中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布,Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗證。 “我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測試”
中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布,Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗證。 “我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測試”
中芯國際集成電路制造有限公司(中芯國際)和全球領先的基于硅 MEMS 的流體控制開發(fā)商 Microstaq 今日宣布,Microstaq 的基于VentilumTMMEMS 的芯片已成功通過驗證。“我們已接受過性能規(guī)格的 die and run 內(nèi)部測
世界最高能效微控制器(Energy Micro)
半導體業(yè)界創(chuàng)新工藝和測試方案提供商SUSS MicroTec,宣布與全球領先的研究機構臺灣ITRI(工業(yè)技術研究院)合作,共同開發(fā)三維集成技術。ITRI引領的Ad-STAC(先進堆棧系統(tǒng)與應用研發(fā)聯(lián)盟)將把SUSS MicroTec 的300毫米光刻
Maxim推出采用2mm x 2mm µDFN封裝的快速采樣/保持電路DS1843。該器件可以通過其差分輸入在低于300ns時間內(nèi)采集信號,并在輸出端保持長達100µs。低輸入失調(diào)電壓(約5mV)保證了精確的測量。DS1843包含差分、
安森美半導體(ON Semiconductor)擴展定制晶圓代工能力,推出新的具價格競爭力、符合業(yè)界標準的0.18微米(µm) CMOS工藝技術。這ONC18工藝是開發(fā)低功率及高集成度數(shù)字及混合信號專用集成電路(ASIC)的極佳平臺,用
本文采用0.18µm CMOS工藝設計了用于2.5Gb/s收發(fā)器系統(tǒng)的16:1復用器電路。該電路采用數(shù)模混合的方法進行設計,第一級用數(shù)字電路實現(xiàn)16:4的復用,第二級用模擬電路實現(xiàn)4:1的復用,從而實現(xiàn)16:1的復用器。該電路采用SMIC 0.18µm工藝模型,使用Virtuoso AMS Simulator 工具進行了仿真。仿真結果表明,當電源電壓為1.8V,溫度范圍為0~70℃時,電路可以工作在2.5b/s,功耗約為6mW。
9月23日,據(jù)外國媒體報道,AT&T在周一推出了新型家庭基站MicroCell,這是供家庭和辦公室使用的手機發(fā)射塔,有五個3G接入點,售價為150美元。MicroCell通過互聯(lián)網(wǎng)連接AT&T的無線網(wǎng)絡,來支持接入和撥打電話。消費時間
8月31日消息,據(jù)國外媒體報道,趨勢科技(Trend Micro)昨日公布的最新調(diào)查報告顯示,智能手機用戶普遍認為手機較電腦安全,從而忽視了惡意軟件的威脅。趨勢科技此次在智能手機消費市場中對1000位用戶進行了調(diào)查,結果