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干貨滿滿！IGBT基礎(chǔ)知識(shí)匯總
GBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
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你了解IGBT的結(jié)構(gòu)嗎？IGBT通態(tài)漂移區(qū)少子分布仿真分析
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)IGBT的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT可以反向?qū)▎?？IGBT和MOSFET到底有哪些區(qū)別？
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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這幾款I(lǐng)GBT驅(qū)動(dòng)電路了解嗎？IGBT參數(shù)設(shè)計(jì)介紹
在這篇文章中，小編將對(duì)IGBT的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器提供隔離功能的最大功率限制
在電力電子技術(shù)的快速發(fā)展中，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車、工業(yè)變頻器、太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)υO(shè)備的可靠性和性能要求極高，因此，現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器必須具備高效的隔離功能和強(qiáng)大的功率處理能力。本文將深入探討現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在提供隔離功能時(shí)的最大功率限制及其實(shí)現(xiàn)機(jī)制。
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NTC熱敏電阻如何測(cè)量IGBT結(jié)溫？NTC熱敏電阻的接線方法介紹
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)NTC熱敏電阻的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果NTC熱敏電阻是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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IGBT等效電路見過嗎？IGBT開通過程分析
在這篇文章中，小編將對(duì)IGBT及其開通過程的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)IGBT的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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IGBT工作原理詳解！分析IGBT模塊過電流損壞是如何造成的！
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞩GBT的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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IGBT轉(zhuǎn)移特性曲線、過電壓損壞和靜電損壞分析
在這篇文章中，小編將為大家?guī)鞩GBT的相關(guān)報(bào)道。如果你對(duì)本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
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大佬帶你看IGBT：IGBT短路性能、寄生導(dǎo)通講解
本文中，小編將對(duì)IGBT予以介紹，如果你想對(duì)IGBT的詳細(xì)情況有所認(rèn)識(shí)，或者想要增進(jìn)對(duì)IGBT的了解程度，不妨請(qǐng)看以下內(nèi)容哦。
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IGBT模塊主要參數(shù)有哪些？IGBT對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有哪些要求？
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞩GBT的有關(guān)報(bào)道，通過閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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最強(qiáng)梳理！IGBT原來是這么玩的
IGBT的發(fā)展對(duì)于很多行業(yè)都有益，但是在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，IGBT的核心技術(shù)都被國(guó)外企業(yè)牢牢地把在手里?！昂诵募夹g(shù)之痛”依然橫亙?cè)谖覀兠媲埃贗GBT全球市場(chǎng)中，西門子旗下的子公司英飛凌占有率全面領(lǐng)先，IGBT分立器件和IGBT模塊的市占率分別為29.3%和 36.5%。
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IGBT的主要參數(shù)及其工作原理
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為一種高效能的功率半導(dǎo)體元件，在能源轉(zhuǎn)換和控制領(lǐng)域的作用日益凸顯。
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IGBT功率半導(dǎo)體器件主要參數(shù)
如果正輸入電壓通過柵極，發(fā)射極保持驅(qū)動(dòng)電路開啟。另一方面，如果 IGBT 的柵極端電壓為零或略為負(fù)，則會(huì)關(guān)閉電路應(yīng)用。
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如何并聯(lián)使用IGBT？電流計(jì)算公式+影響圖例！
一直以來，IGBT都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)鞩GBT并聯(lián)使用的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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基于EXB841，你知道如何設(shè)計(jì)IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路嗎？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)基于EXB841的IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路予以介紹，如果IGBT推挽驅(qū)動(dòng)電路是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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如何檢測(cè)比亞迪高壓電控總成IGBT模塊？
在這篇文章中，小編將詳細(xì)分析如何檢測(cè)比亞迪高壓電控總成IGBT模塊，以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
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IGBT硬并聯(lián)存在哪些技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)？你知道優(yōu)化IGBT硬并聯(lián)的技術(shù)方案嗎？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)IGBT硬并聯(lián)技術(shù)優(yōu)化方案予以報(bào)道，如果IGBT是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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工頻變壓器中如何輸出正負(fù)電壓
隨著電子技術(shù)的提高，以及電子產(chǎn)品的發(fā)展，一些系統(tǒng)中經(jīng)常會(huì)需要負(fù)電壓為其供電。例如，在大功率變頻器，會(huì)使用負(fù)電壓為IGBT提供關(guān)斷負(fù)電壓
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HOLTEK新推出HT45F0005A/35A電磁爐MCU
Holtek持續(xù)精進(jìn)電磁爐產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)，再推出更具性價(jià)比的電磁爐Flash MCU HT45F0005A/HT45F0035A。相較于前代產(chǎn)品提供更豐富的資源，如硬件輔助UL認(rèn)證功能、硬件I2C可與面板通信及過電流保護(hù)及臺(tái)階電壓偵測(cè)功能等，同時(shí)也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，如電磁爐所需的硬件保護(hù)電路(電壓/電流浪涌保護(hù)、IGBT過壓保護(hù))、PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時(shí)，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過EMI標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試。
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