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三星半導體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元
三星電子(Samsung Electronics)半導體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。
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IC資本支出依然謹慎 供應收緊價格上漲
分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場供應收緊，價格可能隨之上漲，但可能會發(fā)生其他不可預料的結果。IC Insights總裁Bill McClean稱，今年半導體資本支出在銷售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)
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四大DRAM廠現(xiàn)金正流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線
DRAM價格漲不停，1Gb容量DDR2價格直逼2美元，苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子
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股價反應半導體行業(yè)趨勢向好
主要電子指數(shù)8月走勢各異：09年6月份，費城半導體指數(shù)上漲1.47%，道瓊斯指數(shù)上漲3.54%，臺灣的電子零組件指數(shù)上漲2.15%，臺灣加權指數(shù)下跌3.56%，大陸的Csrc電子行業(yè)指數(shù)則大跌17.55%，滬深300指數(shù)大跌24.22%。行業(yè)數(shù)
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4大DRAM廠現(xiàn)金流入 華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線
DRAM價格漲不停，1Gb容量DDR2價格直逼2美元，苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子
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資本支出爆新低恐導致IC供應吃緊價格上揚
市場分析師指出，創(chuàng)下歷史新低紀錄的芯片制造商資本支出水平，將導致市場供給吃緊以及IC平均銷售價格(ASP)的上揚，以及一些不可預知的衍生性后果。 根據(jù)市場研究機構ICInsights總裁BillMcClean的預測，今年半導體業(yè)
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南亞科技將在10月將內存芯片價格提高20%
據(jù)彭博社報道，臺灣最大的電腦內存芯片制造公司南亞科技日前表示，因為原材料供應緊缺，公司將于10月上半月將內存芯片價格提高20%。此前公司在9月18日剛剛宣布將價格上調10%。南亞科技發(fā)言人白培霖（Pai Pei-lin）在
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分析：全球IC市場進入V形反彈上升階段
市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、MP
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IBM制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片
IBM宣布已制成32nm SOI嵌入式DRAM測試芯片，并稱該芯片是半導體業(yè)界面積最小、密度最高、速度最快的片上動態(tài)存儲器。IBM表示，使用SOI技術可使芯片性能提高30%，功耗降低40%。IBM還表示，基于SOI技術的嵌入式DRAM每個
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DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊
2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際，各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢，DDR2飽受冷板凳之苦許久，然現(xiàn)在風水輪流轉，DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故，市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪，DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢
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全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年
市場研究公司IC Insights表示，今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%，其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康，這說明產(chǎn)業(yè)已調頭撞向V形反彈的上升階段。 從今年1月到7月，IC市場銷售額增長了43%，DRAM、
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三星電子半導體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元大關
三星電子(Samsung Electronics)半導體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關業(yè)者表示，三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間，且可能超越上述區(qū)間。
