IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。

由于寄生參數(shù)以及負(fù)載特性的影響，IGBT的實際開通與關(guān)斷過程比較復(fù)雜，如圖1為IGBT的開通關(guān)斷過程示意圖，圖中柵極驅(qū)動波形較為理想化，集電極電流以及集電極-發(fā)射極電壓的波形大致上是實際波形，只有細(xì)節(jié)被理想化。

1

開通時間ton
開通時間還可以分為兩個部分：開通延遲時間td（on）與上升時間tr，在此時間內(nèi)IGBT主要工作在主動區(qū)域。
當(dāng)柵極和發(fā)射極之向被加上一個階躍式的正向驅(qū)動電壓后，便對CGE開始充電，VGE開始上升，上升過程的時間常數(shù)由CGE和柵極驅(qū)動網(wǎng)路的電阻所決定，一旦VGE達(dá)到開啟電壓VGE（th）后，集電極電流IC則開始上升。從VGE上升至VGE（th）開始，到IC上升至負(fù)載電流IL的10%為止，這段時間被定義為開通延遲時間td（on）。
此后，集電極電流IC持續(xù)上升，到IC上升至負(fù)載電流IL的90%的時候，這段時間稱為上升時間tr。開通延遲時間td（on）與上升時間tr之和被為開通時間ton。在整個開通時間內(nèi)，可以看出電流逐漸上升而集電極—發(fā)射極之間的壓降仍然十分可觀，因此主要的開通損耗產(chǎn)生于這一時間內(nèi)。

2

IGBT導(dǎo)通
IGBT導(dǎo)通時，主要工作在飽和區(qū)域。 IGBT開通后，集電極電流Ic仍然會繼續(xù)上彝，并產(chǎn)生一個開通電流峰值，這個峰值是由阻感性負(fù)載及續(xù)流二極管共同產(chǎn)生的，峰值電流過大可能會損耗IGBT。 IC在達(dá)到峰值之后會逐步下降至負(fù)載電流IC的水平，與此同時，VCE也下降至飽和壓降水平，IGBT進(jìn)入相對穩(wěn)定的導(dǎo)通階段。
在這個階段中的主要參數(shù)是由負(fù)載確定的通態(tài)電流IL以及一個較低的飽和壓降VCEsat，可以看出，工作在飽和區(qū)的IGBT的損耗并不是特別大。

3

關(guān)斷時間toff
同開通時間ton一樣，關(guān)斷時間toff也可以分為兩段：關(guān)斷延遲時間td（off），以及下降時間tf。
當(dāng)柵極和發(fā)射極之間的正向電壓被突然撤銷并同時被加上一個負(fù)壓后，VCE便開始下降。下降過程的時間常數(shù)仍然由輸入電容CGE和柵極驅(qū)動回路的電阻所決定。同時，VCE開始上升。但只要VCE小于VCC，則續(xù)流二極管處于截止?fàn)顟B(tài)且不能接續(xù)電流。所以，IGBT的集電極電流IC在此期間并沒有明顯的下降。
因此，從柵極—發(fā)射極電壓VCE降落到其開通值的90%開始，直到集電極電流下降至負(fù)載電流的90%為止；這一段時間被定義為關(guān)斷延遲時間td（off）。
一旦上升的IGBT的集電極—發(fā)射極電壓超過工作電壓VCC時，續(xù)流二極管便處于正向偏置的狀態(tài)下，負(fù)載電流便可以換流至續(xù)流二極管，集電極電流也因此下降口從集電極電流IC由負(fù)載電流k的90%下降至10%之間的時間稱為下降時間tf。
從圖1中可以看出，在IC下降的同時，VCE會產(chǎn)生一個大大超過工作電壓Vcc的峰值，這主要是由負(fù)載電感引起的，其幅度與IGBT的關(guān)斷速度呈線性關(guān)系。峰值電籮過高可能會造成IGBT的損壞。
關(guān)斷延遲時間，與下降時間tf之和稱為關(guān)斷時間toff。

4

拖尾時間、拖尾電流
相比于MOSFET，IGBT采用一種新的方式降低了通態(tài)損耗，但是這一設(shè)計同時引發(fā)了拖尾電流It，拖尾電流持續(xù)衰減至關(guān)斷狀態(tài)漏電流的時間稱為拖尾時間tt，拖尾電流嚴(yán)重的影響了關(guān)斷損耗，因為在這段時間里，VCE已經(jīng)上升至工作電壓VCC以上。
拖尾電流的產(chǎn)生也告訴我們，即使在柵極給出了關(guān)斷信號，IGBT也不能及時的完全關(guān)斷，這是值得注意的，在設(shè)計驅(qū)動時要保證兩個橋臂的驅(qū)動波形有足夠的死區(qū)。