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三星焦點轉(zhuǎn)向Flash 打算全面稱霸內(nèi)存市場

時間：2009-12-04 08:37:18
關(guān)鍵字： Flash    三星    內(nèi)存市場    DRAM   
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[導讀]12月3日消息，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷1年冰河期，今年第3季終于春暖花開。更值得注意的是，三星在11月30日晚間宣布，30奈米3-bit MLC NAND Flash開始量產(chǎn)，顯示三星關(guān)注焦點不再是DRAM，且稱霸內(nèi)存企圖心十足。 據(jù)臺灣媒體報

12月3日消息，內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷1年冰河期，今年第3季終于春暖花開。更值得注意的是，三星在11月30日晚間宣布，30奈米3-bit MLC NAND Flash開始量產(chǎn)，顯示三星關(guān)注焦點不再是DRAM，且稱霸內(nèi)存企圖心十足。


據(jù)臺灣媒體報道，DRAM產(chǎn)業(yè)原已因供過于求而虧損，去年金融風暴更是雪上加霜，DRAM價格暴跌，DDR2 1Gb eTT最低來到0.59美元，連三星也無可避免陷入虧損，Hynix、爾必達(Elpida)、美光(Micron)極力苦撐，中國臺灣業(yè)者更陷入嚴重現(xiàn)金流出，做一顆賠一顆的窘?jīng)r，只能大幅減產(chǎn)以止血。


德廠奇夢達(Qimonda)終在今(2009)年初申請破產(chǎn)保護，成為整個產(chǎn)業(yè)秩序重整的第一步。


三星從今年第1季扭轉(zhuǎn)虧損步入盈余，開始投注更多精力在技術(shù)研發(fā)，以拉開與競爭對手的差距，今年7月宣布40奈米DDR3進入量產(chǎn)，時值第3季傳統(tǒng)旺季，DRAM價格一路上揚，DDR3的需求更快速增長，合約價隨后更低于DDR2，開啟DRAM世代交換。


三星的策略隨即奏效，今年第3季獲利創(chuàng)下歷史新高紀錄。


此外，還與海力士攜手，讓韓廠全球市占率一舉過半，甚至越走越高。


然而，三星的野心顯然不只是穩(wěn)坐DRAM龍頭，從今年9月宣布開始量產(chǎn)512Mb相位變化隨機存取內(nèi)存芯片(PRAM)，意欲取代NOR Flash后，11月30日正式宣布，開始量產(chǎn)30奈米3-bit MLC NAND Flash，稱霸內(nèi)存市場的企圖心，不言而喻。

來源：賽迪網(wǎng)

作者：manan

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