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IGBT

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  • HOLTEK新推出HT45F0005A/35A電磁爐MCU

    Holtek持續(xù)精進電磁爐產(chǎn)品技術(shù)開發(fā)，再推出更具性價比的電磁爐Flash MCU HT45F0005A/HT45F0035A。相較于前代產(chǎn)品提供更豐富的資源，如硬件輔助UL認證功能、硬件I2C可與面板通信及過電流保護及臺階電壓偵測功能等，同時也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢，如電磁爐所需的硬件保護電路(電壓/電流浪涌保護、IGBT過壓保護)、PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過EMI標準測試。

    Holtek
    2024-04-23
    電磁爐 MCU IGBT

  • 安森美推出第七代IGBT智能功率模塊，助力降低供暖和制冷能耗

    SPM31 智能功率模塊 (IPM) 用于三相變頻驅(qū)動應用，能實現(xiàn)更高能效和更佳性能

  • HOLTEK新推出HT45F0006/36電磁爐MCU

    Holtek針對電磁爐應用領域，新推出HT45F0006/HT45F0036電磁爐Flash MCU。HT45F0006/HT45F0036提供電磁爐所需的硬件保護電路，如電壓/電流浪涌保護、IGBT過壓保護、過電流保護及臺階電壓偵測等。相較于前代產(chǎn)品，HT45F0006/HT45F0036提供更豐富的資源，內(nèi)建硬件輔助UL認證功能，并提供硬件UART及I2C可用來與面板通信，同時也保留前代產(chǎn)品優(yōu)勢，如PPG含硬件抖頻功能，使電磁爐工作于高功率時，可以有效減小IGBT反壓以及降低EMI電磁干擾，減少抗EMI元件成本，并通過EMI標準測試。

    Holtek
    2024-02-02
    電磁爐 MCU IGBT

  • 超結(jié)MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應用-REASUNOS瑞森半導體

    功率器件在儲能變流器(PCS)上的應用，雙向DC-DC高壓側(cè)BUCK-BOOST線路，推薦瑞森半導體超結(jié)MOS系列。模塊BOOST升壓/雙向DC-AC轉(zhuǎn)化器，推薦瑞森半導體IGBT系列。

  • Littelfuse推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動器為隔離開關(guān)應用提供浮動電源

    提供高電壓與大電流，可驅(qū)動不同行業(yè)的標準MOSFET/IGBT

  • TrendForce集邦咨詢：預估2023年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴大至33%

    Oct. 18, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動本土化生產(chǎn)等政策與補貼，擴產(chǎn)進度最為積極，預估中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際(SMIC)、華虹集團(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴產(chǎn)最為積極。

  • 第18屆中國研究生電子設計競賽全國總決賽落幕

    （全球TMT2023年8月14日訊）第18屆中國研究生電子設計競賽（研電賽）全國總決賽暨頒獎典禮落幕。今年，來自全國53所高校的90支參賽隊伍報名了由德州儀器 (TI) 提供的企業(yè)命題，通過德州儀器行業(yè)先進的技術(shù)方案與產(chǎn)品支持，電子工程專業(yè)學生們在研電賽舞臺充分展現(xiàn)電子設計專業(yè)...

  • 絕緣柵雙極晶體管的基本概述，在應用上具有什么特點？

    絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是一種重要的功率半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。它不僅綜合了雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor，BJT)和場效應晶體管(Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET)的優(yōu)點，還具備自身獨特的特性。本文將對絕緣柵雙極晶體管進行基本概述，并介紹其在應用上的特點。

  • 廠家有推出哪些絕緣柵雙極晶體管的系列產(chǎn)品？

    絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)作為一種關(guān)鍵的功率半導體器件，由多家廠家推出了各種系列產(chǎn)品。本文將介紹幾個知名廠家推出的主要IGBT系列產(chǎn)品，包括其特點和應用領域，為讀者了解IGBT的市場情況和選擇適合的產(chǎn)品提供指導。

  • 絕緣柵雙極晶體管是什么？有什么作用？

    絕緣柵雙極晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是一種關(guān)鍵的功率半導體器件，在現(xiàn)代電力電子和驅(qū)動技術(shù)中廣泛應用。本文將介紹IGBT的基本原理、結(jié)構(gòu)組成和工作原理，并探討其在電力變換和控制中的重要作用。

