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DDR3時代來臨 封測受惠最大
英特爾將在明年初美國消費性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動DDR3在明年登上市場主流位置。國內外DRAM廠主流產品線已由70奈米DDR2快速轉進50奈米DDR3，隨
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京元電、硅格 爆發(fā)力強
看好明年 封測景氣回溫，京元電明年營收有機會挑戰(zhàn)歷史新高。圖為京元電董事長李金恭。 記者何易霖／攝影 二線封測廠接單熱，京元電（2449）第三季轉盈后，本季業(yè)績持續(xù)向上，明年營收將挑戰(zhàn)2007年的歷史新高
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2010年DRAM制造商資本支出將猛增80%
據(jù)DRAMeXchange的預測，2010年DRAM制造商資本支出總額將達到78.5億美元，較2009年的43億美元增長80%。雖然增長迅猛，但較2007年的214億美元還是有一定差距?！ ?011年和2012年全球DRAM制造商資本支出預算將達到100億
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存儲器價格回溫美光虧損11季后首度獲利
美國存儲器大廠美光(Micron)公布2010會計年度第1季(2009年9~11月)財報，由于存儲器價格回溫，因此在連續(xù)虧損11季之后，終于由虧轉盈。第1季營收為17。4億美元，較2009年度同期成長約24%。凈利為2。04億美元，每股盈余
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PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM現(xiàn)貨價大漲3%
沈寂已久的DRAM價格再度動起來，存儲器廠對于DRAM產業(yè)后市看法相當樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個人計算機(PC)搭載存儲器平均容量成長16%至2。92GB，未來消費性PC機種搭載DRAM容量可望升級至4GB，市場對于
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海力士發(fā)表40納米制程繪圖芯片DRAM
韓國存儲器廠海力士(Hynix)于2009年12月20日發(fā)表40納米制程2GbGDDR5繪圖芯片DRAM，工作頻寬為7Gbps，32位元I/O通道，數(shù)據(jù)處理速率每秒28GB/s，電壓為1。35V。 新推出的GDDR5繪圖DRAM采用海力士40納米制程制造，體積
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好羨慕！臺積電宣布明年起加薪15% 分紅獎金全年獎不完
臺積電董事長張忠謀宣布，2010年起全體員工本薪調漲15%。(巨亨網(wǎng)記者葉小慧攝) 晶圓代工市場競爭激烈，加上分紅制度費用化沖擊，臺積電(TSMC；TSM-US；2330-TW)為鞏固人才誘因，董事長暨執(zhí)行長張忠謀今(21)日宣布，
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報告稱半導體市場今年縮水11％至2260億美元
據(jù)路透社報道，由于全球經(jīng)濟回暖，市場調研機構Gartner于本周四修正了對2009年全球半導體市場的估計。根據(jù)其最新預測，2009年全球半導體市場規(guī)模將縮水11.4%，至2260億美元。而根據(jù)Gartner今年10月份的估計，2009年全
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FormFactor推出全新12吋DRAM晶圓探針卡
全球先進晶圓探針卡供貨商 FormFactor公司宣布針對DRAM市場，推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡SmartMatrix 100探針卡解決方案，以持續(xù)穩(wěn)固龍頭地位，至于競爭對手日商麥克尼克司（MJC）今年也將重振雄風，希望可以重新
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海力士2010年半導體生產開支將增加一倍
據(jù)國外媒體報道，據(jù)《韓國時報》報道，內存芯片廠商海力士半導體計劃在2010年向芯片生產投入大約2.3萬億韓元（約20億美元），比2009年的資本開支增加一倍。 這項開支有1.5萬億韓元（大約13億美元）用于DRAM內存生產
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12月上旬合約價DRAM持平Flash下跌
12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故；而NANDFlash合約價格則反應市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合
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爾必達蠶食臺12寸廠DRAM產能
日系DRAM大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會，說明雙方合作代工細節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達2
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DRAM廠資本支出競賽三星更勝臺廠一籌
臺系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元，且主要支出集中在臺塑集團身上，臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴大投資規(guī)模，然相較于三星電子
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臺“經(jīng)濟部”無力扭轉情勢 DRAM再造方案全面停擺
根據(jù)政府官員表示，日前“立法院”經(jīng)濟委員會通過決議，要求行政院國發(fā)基金不得用于「DRAM產業(yè)再造計畫」一事，經(jīng)過“經(jīng)濟部”一再向立委溝通，確定未獲得立委同意，目前「DRAM產業(yè)再造方案」已面臨全面停擺的情況。
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三星焦點轉向Flash 打算全面稱霸內存市場
內存產業(yè)經(jīng)歷1年冰河期，今年第3季終于春暖花開。更值得注意的是，三星日前宣布30奈米3-bit MLC NAND Flash開始量產，顯示三星關注焦點不再是DRAM，且稱霸內存企圖心十足。 據(jù)臺灣媒體報道，DRAM產業(yè)原已因供過于求
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韓國海力士社長稱，1-3月DRAM銷售跌幅料小于往年水準
韓國海力士半導體(000660。KS：行情)社長金鍾甲周三表示，該公司預期1-3月動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)營收的季度跌幅將小于往年水準。海力士為全球第二大記憶體廠商。 金鍾甲在日本千葉半導體設備貿易展場邊表示，與
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三星焦點轉向Flash 打算全面稱霸內存市場
12月3日消息，內存產業(yè)經(jīng)歷1年冰河期，今年第3季終于春暖花開。更值得注意的是，三星在11月30日晚間宣布，30奈米3-bit MLC NAND Flash開始量產，顯示三星關注焦點不再是DRAM，且稱霸內存企圖心十足。 據(jù)臺灣媒體報
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力晶第4季DRAM產出大躍進季增率挑戰(zhàn)30~40%
臺系DRAM廠為抓準DRAM價格復蘇的時間點，開始大量增加投片量，其中力晶增產的幅度將居冠，傳出第4季位元成長率將較第3季明顯大增30~40%，力晶11月出貨量大幅成長，也將反映在11月營收上，出現(xiàn)大幅度成長；再者，除了
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臺DRAM廠拼增產搶回市占率惟制程進度仍落后
經(jīng)歷上一波DRAM產業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴產找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子(SamsungElectronic
