MOSFET
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東芝推出采用最新一代工藝[1]技術(shù)的100V N溝道功率MOSFET，助力提高工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源效率
中國上海，2025年9月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設(shè)備。產(chǎn)品于今日開始正式出貨。
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開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路的RCD緩沖設(shè)計詳解
在開關(guān)電源設(shè)計中，MOSFET作為核心開關(guān)器件，其開關(guān)過程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)。本文從工作原理、參數(shù)設(shè)計、優(yōu)化策略三方面解析RCD緩沖電路的核心設(shè)計要點。
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英飛凌推出75 mΩ工業(yè)級CoolSiC? 650 V G2系列MOSFET，適用于具備高功率密度需求的中功率應(yīng)用場景
【2025年9月22日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)宣布擴展其 CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合，新增 75 mΩ 規(guī)格型號，以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，該產(chǎn)品組合可同時支持頂部冷卻(TSC)與底部冷卻(BSC)兩種散熱方案，為研發(fā)人員的設(shè)計提供了高度靈活性。此類器件非常適用于中高功率等級的開關(guān)模式電源(SMPS)，可廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域，包括AI服務(wù)器、可再生能源系統(tǒng)、電動汽車及電動汽車充電樁、人形機器人充電、電視機以及各類驅(qū)動系統(tǒng)。
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搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)
中國上海，2025年9月10日——全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(總部位于德國赫爾佐根奧拉赫，以下簡稱“舍弗勒”)宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開始量產(chǎn)搭載羅姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國大型汽車制造商設(shè)計的產(chǎn)品。
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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
-三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度-
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英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度
【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅(qū)動和固態(tài)斷路器等。
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開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計之門|魯歐智造第三屆用戶大會成功舉辦
7月18日，由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計園、北航確信可靠性聯(lián)合實驗室協(xié)辦的第三屆用戶大會在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會以“開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計之門”為主題，吸引了來自全國各地的300余名行業(yè)專家、企業(yè)代表及技術(shù)精英齊聚北京。
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配置四開關(guān)降壓-升壓型μModule穩(wěn)壓器來適應(yīng)不同應(yīng)用：升壓、降壓或反相輸出
許多電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用都需要支持寬輸入或輸出電壓范圍。ADI公司的一款大電流、高效率、全集成式四開關(guān)降壓-升壓型電源模塊可以滿足此類應(yīng)用的需求。該款器件將控制器、MOSFET、功率電感和電容集成到先進的3D集成封裝中，實現(xiàn)了緊湊的設(shè)計和穩(wěn)健的性能。這款μModule?穩(wěn)壓器支持非常寬的輸入和輸出電壓范圍，擁有高功率密度、優(yōu)越的效率和出色的熱性能。本文重點介紹了該款器件的多功能性，展示了它在各種拓撲中的應(yīng)用，包括降壓拓撲、升壓拓撲和適用于負輸出應(yīng)用的反相降壓-升壓配置。
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MOSFET失效模式分析：從雪崩擊穿到熱失控的預(yù)防措施
在電力電子系統(tǒng)中，MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）作為核心開關(guān)器件，其可靠性直接影響系統(tǒng)壽命。據(jù)統(tǒng)計，功率器件失效案例中，MOSFET占比超過40%，主要失效模式包括雪崩擊穿、熱失控、柵極氧化層擊穿等。本文從物理機制出發(fā)，系統(tǒng)分析MOSFET的典型失效模式，并提出針對性的預(yù)防策略，為高可靠性設(shè)計提供理論支撐。
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碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，體二極管反向恢復與開關(guān)振鈴的協(xié)同抑制
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導通電阻、高頻開關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EMI)、體二極管反向恢復電流及開關(guān)振鈴現(xiàn)象，正成為制約系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵瓶頸。本文從器件物理機制出發(fā)，結(jié)合工程實踐，系統(tǒng)分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出體二極管反向恢復與開關(guān)振鈴的協(xié)同抑制策略。
