MOSFET

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金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

專為12 V電池防反接設(shè)計的保護器件TPSMB非對稱瞬態(tài)抑制二極管

創(chuàng)新設(shè)計使系統(tǒng)能夠采用額定值較低的MOSFET或二極管，同時確保可靠的保護功能，非常適合各種需要12V電池防反接保護的汽車應(yīng)用

Littelfuse
2025-12-23

二極管電池 MOSFET
一文深入詳解IGBT開關(guān)過程

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的核心器件，憑借其高輸入阻抗、低導通損耗和快速開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)變頻、可再生能源等領(lǐng)域。其開關(guān)過程直接決定了系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。

技術(shù)前線
2025-12-22

IGBT MOSFET
ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品

中國上海，2025年12月18日——全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓(40V/60V)MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封裝產(chǎn)品。

ROHM
2025-12-18

逆變器電動泵 MOSFET
了解齊納二極管和建立自己的測試儀

二極管在正向工作時具有小的電壓降(約0.2V至0.7V)。當反向布線時，它們有很大的電壓降。流行的1N4001二極管的反向電壓為50V或更高，而1N4007二極管的反向電壓為1000V或更高。這意味著當它們的反向擊穿電壓超過時，它們將開始傳導電流。

電路設(shè)計項目集錦
2025-12-16

晶體管齊納二極管 MOSFET
安森美與佛瑞亞海拉深化戰(zhàn)略合作，共同推進新一代電源技術(shù)發(fā)展

此次合作將帶來更智能的汽車電源解決方案，兼具卓越能效與優(yōu)化性能

安森美(onsemi)
2025-12-12

電源 MOSFET
Littelfuse推出采用SMPD-X封裝的200 V、480 A超級結(jié)MOSFET

新型X4級器件在簡化熱設(shè)計，提高效率的同時減少了儲能、充電、無人機和工業(yè)應(yīng)用中零部件數(shù)量。

廠商動態(tài)
2025-12-09

無人機工業(yè)電源 MOSFET
Vishay推出MAACPAK PressFit封裝1200 V SiC MOSFET功率模塊，提高效率和可靠性

薄型器件適于中高頻應(yīng)用，節(jié)省空間，同時降低寄生電感，實現(xiàn)更潔凈的開關(guān)特性

VISHAY
2025-12-03

功率模塊 SiC MOSFET
在電子系統(tǒng)中，MOSFET的應(yīng)用解析

在電子系統(tǒng)中，MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)作為一種常用的開關(guān)器件，其開關(guān)過程中的電磁干擾(EMI)問題備受關(guān)注。

模擬技術(shù)
2025-11-20

MOSFET
大聯(lián)大詮鼎集團推出基于PI產(chǎn)品的62W三輸出定電壓反激式電源解決方案

2025年11月13日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于PI(Power Integrations)InnoMux?-2系列IMX2379F芯片的62W三輸出定電壓反激式電源解決方案。

大聯(lián)大控股
2025-11-13

顯示器反激式電源 MOSFET
ROHM推出適用于AI服務(wù)器的寬SOA范圍5 mm×6 mm小尺寸MOSFET

中國上海，2025年11月11日——全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超寬SOA*1范圍的100V耐壓功率MOSFET“RS7P200BM”。該款產(chǎn)品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封裝，非常適用于采用48VAI服務(wù)器的熱插拔電路*2，以及需要電池保護的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用。

ROHM
2025-11-11

電源 AI服務(wù)器 MOSFET
英飛凌擴展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計算密集型應(yīng)用而設(shè)計的400V和440V MOSFET

【2025年10月24日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)通過增加頂部散熱(TSC)的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機驅(qū)動、固態(tài)斷路器等領(lǐng)域。這款新產(chǎn)品可為這些關(guān)鍵系統(tǒng)提供所需的可靠性與性能。

英飛凌
2025-10-24

電機驅(qū)動 D類音頻放大器 MOSFET
大聯(lián)大友尚集團推出基于ST產(chǎn)品的11KW AC/DC高壓電源和3KW DC/DC高壓轉(zhuǎn)低壓系統(tǒng)方案

