fā)力芯片先進(jìn)工藝。

2nm的競(jìng)爭(zhēng)，目標(biāo)2027年，日本晶圓代工企業(yè)Rapidus與IBM達(dá)成合作協(xié)議

近日，在日本政府的推動(dòng)下，東京電子、豐田汽車、索尼、NTT等8家日本企業(yè)已攜手設(shè)立一家新的晶圓代工企業(yè)——“Rapidus”，目標(biāo)在2025-2030年間實(shí)現(xiàn)2nm及以下制程邏輯芯片的研發(fā)和量產(chǎn)。Rapidus公司已經(jīng)與 IBM 簽訂了合作協(xié)議，開發(fā)基于 IBM 2nm制程技術(shù)。Rapidus 表示，將于 2027 年在日本晶圓廠大規(guī)模生產(chǎn)芯片。

2nm被傳延期量產(chǎn) 臺(tái)積電回應(yīng)

臺(tái)積電今天上午正式宣布3nm工藝量產(chǎn)，這是當(dāng)前全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，明年開始貢獻(xiàn)營(yíng)收。

明年繼續(xù)是3nm的高光時(shí)代，2024到2025年則是2nm工藝量產(chǎn)

如今的半導(dǎo)體芯片工藝制程越來越先進(jìn)了，今年三星量產(chǎn)了3nm工藝，臺(tái)積電的3nm也蓄勢(shì)待發(fā)，明年就會(huì)是3nm的高光時(shí)代，2024到2025年則是2nm工藝量產(chǎn)。

致力2nm技術(shù)合作，Imec和日本半導(dǎo)體公司簽約

Imec和日本政府支持的以2nm工藝為目標(biāo)的半導(dǎo)體初創(chuàng)公司Rapidus本月早些時(shí)候在東京舉行的簽字儀式上同意了一項(xiàng)技術(shù)合作。

臺(tái)積電要派600工程師赴日，魏哲家：發(fā)展2nm難度不?。?/a>

曝臺(tái)積電1nm新廠最早或于2026年動(dòng)工

業(yè)內(nèi)分析稱，臺(tái)積電1奈米廠最快2026年中可開始動(dòng)土，最快2027年試產(chǎn)、2028年量產(chǎn)。

日本攻關(guān)2nm工藝，確定聯(lián)手IBM

據(jù)報(bào)道，為了攻克2nm先進(jìn)工藝，日本已經(jīng)制定復(fù)興計(jì)劃，聯(lián)手歐洲IMEC之后又確定聯(lián)手IBM。

最新報(bào)道曝光：全球晶圓代工巨頭已獲特斯拉全自動(dòng)駕駛(FSD)芯片代工訂單

代工現(xiàn)象在電子產(chǎn)品的比率特別高，比如筆記本中著名代工廠家廣達(dá)所生產(chǎn)的筆記本電腦占到全球筆記本臺(tái)數(shù)的30%上下(2005)而廣達(dá)無自有筆記本品牌。IT數(shù)據(jù)公司iSuppli稱全世界銷售的筆記本電腦有86%來自中國(guó)(2006年8月數(shù)據(jù))。

Intel擠掉三星，登頂全球半導(dǎo)體銷冠榜

11月23日消息，據(jù)市場(chǎng)研究公司Omdia最新數(shù)據(jù)，最大的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子在第三季度營(yíng)收大幅下滑，失去全球半導(dǎo)體銷冠寶座。

好高騖遠(yuǎn)！日本芯片公司稱超越2nm被批

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，在日本政府支持下，8家日本巨頭成立半導(dǎo)體企業(yè)Rapidus公司，該公司表示目標(biāo)是超越2nm制程工藝，但是近日該公司被批好高騖遠(yuǎn)。

臺(tái)積電3nm代工價(jià)格水漲船高，下游成本大幅拉升

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電3nm晶圓的價(jià)格可謂指數(shù)級(jí)增加，一片高達(dá)2萬美元，約合14萬人民幣。

