中國上海，2025年10月16日——全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL(TO-LeadLess)封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品(TO-263-7L)相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS(儲能系統(tǒng))以及要求扁平化設(shè)計的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。

與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的漏-源額定電壓為650V，而ROHM新產(chǎn)品則達到750V。因此，即使考慮到浪涌電壓等因素仍可抑制柵極電阻，從而有助于降低開關(guān)損耗。

產(chǎn)品陣容中包括13mΩ至65mΩ導(dǎo)通電阻的共6款機型的產(chǎn)品，并已于2025年9月開始量產(chǎn)(樣品價格：5,500日元/個，不含稅)。另外，新產(chǎn)品也已開始電商銷售，從Ameya360和Sekorm等電商平臺均可購買。另外，ROHM官網(wǎng)還提供6款新產(chǎn)品的仿真模型，助力客戶快速推進電路設(shè)計。

<開發(fā)背景>

在AI服務(wù)器和小型光伏逆變器等應(yīng)用中，功率呈日益提高的趨勢，同時，與之相矛盾的小型化需求也與日俱增，這就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特別是被稱為“卡片式”的超薄電源，其圖騰柱PFC電路*1需要滿足厚度4mm以下的嚴苛要求。為滿足這些市場需求，ROHM開發(fā)出厚度僅為2.3mm、遠低于以往封裝產(chǎn)品4.5mm的TOLL封裝SiC MOSFET。

<產(chǎn)品陣容>

<應(yīng)用示例>

?工業(yè)設(shè)備：AI服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等電源、光伏逆變器、ESS(儲能系統(tǒng))

?消費電子：一般電源

<電商銷售信息>

電商平臺 Ameya360、Sekorm

新產(chǎn)品在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。

(開始銷售時間：2025年9月起逐步發(fā)售)

<術(shù)語解說>

*1) 圖騰柱型PFC電路

一種高效率的功率因數(shù)校正電路方式，通過采用MOSFET作為整流器件來降低二極管損耗。通過采用SiC MOSFET，可實現(xiàn)高耐壓、高效率及支持高溫運行的電源。

<關(guān)于“EcoSiC?”品牌>

EcoSiC?是采用了因性能優(yōu)于硅(Si)而在功率元器件領(lǐng)域備受關(guān)注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。從晶圓生產(chǎn)到制造工藝、封裝和品質(zhì)管理方法，ROHM一直在自主開發(fā)SiC產(chǎn)品升級所必需的技術(shù)。另外，ROHM在制造過程中采用的是一貫制生產(chǎn)體系，已經(jīng)確立了SiC領(lǐng)域先進企業(yè)的地位。