2025年10月23日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半導體(ST)Stellar E1系列MCU、STGAP2SIC單柵極驅(qū)動器以及使用ST Gen3的1200V碳化硅MOSFET所設(shè)計的11KW AC/DC高壓電源和3KW DC/DC高壓轉(zhuǎn)低壓系統(tǒng)方案。

廠商動態(tài)
2025-10-23

MCU 碳化硅柵極驅(qū)動器 MOSFET
英飛凌推出針對工業(yè)與消費類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7 功率MOSFET

【2025年10月22日, 德國慕尼黑訊】各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長對功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應(yīng)用場景為核心的設(shè)計理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出適用于工業(yè)與消費市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進一步擴展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS? 7系列為各類工業(yè)與消費應(yīng)用場景提供了理想的解決方案，其產(chǎn)品涵蓋高性能開關(guān)、電機驅(qū)動、RDS(ON)優(yōu)化等特定應(yīng)用領(lǐng)域。

英飛凌
2025-10-22

開關(guān) 電機驅(qū)動 MOSFET
如何利用Arduino控制直流電機MOSFET速度

在本教程中，我們將學習如何使用MOSFET模塊控制直流電機速度。

電路設(shè)計項目集錦
2025-10-20

Arduino 直流電機 MOSFET
體積更小且支持大功率!ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

中國上海，2025年10月16日——全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品(TO-263-7L)相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS(儲能系統(tǒng))以及要求扁平化設(shè)計的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。

ROHM
2025-10-16

SiC ESS MOSFET
東芝推出采用最新一代工藝[1]技術(shù)的100V N溝道功率MOSFET，助力提高工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源效率

中國上海，2025年9月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設(shè)備。產(chǎn)品于今日開始正式出貨。

TOSHIBA東芝半導體
2025-09-25

數(shù)據(jù)中心開關(guān)電源 MOSFET
開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路的RCD緩沖設(shè)計詳解

在開關(guān)電源設(shè)計中，MOSFET作為核心開關(guān)器件，其開關(guān)過程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)。本文從工作原理、參數(shù)設(shè)計、優(yōu)化策略三方面解析RCD緩沖電路的核心設(shè)計要點。

電源
2025-09-23

開關(guān)電源驅(qū)動電路 RCD緩沖 MOSFET
英飛凌推出75 mΩ工業(yè)級CoolSiC? 650 V G2系列MOSFET，適用于具備高功率密度需求的中功率應(yīng)用場景

【2025年9月22日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)宣布擴展其 CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合，新增 75 mΩ 規(guī)格型號，以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，該產(chǎn)品組合可同時支持頂部冷卻(TSC)與底部冷卻(BSC)兩種散熱方案，為研發(fā)人員的設(shè)計提供了高度靈活性。此類器件非常適用于中高功率等級的開關(guān)模式電源(SMPS)，可廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域，包括AI服務(wù)器、可再生能源系統(tǒng)、電動汽車及電動汽車充電樁、人形機器人充電、電視機以及各類驅(qū)動系統(tǒng)。

英飛凌
2025-09-22

AI服務(wù)器可再生能源系統(tǒng) MOSFET
搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)

中國上海，2025年9月10日——全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(總部位于德國赫爾佐根奧拉赫，以下簡稱“舍弗勒”)宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開始量產(chǎn)搭載羅姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國大型汽車制造商設(shè)計的產(chǎn)品。

ROHM
2025-09-10

電動汽車 SiC MOSFET
東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET

-三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度-

TOSHIBA東芝半導體
2025-08-28

開關(guān)電源 SiC MOSFET

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MOSFET

專為12 V電池防反接設(shè)計的保護器件TPSMB非對稱瞬態(tài)抑制二極管

一文深入詳解IGBT開關(guān)過程

ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品

了解齊納二極管和建立自己的測試儀

安森美與佛瑞亞海拉深化戰(zhàn)略合作，共同推進新一代電源技術(shù)發(fā)展

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英飛凌推出針對工業(yè)與消費類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7 功率MOSFET

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開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路的RCD緩沖設(shè)計詳解

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