IGBT以其輸入阻抗高,開(kāi)關(guān)速度快,通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件,但在它的使用過(guò)程中,精確測(cè)量導(dǎo)通延遲時(shí)間,目前還存在不少困難。在介紹時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上,利用其優(yōu)良的特性,設(shè)計(jì)一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的測(cè)量系統(tǒng),所測(cè)時(shí)間間隔通過(guò)液晶顯示器直接讀取,是一套較為理想的測(cè)量方案。
IGBT以其輸入阻抗高,開(kāi)關(guān)速度快,通態(tài)壓降低等特性已成為當(dāng)今功率半導(dǎo)體器件的主流器件,但在它的使用過(guò)程中,精確測(cè)量導(dǎo)通延遲時(shí)間,目前還存在不少困難。在介紹時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2的主要功能和特性的基礎(chǔ)上,利用其優(yōu)良的特性,設(shè)計(jì)一套高精度的IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間的測(cè)量系統(tǒng),所測(cè)時(shí)間間隔通過(guò)液晶顯示器直接讀取,是一套較為理想的測(cè)量方案。
經(jīng)歷了一段時(shí)間的市場(chǎng)低迷之后,功率器件市場(chǎng)率先開(kāi)始復(fù)蘇,市場(chǎng)重現(xiàn)久違的火爆景象。就眼下飛兆的IGBT市場(chǎng)來(lái)看,大功率IGBT嚴(yán)重缺貨,例如該公司的SGL160N60UFDTU已經(jīng)由當(dāng)初26元人民幣的價(jià)格,推高至30多元人民幣,
工信部近日透露,1-7月電子制造業(yè)工業(yè)增加值增長(zhǎng)0.8%,落后于所有工業(yè)行業(yè)。由于全球經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)速度放緩,市場(chǎng)總體需求萎縮,電子制造業(yè)受到嚴(yán)重沖擊。雖然目前電子制造行業(yè)出現(xiàn)一些回暖跡象,但是經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響尚未消
從普通串級(jí)調(diào)速原理入手,簡(jiǎn)要分析影響串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對(duì)三相四線(xiàn)雙晶閘管串級(jí)調(diào)速、新型GTO串級(jí)調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上,提出了一種新型三相四線(xiàn)制雙IGBT串級(jí)調(diào)速控制方案。
從普通串級(jí)調(diào)速原理入手,簡(jiǎn)要分析影響串級(jí)調(diào)速系統(tǒng)功率因數(shù)的主要因素。對(duì)三相四線(xiàn)雙晶閘管串級(jí)調(diào)速、新型GTO串級(jí)調(diào)速等高功率方案分析與比較的基礎(chǔ)上,提出了一種新型三相四線(xiàn)制雙IGBT串級(jí)調(diào)速控制方案。
死了都要賣(mài)仙童,不賣(mài)到最好不痛快—— 歌曲《死了都要愛(ài)》松下問(wèn)仙童,言師賣(mài)IGBT去,只知在飛捷,云深不只去 —— 賈島的《尋隱者不遇》 Panasonic ask fairchild ,,Where are Simon,Fairchild said 'Simon sel
經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子:技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司,你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊(cè)于2008年7月的“530”企業(yè),一期工廠已開(kāi)始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
IGBT綜述 1.1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn) IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器