上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權(quán)后,包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能,已自今年元月起,全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。 由于中芯過去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能,成為國內(nèi)消費性電子產(chǎn)品及家電
DRAM封測廠首季展望樂觀,由于DDR3封測制程改變,代工價格較DDR2增加約20%,加上DDR2封測代工價今年初已調(diào)漲10%,DRAM封測廠首季平均價格(ASP)明顯優(yōu)于去年第4季,加上上游DRAM廠提升投片量,法人預(yù)估福懋科(81
2010年臺DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù),但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上,而在于浸潤式微顯影(ImmersionScanner)機臺設(shè)備采購是否能跟上腳步,近期業(yè)界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨,但目前交期已遞延至4月,南亞科和華
2010年臺DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù),但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上,而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機臺設(shè)備采購是否能跟上腳步,近期業(yè)界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨,但目前交期已遞延至4月,南亞科和華
據(jù)國外媒體報道,三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達成和解協(xié)議,此前所有爭端已得到解決,并且三星還得到了Rambus的授權(quán),以使三星能在其產(chǎn)品上使用Rambus的專利技術(shù)。 在此協(xié)議下,三星將向Rambus初步支付2
半導(dǎo)體測試設(shè)備與解決方案大廠惠瑞捷(Verigy)接橥今年四大發(fā)展目標(biāo),除了計劃提升既有測試機臺的影響力外,惠瑞捷也藉由并購Touchdown取得半導(dǎo)體探針卡(probe card)技術(shù),同時惠瑞捷并計劃在18個月內(nèi)把RF測試的
上海芯片代工廠中芯國際自新任CEO王寧國掌權(quán)后,包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能,已自今年元月起,全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。由于中芯過去兩年以SDRAM填補產(chǎn)能,成為國內(nèi)消費性電子產(chǎn)品及家電市
雖然三星、海力士、美光等3大廠仍未釋出封測訂單委外代工,但占全球DRAM產(chǎn)能逾4成的臺灣DRAM廠及日本爾必達,封測訂單卻是源源不絕釋出,所以臺灣DRAM業(yè)者如力成、華東、福懋科、泰林等,今年來產(chǎn)能利用率維持95%以
DRAM封測大廠力成(6239)已敲定在2月4日舉行法說會,公布去年第四季和全年財報。法人預(yù)期,力成第四季單季毛利率將持續(xù)成長,有機會超過26%,續(xù)優(yōu)于第三季的水平。 隨著半導(dǎo)體景氣持續(xù)復(fù)蘇,帶動內(nèi)存IC封測廠營
全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報,隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫,海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。 2009年第4季海力士營收為2。8兆韓元(約24。7億美元),較第3季大幅成長32%,海力士營收成
嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案
2010年4大DRAM陣營三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納米制程,大舉轉(zhuǎn)換至45納米后,美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。
南亞科將逆勢擴建旗下12寸廠,從現(xiàn)有3萬片擴增至5萬~6萬片,成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后,首家擴產(chǎn)的臺系DRAM廠。值得注意的是,南亞科單月產(chǎn)能(加計華亞科)約9。5萬片,以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬片計算,南亞科擴
據(jù)國外媒體報道,三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達成和解協(xié)議,此前所有爭端已得到解決,并且三星還得到了Rambus的授權(quán),以使三星能在其產(chǎn)品上使用Rambus的專利技術(shù)。 在此協(xié)議下,三星將向Rambus初步支付
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo),海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-KapKim)表示,2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品,同時,海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率,并倍增NANDFlash的產(chǎn)能。 根據(jù)研究機構(gòu)iSup
全球DRAM市場正加速進行世代交替,DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲,DDR2價格卻嚴(yán)重下跌,且累積庫存越來越多,近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略,希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3
全球DRAM市場正加速進行世代交替,DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲,DDR2價格卻嚴(yán)重下跌,且累積庫存越來越多,近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略,希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3
據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo),海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示,2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品,同時,海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率,并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。根據(jù)研究機構(gòu)iSup
DDR2和DDR31月上旬合約價走勢迥異,DDR2合約價大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺系DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和
DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異,DDR2合約價大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