MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場

2023年12月22日，中國北京-服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，與設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售豪華智能電動車的中國新能源汽車龍頭廠商理想汽車(紐約證券交易所代碼: LI) 簽署了一項碳化硅(SiC)長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。

意法半導(dǎo)體
2023-12-22

純電動車碳化硅 MOSFET
英飛凌推出帶有集成溫度傳感器的全新 CoolMOS S7T

【2023年12月19日，德國慕尼黑訊】為提高結(jié)溫傳感的精度，英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出帶有集成溫度傳感器的全新CoolMOS? S7T產(chǎn)品系列。通過在系統(tǒng)中集成該系列半導(dǎo)體產(chǎn)品，可提升許多電子應(yīng)用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS? S7T具有出色的導(dǎo)通電阻和高精度嵌入式傳感器，最適合用于提高固態(tài)繼電器(SSR)應(yīng)用的性能和可靠性。

英飛凌
2023-12-19

溫度傳感器固態(tài)繼電器 MOSFET
英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

【2023年12月7日，德國慕尼黑訊】數(shù)據(jù)中心和計算應(yīng)用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設(shè)計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。

英飛凌
2023-12-07

數(shù)據(jù)中心服務(wù)器 MOSFET
Littelfuse推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動器為隔離開關(guān)應(yīng)用提供浮動電源

提供高電壓與大電流，可驅(qū)動不同行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET/IGBT

Littelfuse
2023-11-28

驅(qū)動器 IGBT MOSFET
Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道增強模式功率MOSFET

要求嚴(yán)苛的高電壓汽車與工業(yè)應(yīng)用理想解決方案

Littelfuse
2023-10-24

傳感器 MOSFET
TrendForce集邦咨詢：預(yù)估2023年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴大至33%

Oct. 18, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023~2027年全球晶圓代工成熟制程(28nm及以上)及先進制程(16nm及以下)產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國大陸由于致力推動本土化生產(chǎn)等政策與補貼，擴產(chǎn)進度最為積極，預(yù)估中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比將從今年的29%，成長至2027年的33%，其中以中芯國際(SMIC)、華虹集團(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)擴產(chǎn)最為積極。

TrendForce集邦咨詢
2023-10-18

功率元件 IGBT MOSFET
Littelfuse宣布推出采用改進型SOT-223-2L封裝的800V N溝道耗盡型MOSFET

非常適合工業(yè)、能源、電信和LED照明市場的電源應(yīng)用

Littelfuse
2023-10-17

電源 LED照明 MOSFET
美浦森半導(dǎo)體通過SGS可靠性檢測獲AEC-Q101認證

深圳2023年9月21日 /美通社/ -- 近日，國際公認的測試、檢驗和認證機構(gòu)SGS為深圳市美浦森半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱：美浦森半導(dǎo)體）SLH60R041GTDA型號MOSFET產(chǎn)品頒發(fā)AEC-Q101認證證書。美浦森半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)龐方杰、品質(zhì)工程經(jīng)理胡烺、SGS中國半導(dǎo)體及...

產(chǎn)業(yè)動態(tài)
2023-09-21

半導(dǎo)體新能源汽車 LH MOSFET
意法半導(dǎo)體推出熱切換理想二極管控制器，適用于ASIL-D 汽車安全關(guān)鍵應(yīng)用

這款理想二極管控制器驅(qū)動一個外部 MOSFET開關(guān)管，替代過去在輸入反向保護和輸出電壓保持電路中常用的肖特基二極管。MOSFET上的電壓降比肖特基二極管的正向電壓降低，因此，正常工作期間的耗散功率也低于二極管。當(dāng)電源失效、掉電或輸入短路等故障導(dǎo)致反向電壓事件時，關(guān)斷 MOSFET功率管可以阻止相關(guān)的反向電流瞬變事件。

意法半導(dǎo)體
2023-08-10

二極管 MOSFET
ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

非常適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機，有助于設(shè)備進一步降低功耗和節(jié)省空間

ROHM
2023-08-09

超低導(dǎo)通電阻風(fēng)扇電機 MOSFET
英飛凌高壓超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件，用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用

【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計，同時以低成本實現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器和（混動）電動汽車車載充電器等應(yīng)用。

英飛凌
2023-07-28

電源設(shè)計靜態(tài)開關(guān) MOSFET
儒卓力攜手威世在2023年慕尼黑上海電子展聯(lián)合展示汽車解決方案

全球領(lǐng)先的電子元器件分銷商儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)再次與威世科技攜手參加于2023年7月11-13日在上海虹橋國家會展中心舉辦的慕尼黑上海電子展(electronica China)，展出多款最新汽車解決方案。

