DDR

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平臺(tái)ASIC架構(gòu)與傳統(tǒng)ASIC設(shè)計(jì)對(duì)比分析

采用先進(jìn)半導(dǎo)體工藝，結(jié)構(gòu)化ASIC平臺(tái)可以提供更多經(jīng)預(yù)定義、預(yù)驗(yàn)證和預(yù)擴(kuò)散的金屬層，并支持各種存儲(chǔ)器接口，能簡(jiǎn)化接口設(shè)計(jì)和時(shí)序問(wèn)題。本文詳細(xì)介紹了結(jié)構(gòu)化ASIC平臺(tái)的這些特點(diǎn)和性能。最新的ASIC設(shè)計(jì)架構(gòu)能夠大大

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-03-12

ASIC設(shè)計(jì) BSP DDR 金屬
汽車音響導(dǎo)航系統(tǒng)中DDR高速信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)

在以往汽車音響的系統(tǒng)設(shè)計(jì)當(dāng)中，一塊PCB上的最高時(shí)鐘頻率在30~50MHz已經(jīng)算是很高了，而現(xiàn)在多數(shù)PCB的時(shí)鐘頻率超過(guò)100MHz,有的甚至達(dá)到了GHz數(shù)量級(jí)。為此，傳統(tǒng)的以網(wǎng)表驅(qū)動(dòng)的串行式設(shè)計(jì)方法已經(jīng)不能滿足今天的設(shè)計(jì)要

汽車電子
2012-02-12

導(dǎo)航系統(tǒng) 汽車音響 PCB設(shè)計(jì) DDR
基于i.MX51的應(yīng)用處理器開發(fā)評(píng)估方案設(shè)計(jì)

基于i.MX51的應(yīng)用處理器開發(fā)評(píng)估方案設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2012-01-17

應(yīng)用處理器 MDASH I.MX DDR
中國(guó)聯(lián)通攜手寶馬共推互聯(lián)駕駛服務(wù)

12月7日，中國(guó)聯(lián)通與寶馬公司在上海舉行新聞發(fā)布會(huì)，宣布將在中國(guó)合作推廣BMW互聯(lián)駕駛（BMW ConnectedDrive）服務(wù)。根據(jù)協(xié)議，中國(guó)聯(lián)通將提供基于2G GSM、3G WCDMA網(wǎng)絡(luò)的移動(dòng)通信、系統(tǒng)集成、呼叫中心、內(nèi)容提供等綜

通信技術(shù)
2011-12-07

中國(guó)聯(lián)通寶馬 CONNECTED DDR
20nm最強(qiáng)制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

來(lái)自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動(dòng)設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用

消費(fèi)電子
2011-12-01

三星內(nèi)存 GB DDR
力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

力晶在2012年起將會(huì)大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量，以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展，并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm4Gb生產(chǎn)，而空出的產(chǎn)能將會(huì)以NANDFLASH填補(bǔ)，后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)也轉(zhuǎn)移到NAND2Xnm的制程微縮。放遠(yuǎn)未來(lái)，力晶

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2011-11-17

DRAM Flash NAND DDR
臺(tái)灣茂德董事長(zhǎng)陳民良表示將放棄DRAM轉(zhuǎn)而生產(chǎn)SDRAM、Mobile RAM等

茂德26日臨時(shí)股東會(huì)通過(guò)3大重要議案，包括減資、債轉(zhuǎn)股的增資和策略伙伴的私募案后，新的財(cái)務(wù)平臺(tái)正式誕生，但以長(zhǎng)遠(yuǎn)經(jīng)營(yíng)來(lái)看，茂德即使過(guò)了財(cái)務(wù)重?fù)?dān)這一關(guān)，那長(zhǎng)遠(yuǎn)經(jīng)營(yíng)的核心業(yè)務(wù)在何方？董事長(zhǎng)陳民良表示，利基型內(nèi)

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2011-08-30

SDRAM MOBILE DRIVER DDR
采用DDR接口東芝推24nm工藝eMMC閃存芯片

日本東芝公司正大推出了新系列24nmeMMC閃存芯片。新的NAND閃存芯片主要面向的是嵌入式應(yīng)用，由于使用了雙數(shù)據(jù)接口，因此將可以帶來(lái)更加出色的隨機(jī)存取和連續(xù)數(shù)據(jù)存取性能。由于使用的是全新的24nm工藝，因此新芯片體

智能硬件
2011-08-11

東芝接口 EMMC DDR
凱悌集團(tuán)推出機(jī)機(jī)頂盒主被動(dòng)解決方案

Alcor Micro 安國(guó)國(guó)際提供機(jī)上盒 STB 設(shè)備 USB Device方案：針對(duì)目前市售之機(jī)上盒STB設(shè)備使用的USB功能有：1、使用隨身碟或記憶卡做影音檔案的儲(chǔ)存或撥放，2、機(jī)上盒設(shè)備之韌體更新，安國(guó)提供自家的解決方案 (USB HU

消費(fèi)電子
2011-08-03

HZ SERIES DISCHARGE DDR
高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計(jì)