  • Nexperia推出新款600 V單管IGBT，可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

    為功率電子設計人員提供帶有全額快速恢復二極管的穩(wěn)健型175℃標準IGBT。

  • 意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片，保護功率轉(zhuǎn)換和IGBT、SiC 和 GaN晶體管柵極驅(qū)動

    L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用，采用隔離降壓拓撲結(jié)構(gòu)，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。

  • 對比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？

    功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率零組件。

  • 電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

    在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關(guān)時間太長，尤其是在高功率時。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場效應功率晶體管的開關(guān)器件，這個問題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。

  • 士蘭微2022年上半年凈利潤同比增長39.12%，主要在MOSFET、IGBT 大功率模塊（PIM）

    8月22日，A股收盤后，士蘭微發(fā)布了2022年半年度報告，公司上半年實現(xiàn)營業(yè)收入41.85億元，同比增長26.49%;歸屬于上市公司股東的凈利潤5.99億元，同比增長39.12%;歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤5.03億元，同比增長25.11%;基本每股收益0.42元/股。公司分立器件產(chǎn)品的營業(yè)收入為 22.75 億元，較上年同期增長 33.13%。分立器件產(chǎn)品中，MOSFET、IGBT 大功率模塊(PIM)、肖特基管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管、TVS 管等產(chǎn)品的增 長較快，公司的超結(jié) MOSFET、IGBT、FRD、高性能低壓分離柵 MOSFET 等分立器件的技術(shù)平臺研發(fā) 持續(xù)獲得較快進展，產(chǎn)品性能達到業(yè)內(nèi)領先的水平。士蘭的分立器件和大功率模塊除了加快在白電、工業(yè)控制等市場拓展外，已開始加快進入電動汽車、新能源等市場，預計公司的分立器件產(chǎn)品營收將繼續(xù)快速成長。

  • 我們的 IGBT 柵極驅(qū)動器電源是否經(jīng)過優(yōu)化？- 第1部分

    我們中的許多人都熟悉低功率直流電機，因為我們在日常生活中隨處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機在幕后工作，以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機由具有不同要求和更高電流的電子設備驅(qū)動。在本文的第 1 部分中，我們將討論用于控制三相交流電機大電流的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)的理論和要求。在第 2 部分中，我們將討論隔離要求和正確計算 IGBT 驅(qū)動功率量。

  • 我們的 IGBT 柵極驅(qū)動器電源是否經(jīng)過優(yōu)化？- 第2部分

    在本系列的第 1 部分中，我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次，您將了解有關(guān)隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅(qū)動功率的更多信息。 IGBT驅(qū)動電路的設計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅(qū)動電壓水平的確定、驅(qū)動芯片驅(qū)動功率的確定、短路保護電路等等。今天我們重點討論一下驅(qū)動電流以及功率的確定，也就是說如何確定一個驅(qū)動芯片電流能力是不是可以驅(qū)動一個特定型號的IGBT，如果不能驅(qū)動該如何增強驅(qū)動輸出能力。

  • IGBT 基礎教程：第 1 部分如何選擇 IGBT

    IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管，是一種復合型結(jié)構(gòu)器件，它結(jié)合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點，在電壓電流轉(zhuǎn)換，電能輸出領域用的非常多，特別是在高壓大電流領域，IGBT占主導地位，是人類控制電能，利用電能的核心半導體器件之一，這種主要應用在電子電力轉(zhuǎn)換領域的半導體器件，我們統(tǒng)稱功率半導體

  • IGBT 基礎教程：第 2 部分IGBT概述

    N 溝道 IGBT 基本上是構(gòu)建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET，的通用 IGBT 橫截面所示。（PT IGBT 有一個額外的 n+ 層，將在后面說明。）因此，IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似。從發(fā)射極施加到柵極端子的正電壓導致電子被拉向體區(qū)中的柵極端子。

  • IGBT 基礎教程：第 3 部分PT與NPT芯片介紹

    所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985)，但技術(shù)上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產(chǎn)品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術(shù)復雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達到了100μm和200μm。