儒卓力
2023-07-07

分立半導(dǎo)體無源電子元件 MOSFET
采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC?溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展

【2023 年 7 月 3 日，德國慕尼黑訊】英飛凌推出采用TO263-7封裝的新一代車規(guī)級1200 V CoolSiC? MOSFET。這款新一代車規(guī)級碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠?qū)崿F(xiàn)雙向充電功能，并顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應(yīng)用的系統(tǒng)成本。

英飛凌
2023-07-03

車載充電碳化硅 MOSFET
意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管，優(yōu)值系數(shù)提高 40%

2023 年 5 月 24 日，中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。

意法半導(dǎo)體
2023-05-24

晶體管 MOSFET
采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計高能效焊機

近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。

英飛凌
2023-05-23

電源逆變器碳化硅 MOSFET
ROHM開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET，有助于提高應(yīng)用設(shè)備工作效率

新推出40V～150V耐壓的共13款產(chǎn)品，非常適用于工業(yè)設(shè)備電源和各種電機驅(qū)動

ROHM
2023-04-20

工業(yè)設(shè)備電機驅(qū)動 MOSFET
使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

電子電路中的電流通常必須受到限制。例如，在USB端口中，必須防止電流過大，以便為電路提供可靠的保護。同樣，在充電寶中，必須防止電池放電。放電電流過高會導(dǎo)致電池的壓降太大和下游設(shè)備的供電電壓不足。

ADI
2023-04-19

電流電子電路 MOSFET
英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

【2023年4月13日，德國慕尼黑訊】追求高效率的高功率應(yīng)用持續(xù)向更高功率密度及成本最佳化發(fā)展，也為電動汽車等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了永續(xù)價值。為了應(yīng)對相應(yīng)的挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）宣布其高壓MOSFET 適用的 QDPAK 和 DDPAK 頂部冷卻 (TSC) 封裝已成功注冊為 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。這項舉措不僅進一步鞏固了英飛凌將此標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計和外型的TSC 封裝推廣至廣泛新型設(shè)計的目標(biāo)，也給OEM 廠商提供了更多的彈性與優(yōu)勢，幫助他們在市場中創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品，并將功率密度提升至更高水準(zhǔn)，以支持各種應(yīng)用。

英飛凌
2023-04-13

電源開關(guān) 電源回路設(shè)計 MOSFET
Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達驅(qū)動、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用，對更高效率與更高功率密度的需求。

Diodes Incorporated
2023-04-13

數(shù)據(jù)中心碳化硅 MOSFET
Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%

RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應(yīng)用

Nexperia
2023-03-22

SMD銅夾片熱插拔計算應(yīng)用 MOSFET

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MOSFET

意法半導(dǎo)體碳化硅助力理想汽車加速進軍高壓純電動車市場

英飛凌推出帶有集成溫度傳感器的全新 CoolMOS S7T

英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

Littelfuse推出FDA117光隔離光伏驅(qū)動器為隔離開關(guān)應(yīng)用提供浮動電源

Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道增強模式功率MOSFET

TrendForce集邦咨詢：預(yù)估2023年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比約29%，2027將擴大至33%

Littelfuse宣布推出采用改進型SOT-223-2L封裝的800V N溝道耗盡型MOSFET

美浦森半導(dǎo)體通過SGS可靠性檢測獲AEC-Q101認證

意法半導(dǎo)體推出熱切換理想二極管控制器，適用于ASIL-D 汽車安全關(guān)鍵應(yīng)用

ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

英飛凌高壓超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件，用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用

儒卓力攜手威世在2023年慕尼黑上海電子展聯(lián)合展示汽車解決方案

采用TO263-7封裝的新一代1200 V CoolSiC?溝槽式MOSFET推動電動出行的發(fā)展

意法半導(dǎo)體發(fā)布100V工業(yè)級STripFET F8晶體管，優(yōu)值系數(shù)提高 40%

采用增強互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計高能效焊機

ROHM開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET，有助于提高應(yīng)用設(shè)備工作效率

使用集成MOSFET限制電流的簡單方法

英飛凌適合高功率應(yīng)用的QDPAK和DDPAK頂部冷卻封裝注冊為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)

Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級碳化硅 MOSFET

Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)，管腳尺寸縮小60%

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