MOSFET
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英飛凌推出針對(duì)工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7 功率MOSFET
【2025年10月22日, 德國慕尼黑訊】各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，而針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計(jì)思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應(yīng)用場景為核心的設(shè)計(jì)理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出適用于工業(yè)與消費(fèi)市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS? 7系列為各類工業(yè)與消費(fèi)應(yīng)用場景提供了理想的解決方案，其產(chǎn)品涵蓋高性能開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、RDS(ON)優(yōu)化等特定應(yīng)用領(lǐng)域。
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如何利用Arduino控制直流電機(jī)MOSFET速度
在本教程中，我們將學(xué)習(xí)如何使用MOSFET模塊控制直流電機(jī)速度。
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體積更小且支持大功率!ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
中國上海，2025年10月16日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品(TO-263-7L)相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS(儲(chǔ)能系統(tǒng))以及要求扁平化設(shè)計(jì)的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。
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東芝推出采用最新一代工藝[1]技術(shù)的100V N溝道功率MOSFET，助力提高工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源效率
中國上海，2025年9月25日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出采用東芝最新一代工藝[1]U-MOS11-H制造的100V N溝道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。該MOSFET主要面向開關(guān)電源等應(yīng)用，適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站使用的工業(yè)設(shè)備。產(chǎn)品于今日開始正式出貨。
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開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的RCD緩沖設(shè)計(jì)詳解
在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為核心開關(guān)器件，其開關(guān)過程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護(hù)MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)。本文從工作原理、參數(shù)設(shè)計(jì)、優(yōu)化策略三方面解析RCD緩沖電路的核心設(shè)計(jì)要點(diǎn)。
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英飛凌推出75 mΩ工業(yè)級(jí)CoolSiC? 650 V G2系列MOSFET，適用于具備高功率密度需求的中功率應(yīng)用場景
【2025年9月22日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)宣布擴(kuò)展其 CoolSiC? 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合，新增 75 mΩ 規(guī)格型號(hào)，以滿足市場對(duì)更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇，包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此，該產(chǎn)品組合可同時(shí)支持頂部冷卻(TSC)與底部冷卻(BSC)兩種散熱方案，為研發(fā)人員的設(shè)計(jì)提供了高度靈活性。此類器件非常適用于中高功率等級(jí)的開關(guān)模式電源(SMPS)，可廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括AI服務(wù)器、可再生能源系統(tǒng)、電動(dòng)汽車及電動(dòng)汽車充電樁、人形機(jī)器人充電、電視機(jī)以及各類驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
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搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)
中國上海，2025年9月10日——全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)與德國大型汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒集團(tuán)(總部位于德國赫爾佐根奧拉赫，以下簡稱“舍弗勒”)宣布，作為戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系的重要里程碑，舍弗勒開始量產(chǎn)搭載羅姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是面向中國大型汽車制造商設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。
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東芝推出采用TOLL封裝的第3代650V SiC MOSFET
-三款新器件助力提升工業(yè)設(shè)備的效率和功率密度-
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英飛凌推出采用 Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2，將工業(yè)應(yīng)用功率密度提升至新高度
【2025年8月1日，德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車充電機(jī)、光伏逆變器、不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和固態(tài)斷路器等。
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開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門|魯歐智造第三屆用戶大會(huì)成功舉辦
7月18日，由魯歐智造(山東)數(shù)字科技有限公司主辦、中關(guān)村集成電路設(shè)計(jì)園、北航確信可靠性聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦的第三屆用戶大會(huì)在北京朗麗茲西山花園酒店成功舉辦。本次大會(huì)以“開啟電子熱管理技術(shù)圈的正向設(shè)計(jì)之門”為主題，吸引了來自全國各地的300余名行業(yè)專家、企業(yè)代表及技術(shù)精英齊聚北京。
