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韓國FTC：NANDFlash大廠無操控價格
據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國公平貿易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NANDFlash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù)，將結束為期將近3年的調查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關的操控價格調查皆已完成，包括DRA
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ITC判Tessera控侵權敗訴，力成毛利率可望提升
美國封裝專利業(yè)者Tessera控告國內外DRAM業(yè)者侵權案，美國國際貿易委員會（ITC）終判Tessera敗訴，原本有付Tessera權利金的封測廠力成科技（6239）指出，若未來不需要再繳交權利金予Tessera，力成代工價格將更具優(yōu)勢，
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記取DRAM再造失敗教訓臺“經濟部”擬推動“產業(yè)再造法”
臺“經濟部”主導的「DRAM產業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無望，“經濟部”長施顏祥29日首度松口表示，若國發(fā)基金無法投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)，或許可改由民間資金投入。由于產業(yè)經常會遇到再造的需求，“經濟部
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華亞科現(xiàn)金增資案過關
2010年DRAM產業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴大產能，華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資，預計再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團的南亞科合計資
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力成毛利率可望提升
美國封裝專利業(yè)者Tessera控告國內外DRAM業(yè)者侵權案，美國國際貿易委員會（ITC）終判Tessera敗訴，原本有付Tessera權利金的封測廠力成科技（6239）指出，若未來不需要再繳交權利金予Tessera，力成代工價格將更具優(yōu)勢，
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海力士調高資本支出 規(guī)模逼近華亞科
國際DRAM廠相繼傳來調高資本支出的消息，韓國大廠海力士(Hynix)宣布調高2010年資本支出，預估將從1兆韓元調高至1.5兆韓元，相當于12.7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經此一調高
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DDR3注定要奪取DRAM王座
2009年即將結束，DDR2作為DRAM市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3幾年前就已經問世，iSuppli公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。 DDR2還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它
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海力士調高資本支出規(guī)模逼近華亞科
國際DRAM廠相繼傳來調高資本支出的消息，韓國大廠海力士（Hynix）宣布調高2010年資本支出，預估將從1兆韓元調高至1。5兆韓元，相當于12。7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經此一
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臺灣當局續(xù)推DRAM再造研擬產業(yè)再生立法
臺灣“經濟部長”施顏祥29日表示，若“立法院”三讀通過否決“國發(fā)基金”投資DRAM再造，“經濟部”已研擬三個替代方案，包括由民間資金投資、橫向整合、參考日本產業(yè)再生法，建立法制基礎，繼續(xù)推動DRAM產業(yè)的再造。
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DRAM內存芯片2010年將嚴重缺貨廠商受益
由于消費者需求增長，以及企業(yè)進入PC更換周期，2010年下半年DRAM內存將嚴重缺貨。 2009年，DRAM芯片價格在大部分時間內都呈增長趨勢，因為受經濟低迷影響許多廠商都削減了產量，只是在剛剛過去的兩個月內趨于穩(wěn)定。
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基于當代DRAM結構的存儲器控制器設計
1、引言 當代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的帶寬，本文就如何設計一種符合當代DRAM結構的高效存儲器控制器進行研究。 本文第二部分介紹當代D
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NAND閃存芯片價格本月逐步趨于平穩(wěn)
根據(jù)市場調研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計，12月后半個月的MLC NAND閃存芯片價格和前半月相比持平，高密度芯片價格則將下降1-5%。其中，16Gb芯片期貨價格下降2-7%，32Gb芯片價格持平或下降3%，兩種芯片后半個月的平均
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硅晶圓漲 崇越臺勝科樂
半導體硅晶圓價格「漲」聲響起，崇越（5434）已順勢調高售價一成，明年第一季再漲5%，持續(xù)推升獲利；臺勝科 （3532）產線沖上滿載，朝轉盈之路邁進，明年第一季跟進漲價，對明年前三季市況看法樂觀。 全球前兩大半導
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2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺
行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲芯片或將在明年下半年出現(xiàn)供應不足，因消費者需求升溫，且公司將開始進行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預計，明年個人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22。5%至
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三星成臺灣科技業(yè)公敵 前十大科技公司均拼不過
臺灣《商業(yè)周刊》日前撰文稱，三星像糖果也像毒藥，從來沒有一刻像今日，它能夠全面影響臺灣的電子科技股，讓張忠謀、郭臺銘與施崇棠等人，都必須找出一套抗星策略。臺灣前十大科技公司拼不過一家三星電子，三星已成
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DDR3將成主流，后段封測廠設備將跟著升級
全球最大美國消費性電子展CES即將在明年1月7日到10日登場，芯片龍頭廠英特爾將在展中推出新架構Nehalem、Westmere、以筆記計算機為主的Atom系列的處理器及芯片組，并全面支持DDR3，將推升DDR3成為明年度主流產品。由
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2010年下半年內存芯片將會嚴重短缺
據(jù)國外媒體報道，行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認為，隨著消費者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦，計算機內存芯片在明年下半年將可能會短缺。 由于受到經濟衰退影響，內存芯片廠商減少生產能力和資本開支，引起內存芯
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海力士：2010年DRAM供不應求
據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現(xiàn)，將提升資本支出并擴張產能。 海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010
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DRAMeXchange：2010年下半年存儲器芯片供給料出現(xiàn)短缺
行業(yè)研究公司DRAMeXchange稱，電腦存儲芯片或將在明年下半年出現(xiàn)供應不足，因消費者需求升溫，且公司將開始進行推遲了的電腦更新工作。 DRAMeXchange周四預計，明年個人電腦出貨量將增長13%，其中筆記本增長22。5%至
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2010年下半年內存芯片將會嚴重短缺
據(jù)國外媒體報道，行業(yè)跟蹤公司DRAMeXchange認為，隨著消費者需要更多的容量和企業(yè)開始更換電腦，計算機內存芯片在明年下半年將可能會短缺。 由于受到經濟衰退影響，內存芯片廠商減少生產能力和資本開支，引起內存芯
