MOSFET

我要報錯

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

開關(guān)電源的MOSFET如何選擇，看這篇就夠了

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。圖1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖...

21ic電子網(wǎng)
2021-10-20

MOSFET 開關(guān)電源
MOSFET最新市場報告：規(guī)模沖百億美元，留意交期延長變數(shù)

根據(jù)TrendForce研究顯示，MOSFET、IGBT與Bipolar屬于功率半導(dǎo)體元件（電晶體領(lǐng)域），用來做為半導(dǎo)體開關(guān)，其中MOSFET長年占比超過五成，2020年占52.9％，2021年由于市場需求旺盛，占比有望小幅提升至54.2％。

滿天芯
2021-10-20

MOSFET
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時溫度更低

自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市場上CREE、UnitedSiC、羅姆、Infineon都有650V?SiC MOSFET產(chǎn)品。國內(nèi)廠商派恩杰半導(dǎo)體也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相較于國外廠商，國內(nèi)廠商的SiC MOSFET產(chǎn)品性能到底如何？派恩杰半導(dǎo)體采用自主設(shè)計的Buck-Boost效率測試平臺針對650V 60mΩSiC MOSFET高溫性能進(jìn)行了對比測試。本文分享測試結(jié)果。

派恩杰半導(dǎo)體
2021-10-19

SiC 派恩杰半導(dǎo)體 MOSFET
首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“，可提升電源效率4%！

P3M173K0K3是派恩杰半導(dǎo)體有限公司針對高壓輔助電源應(yīng)用而開發(fā)，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機驅(qū)動，光伏，直流充電樁，儲能變換器器以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計，可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動電路設(shè)計，降低散熱成本，大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。

派恩杰半導(dǎo)體
2021-10-11

SiC MOSFET
使用合適的MOSFET可以提高太陽能利用效率

在過去的 10-30 年里，氣候變化一直是一個備受爭議的話題，引發(fā)了關(guān)于哪些類型的法規(guī)是必要的政治討論。從短期來看，開發(fā)更環(huán)保的基礎(chǔ)設(shè)施，擺脫化石燃料等相對廉價的能源，成本要高得多。

功率器件
2021-10-11

功率器件 MOSFET
VishaySiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎

穩(wěn)壓器采用5 mm x 7 mm封裝，輸出電流達(dá)40 A，提高了功率密度和瞬變響應(yīng)能力

VISHAY
2021-09-28

同步降壓穩(wěn)壓器 PWM控制器 MOSFET
igbt和電力mosfet在內(nèi)部結(jié)構(gòu)和開關(guān)特性

MOSFET和IGBT的對比

技術(shù)前線
2021-09-25

開關(guān) igbt MOSFET
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可將開關(guān)損耗降低50%，同時加快產(chǎn)品上市時間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)

新技術(shù)使電動公共汽車等電動交通動力系統(tǒng)能夠滿足并超出嚴(yán)格的環(huán)境條件要求，同時最大限度地提高效率

Microchip
2021-09-23

Microchip 碳化硅 MOSFET
如何為我們的應(yīng)用選擇合適的功率 MOSFET 或功率模塊的封裝

在開始新設(shè)計時，工程師常常被功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (?MOSFET?) 和功率塊的封裝選項數(shù)量所淹沒。

功率器件
2021-09-22

封裝功率器件 MOSFET
英飛凌賦能Flex Power Modules全新開關(guān)式電容中間總線轉(zhuǎn)換器，為48V數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供高功率密度

【2021年9月17日，德國慕尼黑和瑞典斯德哥爾摩訊】近日，F(xiàn)lex Power Modules推出BMR310——一款非隔離式開關(guān)電容中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)，可為數(shù)據(jù)中心提供高功率密度供電，從而提高電路板空間利用率，為其他組件釋放空間。

英飛凌
2021-09-18

英飛凌總線轉(zhuǎn)換器 MOSFET
漲知識！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太陽能逆變器中的性能比較

點擊藍(lán)字?關(guān)注我們請私信我們添加白名單如果您喜歡本篇文章，歡迎轉(zhuǎn)載！國際能源署的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，太陽能光伏?(PV)裝置的裝機容量有望達(dá)到3,300TWh，與2019年的水平相比，年增率為15%[1]，這意味著能源供應(yīng)的比例在不斷上升。光伏裝置的安裝是將微型、迷你和電力公...