臺(tái)積電張忠謀：基本敲定將在美設(shè)3納米晶圓廠

本周一，臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀對(duì)媒體證實(shí)，該公司已經(jīng)“差不多敲定”，計(jì)劃在位于美國(guó)亞利桑那州的新工廠生產(chǎn)3納米(nm)芯片。

15代酷睿內(nèi)部流片，Intel進(jìn)入2nm時(shí)代

據(jù)業(yè)內(nèi)消息， Intel計(jì)劃明年首發(fā)14代酷睿，但是近日有消息稱，基于Intel自家的Intel 20A工藝的Arrow Lake已經(jīng)有內(nèi)測(cè)芯片流片，而該芯片就是15代酷睿。

日美雙方會(huì)成立合資公司： 最快2025年推出2nm工藝

在全球先進(jìn)半導(dǎo)體工藝中，臺(tái)積電、三星都有2nm工藝計(jì)劃，美國(guó)也能靠Intel實(shí)現(xiàn)2nm及以下的工藝，日本作為曾經(jīng)的半導(dǎo)體第一已經(jīng)沒有了先進(jìn)工藝生產(chǎn)能力，這也是他們要努力補(bǔ)上的，現(xiàn)在要聯(lián)手美國(guó)實(shí)現(xiàn)目標(biāo)。

為了使半導(dǎo)體工藝不斷縮小，硅必須摻雜越來越高的磷濃度？

目前全球能做到2nm工藝的公司沒有幾家，主要是臺(tái)積電、Intel及三星，日本公司在設(shè)備及材料上競(jìng)爭(zhēng)力有優(yōu)勢(shì)，但先進(jìn)工藝是其弱點(diǎn)，現(xiàn)在日本要聯(lián)合美國(guó)研發(fā)2nm工藝，不依賴臺(tái)積電，最快2025年量產(chǎn)。

曝納米片晶體管架構(gòu)的2nm工藝，將于2025年量產(chǎn)

在上周的SEDEX 2022，三星更新了技術(shù)路線圖，宣稱計(jì)劃2025年投產(chǎn)2nm芯片，2027年投產(chǎn)1.4nm。其中對(duì)于2nm，三星研究員Park Byung-jae介紹了BSPDN(back side power delivery network)也就是背面供電。

芯片進(jìn)入2nm一定要使用GAAFET晶體管技術(shù)，之前的FinFET晶體管技術(shù)，必須拋棄？

隨著近日最新出產(chǎn)的高性能芯片大量使用4nm工藝，不少廠商的3nm制程工藝也被提上日程，正式進(jìn)入到了測(cè)試階段，也預(yù)計(jì)將在2023年年末就會(huì)看到3nm制程的產(chǎn)品面向市場(chǎng)。

臺(tái)積電發(fā)布Q3財(cái)報(bào)，凈利潤(rùn)及工藝制程進(jìn)度均向好

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，昨天全球半導(dǎo)體代工龍頭臺(tái)積電公布了Q3季度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)，營(yíng)收及利潤(rùn)均保持了環(huán)比兩位數(shù)的增長(zhǎng)，超出行業(yè)之前的預(yù)期，能在過去幾年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)萎靡的大環(huán)境下的背景之下逆勢(shì)增長(zhǎng)也說明了臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體行業(yè)的絕對(duì)實(shí)力，同時(shí)臺(tái)積電也透露了最新的工藝進(jìn)展，比如2nm制程工藝的順利進(jìn)行。

臺(tái)積電2nm進(jìn)度喜人:或提前至2025年量產(chǎn)

10月13日，臺(tái)積電發(fā)布了2022年Q3季度財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收約新臺(tái)幣6131億4千萬元，稅后純益約新臺(tái)幣2808億7千萬元，每股盈余為新臺(tái)幣10.83元(折合美國(guó)存托憑證每單位為1.79美元)。