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瑞晶成30納米制程轉換最快的臺灣DRAM廠
瑞晶董事會日前通過30納米制程轉換資本支出18.15億元決議案，并沖刺單月產能到年底達到8.8萬片，成為邁向30納米制程進展最快的臺系DRAM廠。此外，董事會也通過，向臺灣歐力士公司申請機器設備售后租回融資約10億元，
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臺積電臺聯電分別拋出設備大訂單
日本東京電子(TEL)日前收到來自聯電的一筆后繼設備訂單，價值約為三千零五十萬美元，這是TEL今年迄今為止收到的來自聯電的最大一筆設備訂單，TEL接獲來自聯電的上一筆訂單是在今年四月，價值為一千九百十萬美元。與此
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臺積電加入EIDEC聯盟
臺積電與日本瑞薩電子(Renesas)決定加入以研發(fā)次世代半導體制造技術為目標的EUVL基板開發(fā)中心(EIDEC)。EIDEC是由東芝(Toshiba)領軍，由11間日本企業(yè)共同出資設立，致力于研究深紫外線(EUV)微影技術。目前EIDEC已經和
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ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達10臺 預計2012年開始正式交貨
2010年浸潤式微米光刻機臺設備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產業(yè)轉進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨；不過，
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ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達10臺 預計2012年開始正式交貨
2010年浸潤式微米光刻機臺設備(ImmersionScanner)大缺貨，形成DRAM產業(yè)轉進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨；不過，對
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ASML單價近一億美元EUV光刻機訂單已達10臺
2010年浸潤式微米光刻機臺設備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產業(yè)轉進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預計2012年將正式交貨;不過，對
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日震效應延燒半導體設備下單
據路透(Reuters)報導，荷蘭半導體設備商ASML指出，日本強震打亂客戶供應鏈，導致部分客戶下單態(tài)度出現遲疑現象。 ASML以微顯影機臺引領半導體設備市場，近期發(fā)布2011年第1季財報，該期間ASML營收為14.52億歐元(約
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ASML第一季度凈利潤增至3.95億歐元 訂單規(guī)模達8.45億歐元
荷蘭半導體光刻設備供應商ASMLHoldingNV日前宣布，第一季度凈利潤增加兩倍以上達到3.95億歐元，季度營收同樣增加近一倍升至14.5億歐元，好于分析師預期。季度利潤升至3.95億歐元(5.70億美元)或每股0.9歐元，一年前同
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2010年全球半導體設備廠商排行榜公布
VLSI Research市調公司近日公布了2010年全球芯片廠用設備制造廠商排行榜，應用材料公司仍然穩(wěn)居老大位置，而近年來相當活躍的光刻設備廠商荷蘭ASML則排名超過東電電子公司(TEL)上升到了第二位，東電電子則在排行榜上
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亞洲產業(yè)重鎮(zhèn) 封測設備站更穩(wěn)
國內封測業(yè)樂見國際封測設備大廠透過并購壯大版圖，包括日月光、矽品及力成等封測大廠強調，愛德萬（Advantest）的半導體測試機臺長期以來一直是臺灣封測業(yè)重要設備采購對象，隨國際整合元件大廠（IDM）持續(xù)對臺下
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光刻世界的期待與沮喪
數十年來，光刻一直是關鍵的芯片生產技術。今天它仍然很重要。不過，在最近的SPIE先進光刻技術大會中，一些跡象顯示，光刻界及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經有點像心理安慰了。 焦慮、緊張
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微影世界的藍色憂郁
數十年來，微影一直是關鍵的晶片生產技術。今天它仍然很重要。不過，在最近的 SPIE 先進微影大會中，一些跡象顯示，微影社群及其客戶需要的微縮──字面上的微縮──事實上幾乎已經有點像心理安慰了。焦慮、緊張和憂
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英特爾10nm設計規(guī)則初定 EUV技術恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微影技
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英特爾10nm設計規(guī)則初定 EUV技術恐錯失良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微影技
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英特爾10nm設計規(guī)則初定 EUV技術恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微影技
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英特爾10nm設計規(guī)則初定，EUV技術恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。但英特爾微影技
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英特爾10nm設計規(guī)則初定，EUV技術恐錯過良機
英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。 但英特爾微
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比利時IMEC宣布已安裝ASML NXE:3100試產型EUV光刻機
比利時半導體研究機構IMEC最近宣布在其設在比利時魯汶的研究設施中安裝了一臺ASML生產的NXE:3100試產型EUV光刻機。IMEC機構的總裁 兼CEO Luc Van den hove會在今天召開的SPIE高級光刻技術會議（SPIE advanced lithog
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日本人揚頭趕上：尼康光刻機市場表現回勇
日本尼康公司曾經一度在高端光刻機市場上相比其對手荷蘭ASML公司有所失寵，不過最近由于高端光刻機市場需求相當旺盛，尼康公司的光刻部門終于擺脫了兩年以來一直賠本經營的局面。 由于市場對尼康193nm液浸式光刻工
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歐洲半導體業(yè)者4Q營收樂觀
據道瓊(DowJones)報導，由于智能型手機、平板計算機2011年持續(xù)發(fā)燒，毆洲半導體業(yè)者可望大展身手，走出往昔的經濟泥沼，加上美國、亞洲對手上需面對棘手的PC市場挑戰(zhàn)，歐洲業(yè)者當前更顯輕松寫意。半導體設備大廠荷商
