日系DRAM大廠爾必達(Elpida) 2010會計年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉(zhuǎn)盈,營收960億日圓(約10.66億美元),營業(yè)利益5億日圓,加上日前1Gb容量 DDR2價格沖上2.5美元價位, DRAM廠營運狀況大幅轉(zhuǎn)好,更開始
9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4%最近幾個月來,DRAM價格連連上漲,同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已
日系DRAM制造大廠爾必達(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán),讓瑞晶成為名符其實的日系公司,惟存儲器業(yè)者透露,當(dāng)初力晶因為債務(wù)問題,將瑞晶持股賣給爾必達時,設(shè)下「買回期限」,在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回
日系DRAM制造大廠爾必達(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán),讓瑞晶成為名符其實的日系公司,惟存儲器業(yè)者透露,當(dāng)初力晶因為債務(wù)問題,將瑞晶持股賣給爾必達時,設(shè)下「買回期限」,在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回
趁著DRAM價格直線飆漲之際,全球DRAM廠已展開50奈米微縮大作戰(zhàn),新制程與過去相較最大的不同,就是DRAM將首度導(dǎo)入浸潤式微影(immersion lithography)及銅制程導(dǎo)線(copper interconnect)等兩大新技術(shù)。 由于技
在金融海嘯、全球經(jīng)濟不景氣期間,由劉內(nèi)閣所推出的半導(dǎo)體業(yè)整并計劃,最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當(dāng)局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達合作,引起美商美光公司不悅,狀告美國參議員,聲言這是不公平競爭,將要求美
美林證券最新出爐的報告,茂德股價慘跌,技術(shù)遲遲沒有更新,目前正致力于重整,管理高層表示,內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來制作 1GB,采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(Elpida) 65納米的技術(shù),但是這項協(xié)議還在洽談之中,目前
TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注,然美光(Micron)透過美國政府和WTO施壓,引發(fā)外界認(rèn)為TIMC投資爾必達 (Elpida)的計畫是否會生變?宣明智5日認(rèn)為,此事與TIMC成立規(guī)畫和投資爾必達的計畫之間沒有關(guān)連性,不明
日本PC 存儲芯片企業(yè)爾必達存儲公司(TYO:6665) 表示,因動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格上揚,其下屬的生產(chǎn)公司臺灣瑞晶電子公司已在7-9月扭虧為盈。預(yù)計瑞晶本季度的凈利潤將達到近10億日元,這是瑞晶五個季度以來第一
動態(tài)存儲器(DRAM)需要通過刷新來保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲器刷新過程的電路功耗,設(shè)計一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性,利用電容充放電的結(jié)構(gòu),提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時鐘電路,使存儲器刷新頻率隨電路溫度變化而變化,其趨勢符合動態(tài)存儲器的刷新要求。仿真實驗結(jié)果表明,新的電路在保證DRAM信息得到及時刷新的前提下,有效地降低了其刷新過程中的功耗。
臺灣DRAM大廠南科(2408)宣布8億股現(xiàn)金增資計劃,預(yù)計籌措100億元以上資金,全數(shù)投入50納米制程,以及償還公司債,盡管DRAM現(xiàn)貨價格已站上每顆2美元,時間點來得比預(yù)期早,國內(nèi)DRAM廠暫時度過最艱困的時刻,但三星半