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海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi的Z-RAM存儲技術(shù)授權(quán)

時間：2007-08-14 14:39:34

關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體存儲技術(shù) 海力士

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[導(dǎo)讀]美國加州圣克拉拉市和韓國利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存儲知識產(chǎn)權(quán)(IP)開發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士(Hynix)半導(dǎo)體有限公司（韓國證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)

美國加州圣克拉拉市和韓國利川——2007年8月13日——Z-RAM® 高密度存儲知識產(chǎn)權(quán)(IP)開發(fā)商Innovative Silicon Inc（ISi），與海力士(Hynix)半導(dǎo)體有限公司（韓國證券期貨交易所：HynixSemi）今日宣布：海力士已經(jīng)同意在其動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來替代多個晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元實現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優(yōu)勢，兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開發(fā)該項目。

Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動芯片組、微處理器、網(wǎng)絡(luò)和其他消費應(yīng)用。2005年12月AMD首次獲得該項技術(shù)授權(quán)，將這項技術(shù)應(yīng)用于微處理器設(shè)計。目前此次與Hynix的合作，使Z-RAM成為超過300億美元的存儲器市場中成本最低的存儲器技術(shù)。

“ Z-RAM保證提供一種在納米工藝上制造高密度DRAM的最佳方法，” 海力士研發(fā)部副總裁Sung-Joo Hong說?！耙訧Si的 Z-RAM創(chuàng)新為基礎(chǔ)，我們看到了開創(chuàng)全新產(chǎn)品平臺的潛力，這將幫助我們繼續(xù)保持和擴展在存儲器市場中所處的領(lǐng)先地位?！?BR>
“ 海力士決定與ISi的合作是對我們Z-RAM存儲技術(shù)的實力和商業(yè)效益的進一步肯定，尤其是海力士是存儲器芯片市場的主導(dǎo)者，它的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于多種電子設(shè)備中，如個人電腦、服務(wù)器、工作站、顯卡以及手持設(shè)備，如手機、MP3播放器和數(shù)碼相機等，”ISi首席執(zhí)行官Mark-Eric Jones說?！安捎肐Si的Z-RAM技術(shù)制成的存儲器芯片尺寸更小，成本更低。我們期待著與海力士在下一代DRAM芯片中的合作，從而為最終用戶帶來極大的性能和可用性方面的優(yōu)勢?！?BR>
ISi營銷副總裁Jeff Lewis說：“我們相信這是ISi和Hynix的重要里程碑。Z-RAM將對DRAM的設(shè)計和制造產(chǎn)生深遠影響。由于2006年DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品銷售超過330億美元，這樣的發(fā)展將顯著地影響到整個電子行業(yè)?！?BR>
ISi的Z-RAM與目前標準DRAM和SRAM（靜態(tài)存儲器）方案不同，因為其單晶體管(1T)位單元結(jié)構(gòu)是全球最小的存儲單元，這使其成為全世界密度最高、成本最低的半導(dǎo)體存儲方案。通過采用絕緣體上硅結(jié)構(gòu)(SOI)晶圓，Z-RAM的單晶體管存儲位單元可利用電路制造中發(fā)現(xiàn)的浮體效應(yīng)(FBE）而變成現(xiàn)實。此外，因為Z-RAM是利用了SOI自然產(chǎn)生的效應(yīng)，在存儲位單元內(nèi)無須通過改變外在工藝來構(gòu)建電容或其它復(fù)雜結(jié)構(gòu)。

關(guān)于Innovative Silicon

Innovative Silicon Inc.(ISi)是為需要低功耗、高密度和高速度的嵌入式單芯片系統(tǒng)(SoC,）、微處理器（MPU）以及便攜式消費應(yīng)用提供超高密度存儲知識產(chǎn)權(quán)（IP）的公司。2007年1月，其技術(shù)被IEEE Spectrum雜志評選為優(yōu)勝半導(dǎo)體技術(shù)；并在2007年4月又獲得了ACE新興技術(shù)獎。ISi的 Z-RAM® 存儲技術(shù)可為嵌入式DRAM提供多達兩倍的密度，是嵌入式SRAM密度的五倍。公司于2003年完成了第一輪風(fēng)險投資融資，并于2004年完成其第一個90nm制程兆位 Z-RAM存儲器設(shè)計，2005年完成其第一個65nm設(shè)計，2006年完成第一個45nm設(shè)計。通過擁有20多項已頒布專利，Z-RAM® 獨特的單晶體管結(jié)構(gòu)是世界上成本最低的半導(dǎo)體存儲器方案。公司在美國成立，并在瑞士洛桑設(shè)立了研發(fā)中心。

關(guān)于海力士(Hynix)半導(dǎo)體有限公司

總部位于韓國利川的海力士半導(dǎo)體有限公司 (HSI)，是世界頂級存儲器半導(dǎo)體供應(yīng)商，公司為許多成功的國際客戶提供動態(tài)隨機存儲器(DRAMs)芯片和閃爍存儲器芯片。公司股票在韓國證券交易所交易，全球存托股票在盧森堡證券交易所上市。

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