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IGBT

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  • IGBT基礎(chǔ)知識：器件結(jié)構(gòu)、損耗計算、并聯(lián)設計、可靠性

    絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)是電力電子領(lǐng)域廣泛應用的半導體器件，融合了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的優(yōu)點，兼具高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。盡管SiC和GaN等寬禁帶半導體的應用愈發(fā)廣泛，但在這些新技術(shù)興起前，IGBT已憑借高效、高可靠性的優(yōu)勢，成為許多高功率應用的理想選擇，至今仍適配多種應用場景。

  • 一文教你MOS管和IGBT的區(qū)別

    在電力電子領(lǐng)域，MOS管(金屬氧化物半導體場效應晶體管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為兩大核心功率器件，各自在電路中扮演著不可替代的角色。

  • 絕緣柵雙極型晶體管兼有哪些優(yōu)點

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

  • 一文深入詳解IGBT開關(guān)過程

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，憑借其高輸入阻抗、低導通損耗和快速開關(guān)能力，廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)變頻、可再生能源等領(lǐng)域。其開關(guān)過程直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。

  • 長距離出行需求下的功率器件革命

    在全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)向 “長續(xù)航、快充電、高效率” 轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導體作為電能轉(zhuǎn)換的核心部件，直接決定車輛續(xù)航里程與能源利用效率。傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件因?qū)〒p耗高、耐高溫性差等局限，已難以滿足超長距離電動汽車(續(xù)航目標 600km+)的技術(shù)需求。碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導體材料，憑借其卓越的電學特性，成為破解長距離出行痛點的關(guān)鍵技術(shù)，其有效實施正在重塑電動汽車功率系統(tǒng)的設計邏輯。

  • 功率循環(huán)測試：賦能車用 IGBT 性能躍升的關(guān)鍵引擎

    在新能源汽車向高續(xù)航、高功率、高安全性邁進的過程中，車用 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子系統(tǒng)的 “心臟”，其性能直接決定了整車的動力輸出、能源效率與運行可靠性。然而，車用 IGBT 長期處于高低溫交替、電流沖擊頻繁的嚴苛工況下，極易出現(xiàn)封裝老化、熱疲勞失效等問題。在此背景下，功率循環(huán)測試作為模擬實際工況、暴露潛在缺陷、優(yōu)化產(chǎn)品設計的核心手段，正成為推動車用 IGBT 性能持續(xù)提升的關(guān)鍵支撐。

  • 光電耦合器在隔離 IGBT 模塊中的應用

    在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)憑借其卓越的性能，如高耐壓、大電流處理能力、低導通電阻以及良好的開關(guān)速度，被廣泛應用于眾多高功率應用場景，像工業(yè)逆變器、電機驅(qū)動系統(tǒng)、開關(guān)電源、不間斷電源(UPS)等。在這些應用中，IGBT 模塊的可靠運行至關(guān)重要，而光電耦合器作為 IGBT 驅(qū)動電路中的關(guān)鍵組成部分，發(fā)揮著不可或缺的作用。

  • IGBT 晶圓在 1200V 光伏逆變器領(lǐng)域中的應用

    在全球積極推動清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下，太陽能作為一種可持續(xù)且豐富的能源，其在能源結(jié)構(gòu)中的占比日益提升。光伏逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部件，承擔著將光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電并接入電網(wǎng)的關(guān)鍵任務。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)晶圓在 1200V 光伏逆變器領(lǐng)域發(fā)揮著舉足輕重的作用，對逆變器的性能、效率和可靠性有著深遠影響。深入剖析 IGBT 晶圓在這一領(lǐng)域的應用，對于推動光伏產(chǎn)業(yè)的高效發(fā)展意義重大。

  • IGBT開通時間與關(guān)斷時間的工作特性介紹

    IGBT是一個發(fā)熱源，其導通與關(guān)斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會越多。而IGBT的開通與關(guān)斷并不是瞬間完成的，有開通時間與關(guān)斷時間。

