IGBT的開(kāi)關(guān)過(guò)程主要是由柵極電壓VGE控制的,由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮,因此IGBT的開(kāi)通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。
什么是絕緣柵雙極型晶體管?在生活中,你可能接觸過(guò)各種各樣的電子產(chǎn)品,那么你可能并不知道它的一些組成部分,比如它可能含有的絕緣柵雙極型晶體管,那么接下來(lái)讓小編帶領(lǐng)大家一起學(xué)習(xí)絕緣柵雙極型晶體管。
什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。
功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等,是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。
什么是電磁加熱器?電磁加熱器是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的裝置。目前電磁加熱器在工業(yè)加熱領(lǐng)域已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,眾所周知,電磁加熱器的控制板分為全橋和半橋,最近不少客戶(hù)詢(xún)問(wèn)全橋和半橋具體有什么區(qū)別?
生活中有各種各樣的電源,其中就有一款叫高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng),什么是高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)?它有什么作用?高頻開(kāi)關(guān)電源(也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)型整流器SMR)是通過(guò)MOSFET或IGBT的高頻工作的電源,開(kāi)關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
你知道電源設(shè)計(jì)中有哪些困難嗎?我們都知道,電源設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒,也是累活兒,工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書(shū)選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)符合功能的原型版,電源設(shè)計(jì)優(yōu)化尤其重要。既要保證功能的實(shí)現(xiàn),又要兼顧效率、成本及EMC各個(gè)方面,最終產(chǎn)品還需要進(jìn)行整體電源質(zhì)量評(píng)價(jià)及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證。
今天我們來(lái)聊了聊有關(guān)碳化硅作為高壓低損耗的功率半導(dǎo)體器件材料的潛力
什么是PWM真的存在“死區(qū)”?眾所周知,PWM脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式,根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置,來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變,從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式通常用于整流和逆變的環(huán)境中,同時(shí)也會(huì)運(yùn)用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來(lái)說(shuō),就需要三個(gè)橋臂。以?xún)呻娖綖槔?,每個(gè)橋臂上有兩個(gè)電力電子器件,比如IGBT。這兩個(gè)IGBT不能同時(shí)導(dǎo)通,否則就會(huì)出現(xiàn)短路的情況。
隨著全球制造業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移,我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50%以上,是全球最大的IGBT市場(chǎng)。但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴(lài)進(jìn)口,在中高端領(lǐng)域更是90%以上的IGBT器件依賴(lài)進(jìn)口,IGBT國(guó)產(chǎn)化需求已是刻不容緩。
IGBT應(yīng)用非常廣泛,滲透到工作生活的方方面面,小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)、風(fēng)電光伏等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè),被形象地稱(chēng)為電力電子行業(yè)里的“CPU“。IGBT,學(xué)名稱(chēng)為“絕緣柵雙極型晶體管” (Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低的功率半導(dǎo)體,既然是半導(dǎo)體,與我們熟知的芯片一樣,目前,我國(guó)在該領(lǐng)域仍存在“卡脖子”的現(xiàn)象。
我們都知道,電源設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)當(dāng)然算是個(gè)技術(shù)活兒,也是累活兒,工作繁雜挑戰(zhàn)諸多。電源設(shè)計(jì)工程師根據(jù)任務(wù)書(shū)選擇合適的器件和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),設(shè)計(jì)符合功能的原型版,電源設(shè)計(jì)優(yōu)化尤其重要。
在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用MOS管?而有些電路用IGBT管? 下面我們就來(lái)了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧! 什么是MOS管? 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng)),又有雙極型器
國(guó)際整流器公司 (InternaTIonal RecTIfier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)利用I
波老師那個(gè)年代上大學(xué)都是自己攢機(jī)裝電腦,買(mǎi)CPU先問(wèn)主頻多少Hz?后來(lái)買(mǎi)手機(jī)也是,先看幾個(gè)核,再看主頻......所以估計(jì)大家都也差不多,都烙下病根兒了。? 可是IGBT是個(gè)功率器件,它的開(kāi)關(guān)頻率上限并不是一個(gè)確定的值。我一般都是這么回答這個(gè)問(wèn)題的: 首先,
富士電機(jī)與日本山梨大學(xué)的研究小組開(kāi)發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車(chē)載IGBT模塊,并在功率半導(dǎo)體國(guó)際會(huì)議“ISPSD 2013”(2013年5月26~30日在日本石川縣金
2012年對(duì)于中國(guó)新能源汽車(chē)市場(chǎng)仍然是調(diào)整和規(guī)劃的一年。整體銷(xiāo)量并沒(méi)有大的突破,但是這并不意味著市場(chǎng)停滯和無(wú)所作為。整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈從上游到下游都在積極思變,以更加理性務(wù)實(shí)的態(tài)度來(lái)精
在汽車(chē)電子市場(chǎng)不能不談到全球頂尖汽車(chē)電子芯片廠(chǎng)商——英飛凌,產(chǎn)品線(xiàn)涵蓋傳感器,微處理器和執(zhí)行器。英飛凌功率器件全球市場(chǎng)份額連續(xù)11年第一。全球每部新車(chē)?yán)锍^(guò)1/2的負(fù)
7月5日,海潤(rùn)光伏發(fā)布特大合同公告,擬與香港上市公司順風(fēng)光電旗下的江西順風(fēng)光電投資有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)順風(fēng)投資)簽訂41.9億元的工程承包協(xié)議,占公司去年?duì)I業(yè)總收入的84%。