DDR

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Zynq系列器件通過(guò)JTAG口訪問(wèn)DDR

在開(kāi)發(fā)過(guò)程中硬件調(diào)試不免會(huì)遇到一種情況，就是可能SD卡、USB和網(wǎng)口都沒(méi)有調(diào)通，但是需要一些少量數(shù)據(jù)對(duì)特定功能進(jìn)行驗(yàn)證，這時(shí)通過(guò)JTAG接口Restore數(shù)據(jù)到DDR或從DDR Dump數(shù)據(jù)到PC機(jī)不失為一種有效選擇。

通信技術(shù)
2017-02-09

ddr jtag zynq
TI推出業(yè)內(nèi)首個(gè)完全集成的DDR存儲(chǔ)器電源解決方案

德州儀器(TI)近日宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)完全集成的電源管理解決方案，該方案也是首個(gè)在汽車和工業(yè)應(yīng)用中用于雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 2、DDR3和DDR3L存儲(chǔ)器子系統(tǒng)。TPS54116-Q1直流/直流降壓轉(zhuǎn)換器是一款輸入電壓為2.95-V至6-

模擬
2016-10-13

ddr
TI推出業(yè)內(nèi)首個(gè)完全集成的DDR存儲(chǔ)器電源解決方案

TI的4-A同步直流/直流降壓轉(zhuǎn)換器可簡(jiǎn)化汽車和工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)并縮小系統(tǒng)尺寸德州儀器(TI)近日宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)完全集成的電源管理解決方案，該方案也是首個(gè)在汽車和工業(yè)應(yīng)用中

電源
2016-10-13

存儲(chǔ)器電源電源新品 ddr
TI推出首款適用空間受限應(yīng)用的DDR內(nèi)存終止線性穩(wěn)壓器

德州儀器 (TI) 近日推出業(yè)內(nèi)首款適合空間應(yīng)用的雙數(shù)據(jù)速率 (DDR)內(nèi)存線性穩(wěn)壓器。TPS7H3301-SP是唯一一款不受每平方厘米高達(dá)65兆電子伏(MeV-cm2)單粒子效應(yīng)影響的DDR穩(wěn)壓器

功率器件
2016-07-21

電源新品內(nèi)存線性穩(wěn)壓器 ddr
Linear 推出用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的穩(wěn)壓器 LTM4632

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路輸出µModule (電源模塊) 穩(wěn)壓器 LTM4632，用于為新型 QDR4 和較老式的 DDR SRAM 之所有三個(gè)電壓軌供電：VD

線性電源
2016-04-15

穩(wěn)壓器 sram Linear 電源新品 qdr4 ltm4632 ddr
高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)：互連時(shí)序模型與布線長(zhǎng)度分析

高速電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，關(guān)于布線有一種幾乎是公理的認(rèn)識(shí)，即“等長(zhǎng)”走線，認(rèn)為走線只要等長(zhǎng)就一定滿足時(shí)序需求，就不會(huì)存在時(shí)序問(wèn)題。本文對(duì)常用高速器件的互連時(shí)序建立模型，并給出一般性的時(shí)序分析公式。為

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2015-05-27

PCB sdram phy芯片 ddr
e2v宣布計(jì)劃延長(zhǎng)Micron部分SDR和DDR存儲(chǔ)產(chǎn)品的壽命

射頻功率、成像和高可靠性半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè) e2v aerospace and defense, Inc. (e2v a&d) 近日宣布，將延長(zhǎng)世界領(lǐng)先高級(jí)存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商之一 Micron Techno

嵌入式硬件
2015-01-25

micron e2v 存儲(chǔ)技術(shù) ddr
詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD

單片機(jī)
2014-12-21

內(nèi)存條 SDRAM DDR DDR3
程序的思考(從單片機(jī)到PC)

關(guān)于程序的執(zhí)行，以前想的不多，沒(méi)有意識(shí)到一個(gè)程序在運(yùn)行時(shí)，從哪里讀指令，數(shù)據(jù)又寫(xiě)在哪里。從單片機(jī)上知道，在上電的那一刻，MCU的程序指針PC會(huì)被初始化為上電復(fù)位時(shí)的地址，從哪個(gè)地址處讀取將要執(zhí)行的指令，由此

單片機(jī)
2014-11-05

Flash 單片機(jī) PC DDR
汽車音響導(dǎo)航系統(tǒng)中DDR高速信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)

在以往汽車音響的系統(tǒng)設(shè)計(jì)當(dāng)中，一塊PCB上的最高時(shí)鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了，而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時(shí)鐘頻率超過(guò)100MHz,有的甚至達(dá)到了GHz數(shù)量級(jí)。為此，傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)

嵌入式硬件
2014-09-01

導(dǎo)航系統(tǒng) 汽車音響 PCB設(shè)計(jì) DDR
DDR內(nèi)存供電電路

DDR內(nèi)存供電電路

電源電路
2014-06-18

開(kāi)關(guān) 內(nèi)存供電電路 DDR
封測(cè)：京元電羽翼已豐，漸成硅品對(duì)手

【導(dǎo)讀】封測(cè)：京元電羽翼已豐，漸成硅品對(duì)手自半導(dǎo)體市場(chǎng)景氣于2001年跌落谷底而后翻揚(yáng)后，封測(cè)產(chǎn)業(yè)大者恒大趨勢(shì)更為明顯，硅品為了與日月光、艾克爾、新科金朋（STATS-ChipPAC）等進(jìn)行集團(tuán)式對(duì)抗，董事長(zhǎng)