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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領(lǐng)先的性能指標
美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。
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Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來
協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術(shù)與臺達智能節(jié)能解決方案，加速可持續(xù)應(yīng)用開發(fā)
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英飛凌榮獲DENSO商業(yè)合作伙伴獎
【2025年7月17日, 德國慕尼黑訊】全球領(lǐng)先的交通出行解決方案供應(yīng)商DENSO在其年度北美商業(yè)合作伙伴大會(NABPC)上，為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)授予了2025年北美商業(yè)合作伙伴“價值領(lǐng)導者”獎。共有來自北美各地的約150名供應(yīng)商代表參加了此次大會，DENSO在會上表彰了15家杰出的商業(yè)合作伙伴。
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英飛凌推出具有超低導通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2，適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用
【2025年7月1日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計。它提供一系列精細化的產(chǎn)品組合，在25°C時R?DS(on)?值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、 DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動汽車（xEV）輔助設(shè)備等應(yīng)用，以及電動汽車充電、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、通訊和開關(guān)電源（SMPS）等工業(yè)應(yīng)用。
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羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”
應(yīng)用于牽引逆變器，助力續(xù)航里程和性能提升
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SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
基于多個高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢：設(shè)計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。
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英飛凌CoolMOS? 8超結(jié)MOSFET為光寶科技數(shù)據(jù)中心應(yīng)用樹立最佳系統(tǒng)性能新標桿
【2025年6月13日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）為電源管理解決方案領(lǐng)域領(lǐng)導者光寶科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，使服務(wù)器應(yīng)用擁有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS? 8提供了一體化解決方案，將優(yōu)化光寶科技新一代技術(shù)在現(xiàn)有及未來服務(wù)器應(yīng)用與數(shù)據(jù)中心設(shè)計中的性能。
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英飛凌推出全新緊湊型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP），可在寬輸入電壓范圍內(nèi)提供最高60 W高效功率輸出
【2025年5月28日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSET?封裝系統(tǒng)（SiP）。這款緊湊的全集成式系統(tǒng)功率控制器可在85 - 305 VAC通用輸入電壓范圍內(nèi)提供最高60 W高效功率輸出。系統(tǒng)中的高壓 MOSFET采用小型SMD封裝，擁有低RDS(ON)且無需外部散熱器，從而縮小了系統(tǒng)尺寸并降低了復雜性。CoolSET? SiP支持零電壓開關(guān)（ZVS）反激式操作，在實現(xiàn)低開關(guān)損耗和低EMI特性的同時，提高系統(tǒng)可靠性和穩(wěn)健性。這使其成為大型家用電器和AI服務(wù)器等應(yīng)用的理想解決方案。此外，這款控制器使開發(fā)者更容易滿足嚴格的能源標準，幫助他們設(shè)計開發(fā)出與時俱進的最新功率解決方案。
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利用理想二極管，實現(xiàn)穩(wěn)健的電源
穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個電源。使用多個不同電源為器件供電時，需要部署若干開關(guān)以將電源相互分隔開，以防損壞。對此，固然可在電源路徑中使用多個二極管來實現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類理想二極管的優(yōu)勢。文中將展示兩個版本的理想二極管：一個是無需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個版本則更加簡單，始終由更高的電壓為系統(tǒng)供電。
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英飛凌OptiMOS? 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標準
【2025年5月16日, 德國慕尼黑訊】隨著圖形處理器（GPU）的性能日益強大，對板級電源的要求也越來越高。中間總線轉(zhuǎn)換器（IBC）可將48 V輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的總線電壓，這對于AI數(shù)據(jù)中心的能效、功率密度和散熱性能愈發(fā)重要。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布，其采用緊湊型5x6 mm2 雙面散熱（DSC）封裝的OptiMOS? 6 80V 功率 MOSFET已被集成到一家領(lǐng)先處理器制造商AI服務(wù)器平臺的 IBC級。應(yīng)用測試表明，其效率較之前使用的解決方案提高約 0.4%，相當于每kW負載節(jié)省約4.3 W。如果能擴展到系統(tǒng)層面，如服務(wù)器機架或整個數(shù)據(jù)中心，則將帶來顯著的節(jié)能效果。
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