DDR3時(shí)代來(lái)臨 封測(cè)受惠最大
[導(dǎo)讀]英特爾將在明年初美國(guó)消費(fèi)性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動(dòng)DDR3在明年登上市場(chǎng)主流位置。國(guó)內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3，隨
英特爾將在明年初美國(guó)消費(fèi)性電子展（CES）中，正式推出Nehalem、Westmere、Atom等十余款支持DDR3處理器及芯片組，可望推動(dòng)DDR3在明年登上市場(chǎng)主流位置。國(guó)內(nèi)外DRAM廠主流產(chǎn)品線已由70奈米DDR2快速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3，隨著DDR3封裝制程改變及測(cè)試時(shí)間拉長(zhǎng)，包括力成（6239）、泰林（5466）、福懋科（8131）、華東（8110）等DRAM封測(cè)廠受惠最大，股價(jià)昨日也全部創(chuàng)下今年新高。
英特爾將于CES展中推出高達(dá)17款新處理器，包括45奈米Nehalem、32奈米Westmere、代號(hào)為Pine Trail的Atom處理器等，搭配處理器的芯片組如Ibex Peak、Tiger Point等也會(huì)如期推出。而值得注意之處，是英特爾明年出貨的處理器及芯片組，將會(huì)全面支持DDR3，所以DDR3將成明年DRAM市場(chǎng)主流規(guī)格，DDR2將陸續(xù)退出主流市場(chǎng)。
為了配合市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)向，國(guó)際DRAM廠如三星、海力士、爾必達(dá)、美光等，第3季后已經(jīng)開(kāi)始以50奈米浸潤(rùn)式制程（immersion）量產(chǎn)DDR3，國(guó)內(nèi)DRAM廠雖然進(jìn)度較慢，但包括南亞科、華亞科、力晶、瑞晶等，今年底至少也有3成產(chǎn)能會(huì)轉(zhuǎn)換至DDR3。
上游DRAM廠加速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3世代，后段封測(cè)廠自然跟著轉(zhuǎn)換制程，只不過(guò)跟上一世代的70奈米DDR2產(chǎn)品相比較，DDR3有兩項(xiàng)技術(shù)上的改變，一是微影技術(shù)改為浸潤(rùn)式制程，二是要將鋁制程導(dǎo)線改成低介電（low-k）的銅制程導(dǎo)線。
也因此，DDR3封裝制程將由傳統(tǒng)的60或84植球數(shù)、改為78或96植球數(shù)的閘球數(shù)組封裝（BGA），測(cè)試上也需延長(zhǎng)速度及功能的測(cè)試時(shí)間，此一改變對(duì)封測(cè)廠將十分有利。
封測(cè)業(yè)者表示，DDR3因制程改變，單顆封裝成本將由0.15美元增加到0.25美元，而測(cè)試時(shí)間拉長(zhǎng)至500秒至600秒左右，較DDR2增加約25％至30％，所以單顆測(cè)試成本也由0.2美元增加到0.3美元。整體來(lái)看，封測(cè)成本將由0.35美元增加到0.55美元，增幅高達(dá)6成，有助于提升封測(cè)廠的平均接單價(jià)格（ASP），加上明年第1季封測(cè)代工價(jià)將調(diào)漲，毛利率將會(huì)有十分明顯的提升。
英特爾將于CES展中推出高達(dá)17款新處理器，包括45奈米Nehalem、32奈米Westmere、代號(hào)為Pine Trail的Atom處理器等，搭配處理器的芯片組如Ibex Peak、Tiger Point等也會(huì)如期推出。而值得注意之處，是英特爾明年出貨的處理器及芯片組，將會(huì)全面支持DDR3，所以DDR3將成明年DRAM市場(chǎng)主流規(guī)格，DDR2將陸續(xù)退出主流市場(chǎng)。
為了配合市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)向，國(guó)際DRAM廠如三星、海力士、爾必達(dá)、美光等，第3季后已經(jīng)開(kāi)始以50奈米浸潤(rùn)式制程（immersion）量產(chǎn)DDR3，國(guó)內(nèi)DRAM廠雖然進(jìn)度較慢，但包括南亞科、華亞科、力晶、瑞晶等，今年底至少也有3成產(chǎn)能會(huì)轉(zhuǎn)換至DDR3。
上游DRAM廠加速轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米DDR3世代，后段封測(cè)廠自然跟著轉(zhuǎn)換制程，只不過(guò)跟上一世代的70奈米DDR2產(chǎn)品相比較，DDR3有兩項(xiàng)技術(shù)上的改變，一是微影技術(shù)改為浸潤(rùn)式制程，二是要將鋁制程導(dǎo)線改成低介電（low-k）的銅制程導(dǎo)線。
也因此，DDR3封裝制程將由傳統(tǒng)的60或84植球數(shù)、改為78或96植球數(shù)的閘球數(shù)組封裝（BGA），測(cè)試上也需延長(zhǎng)速度及功能的測(cè)試時(shí)間，此一改變對(duì)封測(cè)廠將十分有利。
封測(cè)業(yè)者表示，DDR3因制程改變，單顆封裝成本將由0.15美元增加到0.25美元，而測(cè)試時(shí)間拉長(zhǎng)至500秒至600秒左右，較DDR2增加約25％至30％，所以單顆測(cè)試成本也由0.2美元增加到0.3美元。整體來(lái)看，封測(cè)成本將由0.35美元增加到0.55美元，增幅高達(dá)6成，有助于提升封測(cè)廠的平均接單價(jià)格（ASP），加上明年第1季封測(cè)代工價(jià)將調(diào)漲，毛利率將會(huì)有十分明顯的提升。
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