IR 推出200V DirectFET MOSFET

國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標準的 DirectFET 封裝技術結合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術，可實現(xiàn) 95% 的效率。

IR 推出200V DirectFET MOSFET

國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET，采用 IR標準的 DirectFET 封裝技術結合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術，可實現(xiàn) 95% 的效率。

Fairchild 擴充低RDS(ON) MOSFET產品系列

飛兆半導體公司 (Fairchild) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產品系列，推出11種新型器件。

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產品

飛兆半導體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應用.

Fairchild 推出新型MicroFET MOSFET產品

飛兆半導體公司 (Fairchild) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應用.

TI 推出4A高速MOSFET驅動器

TI 推出4A高速MOSFET驅動器

驅動多個固態(tài)繼電器的單個振蕩器

驅動多個固態(tài)繼電器的單個振蕩器

電源模塊設計分析

電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應器 (參看圖1)，其特點是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器 (DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負載提供供電。

電源模塊設計分析

電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應器 (參看圖1)，其特點是可為專用集成電路（ASIC）、數(shù)字信號處理器 (DSP)、微處理器、存儲器、現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA) 及其他數(shù)字或模擬負載提供供電。

擴展升壓穩(wěn)壓器輸入、輸出電壓范圍的級聯(lián) MOSFET

　IC 升壓穩(wěn)壓器面向需要將電池電壓升高的便攜系統(tǒng)應用，它往往有一個能驅動儲能電感的輸出晶體管。

能改進動圈表頭對小電流測量的MOSFET

以前曾經有一個設計實例介紹了用動圈模擬表頭測量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻 1）。

IR推出100V集成MOSFET方案

IR推出新型DirectFET MOSFET

IR推出新型DirectFET MOSFET