DRAM

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中芯國(guó)際全面停止DRAM生產(chǎn)

上海芯片代工廠中芯國(guó)際自新任CEO王寧國(guó)掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。由于中芯過(guò)去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能，成為國(guó)內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電

消費(fèi)電子
2010-01-28

DRAM 中芯國(guó)際 SDRAM 電子
福懋科、華東Q1營(yíng)收續(xù)沖

DRAM封測(cè)廠首季展望樂(lè)觀，由于DDR3封測(cè)制程改變，代工價(jià)格較DDR2增加約20％，加上DDR2封測(cè)代工價(jià)今年初已調(diào)漲10％，DRAM封測(cè)廠首季平均價(jià)格（ASP）明顯優(yōu)于去年第4季，加上上游DRAM廠提升投片量，法人預(yù)估福懋科（81

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2010-01-27

東芝爾必達(dá) DDR3 DRAM
機(jī)臺(tái)交期延DRAM廠制程微縮絆腳石

2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(ImmersionScanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華

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2010-01-26

美光爾必達(dá) 制程技術(shù) DRAM
機(jī)臺(tái)交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-01-26

美光爾必達(dá) 制程技術(shù) DRAM
三星與Rambus達(dá)成和解將支付9億美元

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達(dá)成和解協(xié)議，此前所有爭(zhēng)端已得到解決，并且三星還得到了Rambus的授權(quán)，以使三星能在其產(chǎn)品上使用Rambus的專利技術(shù)。在此協(xié)議下，三星將向Rambus初步支付2

消費(fèi)電子
2010-01-26

三星 RAM 隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM
并Touchdown 惠瑞捷探針卡技術(shù)如虎添翼

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備與解決方案大廠惠瑞捷（Verigy）接橥今年四大發(fā)展目標(biāo)，除了計(jì)劃提升既有測(cè)試機(jī)臺(tái)的影響力外，惠瑞捷也藉由并購(gòu)Touchdown取得半導(dǎo)體探針卡（probe card）技術(shù)，同時(shí)惠瑞捷并計(jì)劃在18個(gè)月內(nèi)把RF測(cè)試的

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2010-01-26

測(cè)試機(jī) HD TOUCH DRAM
中芯國(guó)際全面停止DRAM生產(chǎn)

上海芯片代工廠中芯國(guó)際自新任CEO王寧國(guó)掌權(quán)后，包括中芯本身、武漢廠新芯、成都廠成芯等可掌控產(chǎn)能，已自今年元月起，全面停止所有DRAM生產(chǎn)業(yè)務(wù)。由于中芯過(guò)去兩年以SDRAM填補(bǔ)產(chǎn)能，成為國(guó)內(nèi)消費(fèi)性電子產(chǎn)品及家電市

智能硬件
2010-01-25

DRAM 中芯國(guó)際 SDRAM 電子
DRAM忙擴(kuò)產(chǎn) 封測(cè)漲價(jià)在即

雖然三星、海力士、美光等3大廠仍未釋出封測(cè)訂單委外代工，但占全球DRAM產(chǎn)能逾4成的臺(tái)灣DRAM廠及日本爾必達(dá)，封測(cè)訂單卻是源源不絕釋出，所以臺(tái)灣DRAM業(yè)者如力成、華東、福懋科、泰林等，今年來(lái)產(chǎn)能利用率維持95％以

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2010-01-23

美光 GB DDR3 DRAM
力成去年第四季毛利率仍有26%以上

DRAM封測(cè)大廠力成（6239）已敲定在2月4日舉行法說(shuō)會(huì)，公布去年第四季和全年財(cái)報(bào)。法人預(yù)期，力成第四季單季毛利率將持續(xù)成長(zhǎng)，有機(jī)會(huì)超過(guò)26%，續(xù)優(yōu)于第三季的水平。隨著半導(dǎo)體景氣持續(xù)復(fù)蘇，帶動(dòng)內(nèi)存IC封測(cè)廠營(yíng)

