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IGBT

我要報(bào)錯(cuò)

  • 氮化鎵“攻入”汽車(chē)主驅(qū)深水區(qū)：VisIC如何用D型技術(shù)顛覆SiC的行業(yè)共識(shí)？

    在第三代半導(dǎo)體的版圖中，行業(yè)似乎早已形成了一種“默契共識(shí)”——碳化硅（SiC）主導(dǎo)電動(dòng)汽車(chē)高壓主驅(qū)，氮化鎵（GaN）則局限于消費(fèi)快充與車(chē)載OBC等輔助電源領(lǐng)域——牽引逆變器，是SiC的絕對(duì)專(zhuān)屬領(lǐng)地。然而，VisIC的GaN將會(huì)改寫(xiě)這一格局，在80-350kW的大功率主驅(qū)逆變器中，氮化鎵不僅能做高壓，而且在效率、可靠性與系統(tǒng)成本上，正展現(xiàn)出超越碳化硅的巨大潛力。

  • IGBT基礎(chǔ)知識(shí)：器件結(jié)構(gòu)、損耗計(jì)算、并聯(lián)設(shè)計(jì)、可靠性

    絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)是電力電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，融合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn)，兼具高輸入阻抗和低導(dǎo)通電壓降的特點(diǎn)。盡管SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用愈發(fā)廣泛，但在這些新技術(shù)興起前，IGBT已憑借高效、高可靠性的優(yōu)勢(shì)，成為許多高功率應(yīng)用的理想選擇，至今仍適配多種應(yīng)用場(chǎng)景。

  • 一文教你MOS管和IGBT的區(qū)別

    在電力電子領(lǐng)域，MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為兩大核心功率器件，各自在電路中扮演著不可替代的角色。

  • 絕緣柵雙極型晶體管兼有哪些優(yōu)點(diǎn)

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

  • 一文深入詳解IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，憑借其高輸入阻抗、低導(dǎo)通損耗和快速開(kāi)關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)變頻、可再生能源等領(lǐng)域。其開(kāi)關(guān)過(guò)程直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。

  • 長(zhǎng)距離出行需求下的功率器件革命

    在全球新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向 “長(zhǎng)續(xù)航、快充電、高效率” 轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換的核心部件，直接決定車(chē)輛續(xù)航里程與能源利用效率。傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件因?qū)〒p耗高、耐高溫性差等局限，已難以滿(mǎn)足超長(zhǎng)距離電動(dòng)汽車(chē)(續(xù)航目標(biāo) 600km+)的技術(shù)需求。碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，憑借其卓越的電學(xué)特性，成為破解長(zhǎng)距離出行痛點(diǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，其有效實(shí)施正在重塑電動(dòng)汽車(chē)功率系統(tǒng)的設(shè)計(jì)邏輯。

  • 功率循環(huán)測(cè)試：賦能車(chē)用 IGBT 性能躍升的關(guān)鍵引擎

    在新能源汽車(chē)向高續(xù)航、高功率、高安全性邁進(jìn)的過(guò)程中，車(chē)用 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為電力電子系統(tǒng)的 “心臟”，其性能直接決定了整車(chē)的動(dòng)力輸出、能源效率與運(yùn)行可靠性。然而，車(chē)用 IGBT 長(zhǎng)期處于高低溫交替、電流沖擊頻繁的嚴(yán)苛工況下，極易出現(xiàn)封裝老化、熱疲勞失效等問(wèn)題。在此背景下，功率循環(huán)測(cè)試作為模擬實(shí)際工況、暴露潛在缺陷、優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)的核心手段，正成為推動(dòng)車(chē)用 IGBT 性能持續(xù)提升的關(guān)鍵支撐。

  • 光電耦合器在隔離 IGBT 模塊中的應(yīng)用

    在現(xiàn)代電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)憑借其卓越的性能，如高耐壓、大電流處理能力、低導(dǎo)通電阻以及良好的開(kāi)關(guān)速度，被廣泛應(yīng)用于眾多高功率應(yīng)用場(chǎng)景，像工業(yè)逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源(UPS)等。在這些應(yīng)用中，IGBT 模塊的可靠運(yùn)行至關(guān)重要，而光電耦合器作為 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路中的關(guān)鍵組成部分，發(fā)揮著不可或缺的作用。

  • IGBT 晶圓在 1200V 光伏逆變器領(lǐng)域中的應(yīng)用

    在全球積極推動(dòng)清潔能源轉(zhuǎn)型的大背景下，太陽(yáng)能作為一種可持續(xù)且豐富的能源，其在能源結(jié)構(gòu)中的占比日益提升。光伏逆變器作為光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心部件，承擔(dān)著將光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電并接入電網(wǎng)的關(guān)鍵任務(wù)。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)晶圓在 1200V 光伏逆變器領(lǐng)域發(fā)揮著舉足輕重的作用，對(duì)逆變器的性能、效率和可靠性有著深遠(yuǎn)影響。深入剖析 IGBT 晶圓在這一領(lǐng)域的應(yīng)用，對(duì)于推動(dòng)光伏產(chǎn)業(yè)的高效發(fā)展意義重大。

