MOSFET
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Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%
RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應用
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第五部分EPAD MOSFET 開關
EPAD MOSFET 在以適當?shù)臇艠O電壓開啟時充當開關，其中在漏極和源極端子之間形成導電通道。源極端子作為輸入，漏極端子作為輸出。開關的導通電阻取決于由柵極電壓控制的溝道導通電流。在這種情況下，如果使用增強型器件，則可以通過柵極端子上的正偏置電壓打開開關，信號從源極傳播到漏極端子。信號本質上可以是數(shù)字的或模擬的，只要用戶考慮相對于開關通道導通電阻的輸入和輸出阻抗水平。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第四部分EPAD MOSFET 隔離和（二極管）鉗位介紹
許多電路需要將其輸入和輸入阻抗與輸出阻抗隔離，以便輸出負載不會干擾輸入信號。這有時可以通過使用晶體管緩沖器或運算放大器緩沖器來實現(xiàn)，每種緩沖器都存在許多設計權衡。例如，使用 ALD110800 零閾值 MOSFET，可以提供這種隔離，同時提供偏置到與輸入電平范圍相同的電壓電平的電路輸出。這是零閾值 MOSFET 的基本能力。輸入和輸出電平也可以偏置在固定電壓附近，例如 0.0V。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第三部分使用超低電源電壓驅動
在 5V、3.3V 或更低電壓下運行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對于模擬設計，該閾值電壓直接影響工作信號電壓范圍。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第二部分EPAD MOSFET 關鍵性能特征
EPAD MOSFET 專為實現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設計。這些器件專為實現(xiàn)最小失調電壓和差分熱響應而構建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。
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使用超低電壓 MOSFET 陣列進行設計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹
在電路設計中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會使新電路獲得成功。
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ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進行自動平衡
一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調節(jié)額定電壓更高的超級電容器——適用于廣泛的應用，如執(zhí)行器、遠程信息處理、太陽能電池板、應急照明、安全設備、條形碼掃描儀、高級計量箱和備用電池系統(tǒng)。
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SiC材料的進擊路 從國產工規(guī)級碳化硅(SiC)MOSFET的發(fā)布談起
據(jù)東方衛(wèi)視報道，我國首款基于6英寸晶圓通過JEDEC(暨工規(guī)級)認證的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET產品在上海正式發(fā)布。9月4日，一則 “我國將把大力發(fā)展第三代半導體產業(yè)寫入‘十四五’規(guī)劃”的消息引爆市場，引起第三代半導體概念股集體沖高漲停，場面十分壯觀。不可置否，政策是最大的商機。2020年，新基建產業(yè)站在了風口上。在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的新基建主要領域中，第三代半導體承擔著重要角色。
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SiC-MOSFET終端區(qū)對開關損耗的物理分析
盡管硅是電子產品中使用最廣泛的半導體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在大功率應用中。帶隙是基于半導體的電路的相關因素，因為高帶隙在高溫、電壓和頻率下的操作方面具有優(yōu)勢。硅的帶隙為 1.12 eV，而碳化硅的帶隙值高 3 倍，為 3.2 eV，因此性能和效率更高，開關頻率更高，總占位面積更小。
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通過使用具有頂部冷卻功能的 SMD 封裝來提高 DC-DC 轉換器的性能
本文分析了表面貼裝 (SMD) 封裝中的硅 MOSFET在熱性能方面與底部冷卻封裝相比在熱性能方面的效率，從而降低了熱阻和工作溫度。它將展示如何降低結溫有助于提高功率效率，因為主要硅 MOSFET 參數(shù)會因溫度變化(如 RDS (on)和 Vth 電平)而發(fā)生更平滑的變化，以及降低總導通和開關損耗。
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具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的介紹
隨著半導體行業(yè)的最新進展，對具有金屬源極和漏極觸點的肖特基勢壘 (SB) MOSFET 的研究正在興起。在 SB MOSFET 中，源極和漏極構成硅化物，而不是傳統(tǒng)的雜質摻雜硅。SB MOSFET 的一個顯著特征是一個特殊的二極管，如在 I d -V ds特性的三極管操作期間指數(shù)電流增加。當在邏輯電路中應用此類器件時，小偏置電壓極不可能發(fā)生，就會發(fā)生這種情況。
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基礎電路學習（3）-- MOSFET驅動電路小結
這幾天準備測試DCDC電源的時候，發(fā)現(xiàn)沒有負載，想著要不買一個看看，淘寶搜了一下，看到網(wǎng)上好多都是給電池放電，測試放電曲線用的，價格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程電源大師課中有設計好的負載demo板，立即便下載下來準備打樣，自己做一個動態(tài)負載切換的PCBA負載切換的原理很簡單，主要通過PWM控制MOS管導通截止來使下圖右側的電阻R5短路和斷路，其中TP2為DCDC輸出電壓。
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貿澤電子開售各種面向電源轉換應用的英飛凌通用MOSFET
(Mouser Electronics) 提供英飛凌的各種通用MOSFET。英飛凌豐富多樣的高壓和低壓MOSFET產品組合為各種應用提供靈活性、適應性和高價值，可幫助設計師滿足項目、價格或物流要求。
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ROHM開發(fā)出具有絕緣構造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高無線耳機和可穿戴設備等小而薄設備的效率和運行安全性！
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Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動應用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA
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安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET
頂部冷卻簡化設計并降低成本，實現(xiàn)小巧緊湊的電源方案
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電機驅動設計：集成驅動器與柵極驅動器的區(qū)別
在設計電機控制電路時，確定如何提供驅動電機所需的大電流至關重要。設計人員必須選擇是使用具有內部功率器件的單片集成電路 (IC)，還是使用柵極驅動器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。
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最新的 dc/dc 控制器與 NexFET 功率 MOSFET 的組合可以提高電源效率
全球能源價格的上漲以及與電子產品相關的運營費用的增加正在成為設備和/或消費品采購決策的重要組成部分。因此，研發(fā)工程師一直在尋找降低產品功耗的方法。過去，這主要適用于電池供電的應用，因為效率會嚴重影響設備的運行時間。然而，這種趨勢近年來已經(jīng)擴大到包括許多離線供電的消費品。
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對比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好嗎？
功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率，及直流交流轉換等。只要在擁有電流電壓及相位轉換的電路系統(tǒng)中，都會用到功率零組件。
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最新行業(yè)新聞，英飛凌推出 LITIX Power,Diodes Inc. 發(fā)布 PowerDI8080-5器件
英飛凌推出 LITIX Power 雙通道 DC/DC 控制器，無需額外的微控制器即可驅動 LED 前照燈。 Infineon Technologies AG通過雙通道獨立 DC/DC 控制器擴展了其LITIX Power 系列。該公司聲稱新的 TLD6098-2ES是第一款無需額外微控制器即可驅動全 LED 前照燈的產品。該控制器還可以操作四種標準 LED 前燈 功能：遠光燈 (HB)、近光燈 (LB)、日間行車燈 (DRL) 和轉向燈 (TURN)。LITIX Power 產品還可用作外部 LED 照明中動畫的電壓源。