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2010-01-23

半導(dǎo)體內(nèi)存 IC DRAM
海力士4Q獲利6，570億韓元?jiǎng)?chuàng)3年新高

全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。 2009年第4季海力士營(yíng)收為2。8兆韓元(約24。7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成

半導(dǎo)體
2010-01-23

計(jì)算機(jī) 海力士 NANDFLASH DRAM
嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

嵌入式教程
2010-01-22

控制器嵌入式系統(tǒng) CPLD DRAM
美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營(yíng)火藥味濃

2010年4大DRAM陣營(yíng)三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場(chǎng)直接拉到40納米世代！繼爾必達(dá)跳過(guò)50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營(yíng)也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。

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2010-01-22

美光爾必達(dá) 40納米 DRAM
南亞科擴(kuò)建12寸廠全球市占挑戰(zhàn)10%

南亞科將逆勢(shì)擴(kuò)建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬(wàn)片擴(kuò)增至5萬(wàn)~6萬(wàn)片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴(kuò)產(chǎn)的臺(tái)系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計(jì)華亞科)約9。5萬(wàn)片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬(wàn)片計(jì)算，南亞科擴(kuò)

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2010-01-22

美光 PID MICRON DRAM
三星與Rambus達(dá)成和解將支付9億美元

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星公司和Rambus公司1月19日宣布雙方已達(dá)成和解協(xié)議，此前所有爭(zhēng)端已得到解決，并且三星還得到了Rambus的授權(quán)，以使三星能在其產(chǎn)品上使用Rambus的專利技術(shù)。在此協(xié)議下，三星將向Rambus初步支付

智能硬件
2010-01-21

三星 RAM 隨機(jī)存儲(chǔ)器 DRAM
海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NANDFlash產(chǎn)能

據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NANDFlash的產(chǎn)能。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSup

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2010-01-20

計(jì)算機(jī) 海力士 NANDFLASH DRAM
DRAM廠祭搭售策略緊急搶救DDR2

全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫(kù)存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買DDR3

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2010-01-20

存儲(chǔ)器 DDR DDR3 DRAM
DRAM廠祭搭售策略　緊急搶救DDR2

全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲，DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫(kù)存越來(lái)越多，近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買DDR3

智能硬件
2010-01-20

存儲(chǔ)器 DDR DDR3 DRAM
海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能

據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSup

智能硬件
2010-01-20

Flash 海力士 NAND DRAM
DDR2乏人問(wèn)津DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

DDR2和DDR31月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和

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2010-01-18

存儲(chǔ)器 DDR DDR3 DRAM
DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶

智能硬件
2010-01-18

存儲(chǔ)器 DDR DDR3 DRAM

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DRAM

中芯國(guó)際全面停止DRAM生產(chǎn)

福懋科、華東Q1營(yíng)收續(xù)沖

機(jī)臺(tái)交期延DRAM廠制程微縮絆腳石

機(jī)臺(tái)交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

三星與Rambus達(dá)成和解將支付9億美元

并Touchdown 惠瑞捷探針卡技術(shù)如虎添翼

中芯國(guó)際全面停止DRAM生產(chǎn)

DRAM忙擴(kuò)產(chǎn) 封測(cè)漲價(jià)在即

力成去年第四季毛利率仍有26%以上

海力士4Q獲利6，570億韓元?jiǎng)?chuàng)3年新高

嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米4大DRAM陣營(yíng)火藥味濃

南亞科擴(kuò)建12寸廠全球市占挑戰(zhàn)10%

三星與Rambus達(dá)成和解將支付9億美元

海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NANDFlash產(chǎn)能

DRAM廠祭搭售策略緊急搶救DDR2

DRAM廠祭搭售策略　緊急搶救DDR2

海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NAND Flash產(chǎn)能

DDR2乏人問(wèn)津DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

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