摘要：為了滿足高速圖像處理系統(tǒng)中需要高接口帶寬和大容量存儲(chǔ)的目的，采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的設(shè)計(jì)方法，提出一種基于VHDL語(yǔ)言的DDR2-SDRAM控制器的方案，針對(duì)高速圖像處理系統(tǒng)中的具體情況，在Xilinx的ML506開發(fā)

工業(yè)控制
2011-07-22

接口的設(shè)計(jì) 圖像處理系統(tǒng) SDRAM DDR
惠瑞捷V93000 HSM GDDR5解決方案獲南韓大型客戶青睞

張琳一半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷(Verigy)日前宣布其V93000高速記憶體(HSM)平臺(tái)已贏得龐大且領(lǐng)先市場(chǎng)的南韓客戶之新款GDDR5量產(chǎn)測(cè)試業(yè)務(wù)。惠瑞捷V93000 HSM6800是一款為當(dāng)今運(yùn)行速度超過(guò)每接腳4 Gbps GDDR5超快圖像

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2011-07-04

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備 CRC GBPS DDR
力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)　新廠2012年第3季裝機(jī)投產(chǎn)

力成科技積極自內(nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買下茂德廠房以作為實(shí)驗(yàn)工廠后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠也在3月動(dòng)土，預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠以開發(fā)新技術(shù)為主，包括晶

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2011-07-04

內(nèi)存晶圓封裝技術(shù) DDR
臺(tái)積建構(gòu)28納米設(shè)計(jì)系統(tǒng)

臺(tái)積電昨（26）日宣布，已順利在開放創(chuàng)新平臺(tái)，建構(gòu)完成28納米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，同時(shí)客戶采用臺(tái)積開放創(chuàng)新平臺(tái)所規(guī)劃的28納米新產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案（tape out）數(shù)量已達(dá)到89個(gè)。臺(tái)積電也將在美國(guó)加州圣地牙哥舉行的年度設(shè)

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2011-05-27

臺(tái)積電 DAC PD DDR
臺(tái)積電完成28納米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境將于DAC發(fā)表

臺(tái)積電（2330）今日宣布已順利在開放創(chuàng)新平臺(tái)上，建構(gòu)完成28納米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，同時(shí)客戶采用臺(tái)積電開放創(chuàng)新平臺(tái)所規(guī)劃的28納米完成新產(chǎn)品設(shè)計(jì)（tape out）數(shù)量已達(dá)到89個(gè)。臺(tái)積電表示，將于美國(guó)加州圣地牙哥舉行

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2011-05-27

臺(tái)積電 DAC PD DDR
基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

嵌入式軟件
2011-05-22

嵌入式接口設(shè)計(jì) NAND閃存 DDR
基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2011-05-22

嵌入式接口設(shè)計(jì) NAND閃存 DDR
DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對(duì)被測(cè)對(duì)象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則

測(cè)試測(cè)量
2011-05-11

高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) SDRAM BSP DDR
加州大學(xué)學(xué)者宣稱發(fā)現(xiàn)氮化物L(fēng)ED光效下降主因

據(jù)報(bào)道，加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研究院稱他們找到了普通照明使用LED技術(shù)效率低下的根本原因。他們的發(fā)現(xiàn)有助于工程師們開發(fā)新一代的高性能，高效能照明解決方案，從而替代現(xiàn)有的白熾燈及熒光燈。他們深入研究在長(zhǎng)時(shí)間

顯示光電
2011-05-08

LED 光子量子 DDR
DDR測(cè)試技術(shù)與工具

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)

測(cè)試測(cè)量
2011-04-20

測(cè)試技術(shù) 時(shí)序 BSP DDR
DDR測(cè)試技術(shù)與工具

DDR測(cè)試技術(shù)與工具

嵌入式軟件
2011-04-18

測(cè)試技術(shù) 時(shí)序 BSP DDR

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DDR

平臺(tái)ASIC架構(gòu)與傳統(tǒng)ASIC設(shè)計(jì)對(duì)比分析

汽車音響導(dǎo)航系統(tǒng)中DDR高速信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)

基于i.MX51的應(yīng)用處理器開發(fā)評(píng)估方案設(shè)計(jì)

中國(guó)聯(lián)通攜手寶馬共推互聯(lián)駕駛服務(wù)

20nm最強(qiáng)制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

力晶將繼續(xù)擴(kuò)大NAND Flash產(chǎn)能

臺(tái)灣茂德董事長(zhǎng)陳民良表示將放棄DRAM轉(zhuǎn)而生產(chǎn)SDRAM、Mobile RAM等

采用DDR接口東芝推24nm工藝eMMC閃存芯片

凱悌集團(tuán)推出機(jī)機(jī)頂盒主被動(dòng)解決方案

高速圖像處理系統(tǒng)中DDR2-SDRAM接口的設(shè)計(jì)

惠瑞捷V93000 HSM GDDR5解決方案獲南韓大型客戶青睞

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)　新廠2012年第3季裝機(jī)投產(chǎn)

臺(tái)積建構(gòu)28納米設(shè)計(jì)系統(tǒng)

臺(tái)積電完成28納米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境將于DAC發(fā)表

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

加州大學(xué)學(xué)者宣稱發(fā)現(xiàn)氮化物L(fēng)ED光效下降主因

DDR測(cè)試技術(shù)與工具

DDR測(cè)試技術(shù)與工具

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