安森美
2021-09-17

IGBT MOSFET
安森美電機開發(fā)套件獲中國2021年Top 10電源產(chǎn)品獎

業(yè)界認(rèn)可該套件的創(chuàng)新加快更高能效的電機控制方案的開發(fā)

安森美(onsemi)
2021-09-15

安森美 PWM MOSFET
SiC 器件專有的可靠性保證途徑及其重要性

作為一家開發(fā)SiC技術(shù)的領(lǐng)先廠商，英飛凌認(rèn)識到需要更新基于硅器件模型而制定的現(xiàn)有可靠性測試標(biāo)準(zhǔn)，以保證碳化硅器件達(dá)到足夠高可靠性水平。英飛凌的方法側(cè)重于碳化硅可靠性的三個特定領(lǐng)域。

英飛凌
2021-09-14

英飛凌 SiC MOSFET
UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

新增的9款器件可實現(xiàn)更高水平的設(shè)計靈活性

UnitedSiC
2021-09-14

晶圓 SiC UnitedSiC MOSFET
MOSFET數(shù)據(jù)手冊，試試這樣看！

MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。極限參數(shù)也叫絕對最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。VDS表示漏極與源極之間所能施加的最...

嵌入式微處理器
2021-09-10

數(shù)據(jù)手冊 MOSFET
溫度對MOSFET工作和性能的影響

我們在一些開關(guān)電源中會使用MOSFET去做控制。

功率器件
2021-09-08

電子開關(guān) MOSFET
MOSFET與電壓相關(guān)的漏電流

本文將重點討論與電壓相關(guān)的漏電流——漏源漏電流 (I DSS ) 和柵源漏電流(I GSS )。

功率器件
2021-09-08

電子開關(guān) 漏電流 MOSFET
貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺與您分享BLDC電機控制新品與技術(shù)見解

2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個全新內(nèi)容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見解。

安森美(onsemi)
2021-09-07

安森美 BLDC電機控制 MOSFET
你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴(yán)重？

在開關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導(dǎo)致發(fā)熱呢？本文來帶你具體分析。??MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTran...

ZLG致遠(yuǎn)電子
2021-09-06

MOSFET
板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！

MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！??SOA安全工作區(qū)SOA指的是安全工作區(qū)，由一系列限制條件組成的一個漏源極電壓VDS和漏...

ZLG致遠(yuǎn)電子
2021-09-06

MOSFET

首頁上一頁 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 下一頁尾頁

MOSFET

開關(guān)電源的MOSFET如何選擇，看這篇就夠了

MOSFET最新市場報告：規(guī)模沖百億美元，留意交期延長變數(shù)

650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產(chǎn)器件重載時溫度更低

首款國產(chǎn)1700V SiC MOSFET獲“低碳能效獎“，可提升電源效率4%！

使用合適的MOSFET可以提高太陽能利用效率

VishaySiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎

igbt和電力mosfet在內(nèi)部結(jié)構(gòu)和開關(guān)特性

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動器，可將開關(guān)損耗降低50%，同時加快產(chǎn)品上市時間，現(xiàn)已投入生產(chǎn)

如何為我們的應(yīng)用選擇合適的功率 MOSFET 或功率模塊的封裝

英飛凌賦能Flex Power Modules全新開關(guān)式電容中間總線轉(zhuǎn)換器，為48V數(shù)據(jù)中心應(yīng)用提供高功率密度

漲知識！IGBT 和 SiC MOSFET PIM 在太陽能逆變器中的性能比較

安森美電機開發(fā)套件獲中國2021年Top 10電源產(chǎn)品獎

SiC 器件專有的可靠性保證途徑及其重要性

UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

MOSFET數(shù)據(jù)手冊，試試這樣看！

溫度對MOSFET工作和性能的影響

MOSFET與電壓相關(guān)的漏電流

貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺與您分享BLDC電機控制新品與技術(shù)見解

你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴(yán)重？

板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(人)

熱門活動

課程視頻