MOSFET

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金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征

EPAD MOSFET 專為實現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設(shè)計。這些器件專為實現(xiàn)最小失調(diào)電壓和差分熱響應而構(gòu)建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。

功率器件
2023-01-13

超低電壓 MOSFET
使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹

在電路設(shè)計中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會使新電路獲得成功。

功率器件
2023-01-13

超低電壓 MOSFET
ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進行自動平衡

一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調(diào)節(jié)額定電壓更高的超級電容器——適用于廣泛的應用，如執(zhí)行器、遠程信息處理、太陽能電池板、應急照明、安全設(shè)備、條形碼掃描儀、高級計量箱和備用電池系統(tǒng)。

功率器件
2023-01-09

超級電容 MOSFET
SiC材料的進擊路從國產(chǎn)工規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET的發(fā)布談起

據(jù)東方衛(wèi)視報道，我國首款基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級)認證的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品在上海正式發(fā)布。9月4日，一則 “我國將把大力發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”的消息引爆市場，引起第三代半導體概念股集體沖高漲停，場面十分壯觀。不可置否，政策是最大的商機。2020年，新基建產(chǎn)業(yè)站在了風口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領(lǐng)域中，第三代半導體承擔著重要角色。

Techsugar
2023-01-08

半導體 SiC材料 MOSFET
SiC-MOSFET終端區(qū)對開關(guān)損耗的物理分析

盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在大功率應用中。帶隙是基于半導體的電路的相關(guān)因素，因為高帶隙在高溫、電壓和頻率下的操作方面具有優(yōu)勢。硅的帶隙為 1.12 eV，而碳化硅的帶隙值高 3 倍，為 3.2 eV，因此性能和效率更高，開關(guān)頻率更高，總占位面積更小。

功率器件
2022-12-15

SiC MOSFET
通過使用具有頂部冷卻功能的 SMD 封裝來提高 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能

本文分析了表面貼裝 (SMD) 封裝中的硅 MOSFET在熱性能方面與底部冷卻封裝相比在熱性能方面的效率，從而降低了熱阻和工作溫度。它將展示如何降低結(jié)溫有助于提高功率效率，因為主要硅 MOSFET 參數(shù)會因溫度變化(如 RDS (on)和 Vth 電平)而發(fā)生更平滑的變化，以及降低總導通和開關(guān)損耗。

功率器件
2022-12-11

熱性能表面貼裝 (SMD) MOSFET
具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹

隨著半導體行業(yè)的最新進展，對具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構(gòu)成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質(zhì)摻雜硅。SB MOSFET 的一個顯著特征是一個特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當在邏輯電路中應用此類器件時，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會發(fā)生這種情況。

功率器件
2022-12-09

肖特基勢壘 MOSFET
基礎(chǔ)電路學習（3）-- MOSFET驅(qū)動電路小結(jié)

這幾天準備測試DCDC電源的時候，發(fā)現(xiàn)沒有負載，想著要不買一個看看，淘寶搜了一下，看到網(wǎng)上好多都是給電池放電，測試放電曲線用的，價格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程電源大師課中有設(shè)計好的負載demo板，立即便下載下來準備打樣，自己做一個動態(tài)負載切換的PCBA負載切換的原理很簡單，主要通過PWM控制MOS管導通截止來使下圖右側(cè)的電阻R5短路和斷路，其中TP2為DCDC輸出電壓。

射頻工程師的日常
2022-12-07

驅(qū)動電路 DCDC MOSFET
貿(mào)澤電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應用的英飛凌通用MOSFET

(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET。英飛凌豐富多樣的高壓和低壓MOSFET產(chǎn)品組合為各種應用提供靈活性、適應性和高價值，可幫助設(shè)計師滿足項目、價格或物流要求。

貿(mào)澤電子
2022-12-06

貿(mào)澤電子 MOSFET
ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

非常有助于提高無線耳機和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運行安全性！

動態(tài)速遞
2022-12-02

ROHM MOSFET
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動應用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA

Nexperia
2022-11-18

熱插拔 Nexperia MOSFET
安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

頂部冷卻簡化設(shè)計并降低成本，實現(xiàn)小巧緊湊的電源方案

安森美(onsemi)
2022-11-17

安森美(onsemi) MOSFET
電機驅(qū)動設(shè)計：集成驅(qū)動器與柵極驅(qū)動器的區(qū)別

在設(shè)計電機控制電路時，確定如何提供驅(qū)動電機所需的大電流至關(guān)重要。設(shè)計人員必須選擇是使用具有內(nèi)部功率器件的單片集成電路 (IC)，還是使用柵極驅(qū)動器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。

