2007年臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體資本支出將居于前列

今年臺(tái)灣地區(qū)廠商的半導(dǎo)體資本支出將提高40億美元，達(dá)到130億美元?！皬恼w產(chǎn)業(yè)來(lái)看，我們預(yù)測(cè)今年資本支出將增長(zhǎng)5%?！盨MA的總裁GeorgeBurns在報(bào)告中表示?！皫缀跛性鲩L(zhǎng)都發(fā)生在臺(tái)灣地區(qū)。” SMA預(yù)測(cè)，中國(guó)大陸和

集邦：廠商釋出庫(kù)存 DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格下跌

集邦：廠商釋出庫(kù)存 DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格下跌

根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)所發(fā)表的最新內(nèi)存市場(chǎng)報(bào)告指出，上周DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)受到三星停電事件影響而短暫走高，但后續(xù)追價(jià)力道不強(qiáng)，使得部份庫(kù)存較多的分銷商反手殺出手中的庫(kù)存。集邦表示，DDR2 eTT報(bào)價(jià)在上周五(1

海力士DRAM產(chǎn)品獲ISi的Z-RAM存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)

海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi的Z-RAM存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)

美國(guó)加州圣克拉拉市和韓國(guó)利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存儲(chǔ)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)開(kāi)發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士(Hynix)半導(dǎo)體有限公司（韓國(guó)證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)

SEMI預(yù)測(cè)：08年底300mm晶圓生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍

SEMI發(fā)布預(yù)測(cè)認(rèn)為，盡管內(nèi)存價(jià)格急劇下跌，但今后對(duì)300mm晶圓生產(chǎn)設(shè)施的投資仍將持續(xù)。08年底，全球300mm晶圓的生產(chǎn)能力將增至07年初的2倍。SEMI認(rèn)為，產(chǎn)能擴(kuò)大的原因是增加了25家新開(kāi)工的300mm晶圓半導(dǎo)體工廠。

新興存儲(chǔ)技術(shù)突破多 大規(guī)模商用待考

歐洲半導(dǎo)體市場(chǎng)六月份銷售情況喜憂參半

主要DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商Q2收入大幅下降

主要DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)商Q2收入大幅下降

iSuppli：金士頓居全球DRAM供應(yīng)商排行之首

蘋(píng)果占NAND閃存市場(chǎng)1/4 供應(yīng)短缺刺激價(jià)格上漲

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)成長(zhǎng) 亞洲產(chǎn)業(yè)角色吃重