  • IGBT模塊驅(qū)動電路設計：門極電阻與鉗位二極管的參數(shù)優(yōu)化

    在功率電子系統(tǒng)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊的驅(qū)動電路設計直接影響開關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）和器件可靠性。門極電阻（Rg）與鉗位二極管（Dclamp）作為驅(qū)動電路的核心元件，其參數(shù)優(yōu)化需平衡開關(guān)速度、電壓尖峰抑制與熱穩(wěn)定性。本文從IGBT的開關(guān)特性出發(fā)，系統(tǒng)解析Rg與Dclamp的協(xié)同優(yōu)化策略，為工程師提供可量化的設計指南。

  • iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領(lǐng)先的性能指標

    美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。

  • 奇瑞-羅姆供應鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日：攜手譜寫汽車電子技術(shù)新篇章

    中國上海，2025年7月8日——全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，與中國知名OEM廠商奇瑞汽車股份有限公司（以下簡稱“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日”圓滿落幕。奇瑞汽車股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、羅姆高級執(zhí)行官 阪井 正樹等多位高層領(lǐng)導出席本次活動。雙方技術(shù)專家及供應鏈核心伙伴齊聚一堂，共話汽車電子前沿技術(shù)，致力于為未來智慧出行注入強勁創(chuàng)新動力。

    ROHM
    2025-07-08
    汽車電子 SiC IGBT

  • 什么是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型晶體管？

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件。

  • IGBT 主導新能源汽車上半場，SiC 提速上車劍指新周期

    在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻?；仡欉^往，IGBT 主導了新能源汽車的上半場，而如今，SiC 正加速上車，開啟新的發(fā)展周期。

  • 英飛凌推出用于電動汽車的新一代高功率節(jié)能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片

    【2025年6月18日, 德國慕尼黑訊】隨著純電動汽車(BEV)和插電式混合動力電動汽車(PHEV)銷量的快速增長，電動汽車市場的發(fā)展在不斷加速。預計到 2030 年，電動汽車的生產(chǎn)比例將實現(xiàn)兩位數(shù)增長，從2024年的20%增長至45%左右 [1]。為滿足對高壓汽車IGBT芯片日益增長的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設計的 EDT3(第三代電力傳動系統(tǒng))芯片，以及為 800 V 系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產(chǎn)品能夠提高電力傳動系統(tǒng)的性能，尤其適用于汽車應用。

  • 揭曉IGBT的開關(guān)頻率上限

    IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

  • 可控硅和igbt有什么區(qū)別？選擇可控硅模塊需要考慮什么

    在這篇文章中，小編將對可控硅的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。

  • 三十載精“芯”“質(zhì)”造，英飛凌無錫打造綠色智能工廠典范

    【2025年3月31日, 中國上海訊】三十載精“芯”“質(zhì)”造，闊步新征程。日前，英飛凌無錫工廠迎來了在華運營三十周年的里程碑。歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一，生產(chǎn)的產(chǎn)品廣泛應用于當前快速發(fā)展的電動汽車、新能源、消費電子、工業(yè)等多個領(lǐng)域，助力產(chǎn)業(yè)向智能化、綠色化方向發(fā)展。

  • TDK針對500 V系統(tǒng)推出更緊湊的柵極驅(qū)動變壓器

    TDK株式會社(東京證券交易所代碼：6762)新近推出愛普科斯 (EPCOS) EP9系列變壓器(訂購代碼：B82804E)。相比于專為IGBT及FET柵極驅(qū)動電路而設計現(xiàn)有E10EM系列表面貼裝變壓器，新系列元件尺寸更為緊湊，且優(yōu)異性能可滿足500 V系統(tǒng)電壓的嚴苛汽車及工業(yè)應用要求，同時具備絕緣性能好、耦合電容超低和耐熱性強的特點。該新系列產(chǎn)品迎合了TDK積極推動綠色轉(zhuǎn)型，邁向更加電氣化和可持續(xù)未來的理念。

  • IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應用中提供更高能效

    制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅(qū)動。

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