電源-能源動力
2022-11-11

電機控制電路 MOSFET
最新的 dc/dc 控制器與 NexFET 功率 MOSFET 的組合可以提高電源效率

全球能源價格的上漲以及與電子產(chǎn)品相關(guān)的運營費用的增加正在成為設(shè)備和/或消費品采購決策的重要組成部分。因此，研發(fā)工程師一直在尋找降低產(chǎn)品功耗的方法。過去，這主要適用于電池供電的應用，因為效率會嚴重影響設(shè)備的運行時間。然而，這種趨勢近年來已經(jīng)擴大到包括許多離線供電的消費品。

功率器件
2022-11-07

DC/DC 控制器 MOSFET
對比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？

功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率零組件。

功率器件
2022-11-05

功率半導體 IGBT MOSFET
最新行業(yè)新聞，英飛凌推出 LITIX Power,Diodes Inc. 發(fā)布 PowerDI8080-5器件

英飛凌推出 LITIX Power 雙通道 DC/DC 控制器，無需額外的微控制器即可驅(qū)動 LED 前照燈。 Infineon Technologies AG通過雙通道獨立 DC/DC 控制器擴展了其LITIX Power 系列。該公司聲稱新的 TLD6098-2ES是第一款無需額外微控制器即可驅(qū)動全 LED 前照燈的產(chǎn)品。該控制器還可以操作四種標準 LED 前燈功能：遠光燈 (HB)、近光燈 (LB)、日間行車燈 (DRL) 和轉(zhuǎn)向燈 (TURN)。LITIX Power 產(chǎn)品還可用作外部 LED 照明中動畫的電壓源。

電源
2022-11-03

DCDC MOSFET
選擇功率 MOSFET 的簡單指南

鑒于現(xiàn)在可用的 MOSFET 可供選擇的范圍很廣，并且分配給主板電源的空間越來越小，使用可靠、一致的方法來選擇正確的 MOSFET 變得越來越重要。這種方法可以加快開發(fā)周期，同時優(yōu)化特定應用的設(shè)計。

功率器件
2022-10-23

功率器件 MOSFET
如何在我們的項目中選擇合適的 MOSFET 器件

隨著為個人計算機 (PC) 應用中的核心 DC-DC 轉(zhuǎn)換器開發(fā)的同步降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率向 1MHz-2MHz 范圍移動，MOSFET 損耗變得更高。由于大多數(shù) CPU 需要更高的電流和更低的電壓，這一事實變得更加復雜。當我們添加其他控制損耗機制的參數(shù)(如電源輸入電壓和柵極驅(qū)動電壓)時，我們需要處理更復雜的現(xiàn)象。但這還不是全部，我們還有可能導致?lián)p耗顯著惡化并因此降低功率轉(zhuǎn)換效率 (ξ) 的次要影響。

功率器件
2022-10-23

功率器件 MOSFET
電源系統(tǒng)設(shè)計優(yōu)化秘技：單片驅(qū)動器+MOSFET(DrMOS)

現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。

ADI
2022-10-21

ADI 單片驅(qū)動器 MOSFET
CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第一部分

傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只有三個端子當柵極控制電壓在電源和地之間變化時，柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時起，耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。

功率器件
2022-10-12

數(shù)字開關(guān) MOSFET

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MOSFET

使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征

使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設(shè)計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹

ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進行自動平衡

SiC材料的進擊路從國產(chǎn)工規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET的發(fā)布談起

SiC-MOSFET終端區(qū)對開關(guān)損耗的物理分析

通過使用具有頂部冷卻功能的 SMD 封裝來提高 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能

具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹

基礎(chǔ)電路學習（3）-- MOSFET驅(qū)動電路小結(jié)

貿(mào)澤電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應用的英飛凌通用MOSFET

ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET

Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

電機驅(qū)動設(shè)計：集成驅(qū)動器與柵極驅(qū)動器的區(qū)別

最新的 dc/dc 控制器與 NexFET 功率 MOSFET 的組合可以提高電源效率

對比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？

最新行業(yè)新聞，英飛凌推出 LITIX Power,Diodes Inc. 發(fā)布 PowerDI8080-5器件

選擇功率 MOSFET 的簡單指南

如何在我們的項目中選擇合適的 MOSFET 器件

電源系統(tǒng)設(shè)計優(yōu)化秘技：單片驅(qū)動器+MOSFET(DrMOS)

CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第一部分

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