  • IGBT開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間的工作特性介紹

    IGBT是一個(gè)發(fā)熱源，其導(dǎo)通與關(guān)斷都需要損耗，損耗越大，發(fā)熱量自然就會(huì)越多。而IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷并不是瞬間完成的，有開(kāi)通時(shí)間與關(guān)斷時(shí)間。

  • IGBT模塊驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)：門(mén)極電阻與鉗位二極管的參數(shù)優(yōu)化

    在功率電子系統(tǒng)中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)直接影響開(kāi)關(guān)損耗、電磁干擾（EMI）和器件可靠性。門(mén)極電阻（Rg）與鉗位二極管（Dclamp）作為驅(qū)動(dòng)電路的核心元件，其參數(shù)優(yōu)化需平衡開(kāi)關(guān)速度、電壓尖峰抑制與熱穩(wěn)定性。本文從IGBT的開(kāi)關(guān)特性出發(fā)，系統(tǒng)解析Rg與Dclamp的協(xié)同優(yōu)化策略，為工程師提供可量化的設(shè)計(jì)指南。

  • iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)

    美國(guó)賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。

  • 奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日：攜手譜寫(xiě)汽車(chē)電子技術(shù)新篇章

    中國(guó)上海，2025年7月8日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，與中國(guó)知名OEM廠商奇瑞汽車(chē)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞總部共同舉辦的“奇瑞-羅姆供應(yīng)鏈技術(shù)共創(chuàng)交流日”圓滿(mǎn)落幕。奇瑞汽車(chē)股份有限公司執(zhí)行副總裁 高新華博士、羅姆高級(jí)執(zhí)行官 阪井 正樹(shù)等多位高層領(lǐng)導(dǎo)出席本次活動(dòng)。雙方技術(shù)專(zhuān)家及供應(yīng)鏈核心伙伴齊聚一堂，共話(huà)汽車(chē)電子前沿技術(shù)，致力于為未來(lái)智慧出行注入強(qiáng)勁創(chuàng)新動(dòng)力。

  • 什么是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)絕緣柵雙極型晶體管？

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。

  • IGBT 主導(dǎo)新能源汽車(chē)上半場(chǎng)，SiC 提速上車(chē)劍指新周期

    在新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，功率器件作為核心 “大腦”，其重要性不言而喻?；仡欉^(guò)往，IGBT 主導(dǎo)了新能源汽車(chē)的上半場(chǎng)，而如今，SiC 正加速上車(chē)，開(kāi)啟新的發(fā)展周期。

  • 英飛凌推出用于電動(dòng)汽車(chē)的新一代高功率節(jié)能型 IGBT 和 RC-IGBT 芯片

    【2025年6月18日, 德國(guó)慕尼黑訊】隨著純電動(dòng)汽車(chē)(BEV)和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)(PHEV)銷(xiāo)量的快速增長(zhǎng)，電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到 2030 年，電動(dòng)汽車(chē)的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，從2024年的20%增長(zhǎng)至45%左右 [1]。為滿(mǎn)足對(duì)高壓汽車(chē)IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的 EDT3(第三代電力傳動(dòng)系統(tǒng))芯片，以及為 800 V 系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT 芯片。這些產(chǎn)品能夠提高電力傳動(dòng)系統(tǒng)的性能，尤其適用于汽車(chē)應(yīng)用。

  • 揭曉IGBT的開(kāi)關(guān)頻率上限

    IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

  • 可控硅和igbt有什么區(qū)別？選擇可控硅模塊需要考慮什么

    在這篇文章中，小編將對(duì)可控硅的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來(lái)閱讀以下內(nèi)容吧。

  • 三十載精“芯”“質(zhì)”造，英飛凌無(wú)錫打造綠色智能工廠典范

    【2025年3月31日, 中國(guó)上海訊】三十載精“芯”“質(zhì)”造，闊步新征程。日前，英飛凌無(wú)錫工廠迎來(lái)了在華運(yùn)營(yíng)三十周年的里程碑。歷經(jīng)三十年的深耕發(fā)展，無(wú)錫工廠已成為英飛凌全球最大的IGBT生產(chǎn)基地之一，生產(chǎn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于當(dāng)前快速發(fā)展的電動(dòng)汽車(chē)、新能源、消費(fèi)電子、工業(yè)等多個(gè)領(lǐng)域，助力產(chǎn)業(yè)向智能化、綠色化方向發(fā)展。

  • TDK針對(duì)500 V系統(tǒng)推出更緊湊的柵極驅(qū)動(dòng)變壓器

    TDK株式會(huì)社(東京證券交易所代碼：6762)新近推出愛(ài)普科斯 (EPCOS) EP9系列變壓器(訂購(gòu)代碼：B82804E)。相比于專(zhuān)為IGBT及FET柵極驅(qū)動(dòng)電路而設(shè)計(jì)現(xiàn)有E10EM系列表面貼裝變壓器，新系列元件尺寸更為緊湊，且優(yōu)異性能可滿(mǎn)足500 V系統(tǒng)電壓的嚴(yán)苛汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用要求，同時(shí)具備絕緣性能好、耦合電容超低和耐熱性強(qiáng)的特點(diǎn)。該新系列產(chǎn)品迎合了TDK積極推動(dòng)綠色轉(zhuǎn)型，邁向更加電氣化和可持續(xù)未來(lái)的理念。

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