半導(dǎo)體
2014-06-09

DRAM 內(nèi)存 DDR BSP
供給吃緊需求增溫 DRAM產(chǎn)業(yè)當(dāng)紅

【導(dǎo)讀】供給吃緊需求增溫 DRAM產(chǎn)業(yè)當(dāng)紅受惠于國(guó)際大廠如三星、海力士等將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至NAND FLASH，DRAM產(chǎn)業(yè)今年供給吃緊，報(bào)價(jià)維持高檔，不像過(guò)去明顯受到PC淡季效應(yīng)影響，加上第 4季PC傳統(tǒng)旺季來(lái)臨，需求明

半導(dǎo)體
2014-06-09

DRAM Flash DDR BSP
DRAM供應(yīng)出現(xiàn)短缺，內(nèi)存價(jià)格即將“水漲船高”？

【導(dǎo)讀】DRAM供應(yīng)出現(xiàn)短缺，內(nèi)存價(jià)格即將“水漲船高”？市場(chǎng)調(diào)研公司DRAMeXchange表示，目前由于DRAM市場(chǎng)向90納米工藝過(guò)渡，可能對(duì)供應(yīng)構(gòu)成壓力，而且這種情況可能持續(xù)到11月份。雖然上周現(xiàn)貨市場(chǎng)的DRAM

半導(dǎo)體
2014-06-09

DRAM 內(nèi)存 DDR BSP
70奈米技術(shù) DRAM廠生存關(guān)鍵

【導(dǎo)讀】70奈米技術(shù) DRAM廠生存關(guān)鍵　　為強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，全球DRAM廠持續(xù)積極朝先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展。有鑒于DDR2世代來(lái)臨，今年DRAM廠商競(jìng)爭(zhēng)淘汰賽，將以90納米技術(shù)為基礎(chǔ)關(guān)卡，70納米為領(lǐng)先關(guān)鍵；今年，包括力晶、茂德

半導(dǎo)體
2014-06-09

DRAM 制程技術(shù) DDR BSP
三星8000萬(wàn)顆瑕疵DRAM被退回可能流向市場(chǎng)

【導(dǎo)讀】三星8000萬(wàn)顆瑕疵DRAM被退回可能流向市場(chǎng) 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現(xiàn)問(wèn)題后，三星的68納米DRAM日前也曝出問(wèn)題，導(dǎo)致8000萬(wàn)顆1GB DDR2被客戶退回。今年4月，

半導(dǎo)體
2014-06-09

DRAM 三星 DDR BSP
BMW下一代ConnectedDrive車載系統(tǒng)：實(shí)現(xiàn)4G高速連接

【導(dǎo)讀】BMW已經(jīng)透露了下一代的內(nèi)置ConnectedDrive導(dǎo)航系統(tǒng)，在增強(qiáng)原有的功能之外還為這個(gè)平臺(tái)增加了更多的功能，首先采用了全新的iDrive Touch 方向把，和支持多點(diǎn)觸控可瀏覽網(wǎng)頁(yè)和地圖導(dǎo)航的多功能面板，而且能夠

半導(dǎo)體
2014-06-06

車載系統(tǒng) 4G DDR CONNECTED
2011年度Tektronix技術(shù)交流會(huì)廈門(mén)喜來(lái)登酒店

【導(dǎo)讀】科技正在發(fā)生著跨時(shí)代的變革。為了應(yīng)對(duì)新數(shù)字世界所面臨的挑戰(zhàn)，日?qǐng)D科技有限公司中國(guó)合作伙伴美國(guó)泰克為電子測(cè)量測(cè)試行業(yè)中從事研發(fā)設(shè)計(jì)、驗(yàn)證、調(diào)試的工程師們推出了一系列的全新測(cè)試產(chǎn)品平臺(tái)及完善的解決

半導(dǎo)體
2014-06-06

泰克 DDR BSP TEKTRONIX
移動(dòng)DDR2 DRAM將把DRAM擴(kuò)展到手機(jī)以外領(lǐng)域

據(jù)iSuppli公司，雙倍數(shù)據(jù)率(DDR2)DRAM將迅速占領(lǐng)手機(jī)市場(chǎng)，這種新一代DRAM預(yù)計(jì)將取代傳統(tǒng)DDR，在2011年以前成為主流移動(dòng)DRAM技術(shù)。在2010年總體移動(dòng)DRAM出貨量中，預(yù)計(jì)約有

嵌入式硬件
2014-05-27

移動(dòng) DRAM DDR
Symwave將展示USB 3.0 RAIDDrive存儲(chǔ)方案

超高速(SuperSpeed) USB芯片系統(tǒng)方案供貨商Symwave(芯微科技)以及閃存存儲(chǔ)方案和DRAM模塊制造商Super Talent科技公司共同宣布，兩家公司將在2010年1月7-10日于拉斯韋加斯舉

嵌入式硬件
2014-05-23

USB AI DDR TALENT

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DDR

Zynq系列器件通過(guò)JTAG口訪問(wèn)DDR

TI推出業(yè)內(nèi)首個(gè)完全集成的DDR存儲(chǔ)器電源解決方案

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Linear 推出用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的穩(wěn)壓器 LTM4632

高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)：互連時(shí)序模型與布線長(zhǎng)度分析

e2v宣布計(jì)劃延長(zhǎng)Micron部分SDR和DDR存儲(chǔ)產(chǎn)品的壽命

詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

程序的思考(從單片機(jī)到PC)

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DDR內(nèi)存供電電路

封測(cè)：京元電羽翼已豐，漸成硅品對(duì)手

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70奈米技術(shù) DRAM廠生存關(guān)鍵

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