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配置四開關(guān)降壓-升壓型μModule穩(wěn)壓器來適應(yīng)不同應(yīng)用：升壓、降壓或反相輸出
許多電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用都需要支持寬輸入或輸出電壓范圍。ADI公司的一款大電流、高效率、全集成式四開關(guān)降壓-升壓型電源模塊可以滿足此類應(yīng)用的需求。該款器件將控制器、MOSFET、功率電感和電容集成到先進(jìn)的3D集成封裝中，實(shí)現(xiàn)了緊湊的設(shè)計(jì)和穩(wěn)健的性能。這款μModule?穩(wěn)壓器支持非常寬的輸入和輸出電壓范圍，擁有高功率密度、優(yōu)越的效率和出色的熱性能。本文重點(diǎn)介紹了該款器件的多功能性，展示了它在各種拓?fù)渲械膽?yīng)用，包括降壓拓?fù)?、升壓拓?fù)浜瓦m用于負(fù)輸出應(yīng)用的反相降壓-升壓配置。
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MOSFET失效模式分析：從雪崩擊穿到熱失控的預(yù)防措施
在電力電子系統(tǒng)中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為核心開關(guān)器件，其可靠性直接影響系統(tǒng)壽命。據(jù)統(tǒng)計(jì)，功率器件失效案例中，MOSFET占比超過40%，主要失效模式包括雪崩擊穿、熱失控、柵極氧化層擊穿等。本文從物理機(jī)制出發(fā)，系統(tǒng)分析MOSFET的典型失效模式，并提出針對(duì)性的預(yù)防策略，為高可靠性設(shè)計(jì)提供理論支撐。
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碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，體二極管反向恢復(fù)與開關(guān)振鈴的協(xié)同抑制
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進(jìn)的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EMI)、體二極管反向恢復(fù)電流及開關(guān)振鈴現(xiàn)象，正成為制約系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵瓶頸。本文從器件物理機(jī)制出發(fā)，結(jié)合工程實(shí)踐，系統(tǒng)分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出體二極管反向恢復(fù)與開關(guān)振鈴的協(xié)同抑制策略。
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iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET，展示業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)
美國賓夕法尼亞州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。
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Microchip與臺(tái)達(dá)電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來
協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術(shù)與臺(tái)達(dá)智能節(jié)能解決方案，加速可持續(xù)應(yīng)用開發(fā)
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英飛凌榮獲DENSO商業(yè)合作伙伴獎(jiǎng)
【2025年7月17日, 德國慕尼黑訊】全球領(lǐng)先的交通出行解決方案供應(yīng)商DENSO在其年度北美商業(yè)合作伙伴大會(huì)(NABPC)上，為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)授予了2025年北美商業(yè)合作伙伴“價(jià)值領(lǐng)導(dǎo)者”獎(jiǎng)。共有來自北美各地的約150名供應(yīng)商代表參加了此次大會(huì)，DENSO在會(huì)上表彰了15家杰出的商業(yè)合作伙伴。
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英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2，適用于汽車和工業(yè)功率電子應(yīng)用
【2025年7月1日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合，在25°C時(shí)R?DS(on)?值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、 DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車（xEV）輔助設(shè)備等應(yīng)用，以及電動(dòng)汽車充電、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、通訊和開關(guān)電源（SMPS）等工業(yè)應(yīng)用。
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羅姆的SiC MOSFET應(yīng)用于豐田全新純電車型“bZ5”
應(yīng)用于牽引逆變器，助力續(xù)航里程和性能提升
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SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)
基于多個(gè)高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢(shì)，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個(gè)區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨(dú)特優(yōu)勢(shì)：設(shè)計(jì)自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個(gè) MOSFET 無法滿足功率需求時(shí)，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。
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英飛凌CoolMOS? 8超結(jié)MOSFET為光寶科技數(shù)據(jù)中心應(yīng)用樹立最佳系統(tǒng)性能新標(biāo)桿
【2025年6月13日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）為電源管理解決方案領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者光寶科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，使服務(wù)器應(yīng)用擁有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS? 8提供了一體化解決方案，將優(yōu)化光寶科技新一代技術(shù)在現(xiàn)有及未來服務(wù)器應(yīng)用與數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)中的性能。
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