全球DRAM廠持續(xù)減產(chǎn),以減少虧損及資金流出,并放緩制程技術(shù)推進(jìn)時(shí)程;集邦科技預(yù)期,今年全球DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出約54億美元,年減56%。集邦科技表示,50納米制程技術(shù)每片晶圓顆粒產(chǎn)出量可望較60納米制程增加40%至50%,
臺塑集團(tuán)旗下南科董事長吳嘉昭近日表示,臺塑集團(tuán)會在DRAM領(lǐng)域堅(jiān)持走下去,而美光技術(shù)在當(dāng)下是「上選」,如果政府不幫忙,南科和華亞科也會自強(qiáng),將辦理增資,改善財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。吳嘉昭指出,南科在DRAM制程技術(shù)研發(fā)說可
臺灣地區(qū)“經(jīng)濟(jì)部”及TMC(臺灣內(nèi)存公司)欲一舉整合美、日、臺DRAM產(chǎn)業(yè),共同對抗韓國,但此愿景目前已宣告落空。據(jù)《蘋果日報(bào)》報(bào)導(dǎo),美光 (Micron)合作伙伴華亞科總經(jīng)理高啟全證實(shí),美光已向TMC籌備召集人宣明智表明
DRAM整并計(jì)劃出現(xiàn)戲劇化發(fā)展,臺塑集團(tuán)宣布,美光將全面移轉(zhuǎn)技術(shù)給臺塑集團(tuán)旗下的華亞科、南亞科兩家DRAM廠,并公開表示不加入臺灣內(nèi)存公司(TMC)。 美光和臺塑集團(tuán)聯(lián)姻,徹底打亂了“經(jīng)濟(jì)部”成立TMC,意圖整并國
4月上旬DRAM合約價(jià)再度持平,這已是DRAM合約價(jià)連續(xù)10周幾乎是紋風(fēng)不動(dòng),近期DRAM廠和PCOEM大廠拉鋸戰(zhàn)升溫至最高點(diǎn),由于全球DRAM價(jià)格持續(xù)低于現(xiàn)金成本,以全球每1季DDR2產(chǎn)出18億顆、每顆平均成本1.8~1.9美元計(jì)算,過
韓國DRAM廠三星、海力士傳出擬調(diào)漲4月DRAM合約價(jià),臺灣南科日前表示,近期減產(chǎn)效應(yīng)明顯出現(xiàn),加上市場需求大幅增加,已向客戶端提出希望4月上旬合約價(jià)調(diào)漲15%到20%,實(shí)際調(diào)漲多少還未定。海力士傳出調(diào)漲DRAM合約價(jià)10
受到芯片價(jià)格下滑影響,美國存儲器大廠美光科技本會計(jì)年度第二季財(cái)報(bào),出現(xiàn)連9季虧損,但虧損幅度已縮小。針對近期沸沸揚(yáng)揚(yáng)的加盟TMC傳言,美光執(zhí)行長Steve Appleton日前直言,目前看不出有加入TMC的理由,他強(qiáng)調(diào)TMC
美光科技股份有限公司宣布,Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的DRAM和NAND創(chuàng)新作為其第八屆Insight年度大獎(jiǎng)的獲勝者。美光公司的32Gb、34納米的NAND閃存獲得“最具創(chuàng)新性工藝技術(shù)”獎(jiǎng),其1Gb、50納米
受到芯片價(jià)格下滑影響,美國存儲器大廠美光科技本會計(jì)年度第二季財(cái)報(bào),出現(xiàn)連9季虧損,但虧損幅度已縮小。針對近期沸沸揚(yáng)揚(yáng)的加盟TMC傳言,美光執(zhí)行長Steve Appleton日前直言,目前看不出有加入TMC的理由,他強(qiáng)調(diào)TMC
由于臺積電包括手機(jī)、無線、繪圖與FPGA(Field Programmable Gate Array)等4大主要芯片客戶,全數(shù)增加第2季訂單量,使得臺積電凍結(jié)已久的設(shè)備采購規(guī)畫,終于在近日解凍!臺積電近期大手筆耗資逾新臺幣50億元,向設(shè)備原
全球DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)了長達(dá)兩年的景氣寒冬,大部分的DRAM廠面臨了現(xiàn)金吃緊與短期負(fù)債償還的問題,在現(xiàn)金壓力之下,集邦科技預(yù)估由于部份DRAM廠商直到年底產(chǎn)能率用率都將維持低于50%,因此2009年的位成長率將僅只有2.43%
三星電子預(yù)期全球存儲芯片市場經(jīng)過去年大幅減產(chǎn)後,將出現(xiàn)供應(yīng)短缺。這呼應(yīng)了認(rèn)為這個(gè)受創(chuàng)產(chǎn)業(yè)不久將出現(xiàn)反轉(zhuǎn)的部份產(chǎn)業(yè)觀察家看法。三星存儲行銷業(yè)務(wù)美國副總裁艾利奧特(Jim Elliott)表示,他預(yù)期NAND快閃存儲(閃存
韓國三星電子宣布,已經(jīng)開始供貨配備了采用50nm工藝技術(shù)的DDR3方式2Gbit DRAM的DRAM模塊。共備有16GB的RIMM(Registered Inline Memory Module)和8GB的RDIMM(Registered Dual Inline Memory Module)等18款產(chǎn)品。主要面