英飛凌推出針對(duì)工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS? 7 功率MOSFET
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【2025年10月22日, 德國(guó)慕尼黑訊】各行業(yè)高功耗應(yīng)用的快速增長(zhǎng)對(duì)功率電子技術(shù)提出了更高的要求,包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,而針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的設(shè)計(jì)思路為進(jìn)一步提升已高度成熟的MOSFET技術(shù)帶來(lái)了新的可能性。通過(guò)采用這種以具體應(yīng)用場(chǎng)景為核心的設(shè)計(jì)理念,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出適用于工業(yè)與消費(fèi)市場(chǎng)的OptiMOS? 7功率MOSFET系列,進(jìn)一步擴(kuò)展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應(yīng)用產(chǎn)品組合。新OptiMOS? 7系列為各類工業(yè)與消費(fèi)應(yīng)用場(chǎng)景提供了理想的解決方案,其產(chǎn)品涵蓋高性能開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、RDS(ON)優(yōu)化等特定應(yīng)用領(lǐng)域。
OptiMOS? 7標(biāo)識(shí)
OptiMOS? 7 25 V:為優(yōu)化開(kāi)關(guān)應(yīng)用量身定制
OptiMOS? 7 25V MOSFET跳脫出傳統(tǒng)通用型設(shè)計(jì)思路,提供專為開(kāi)關(guān)應(yīng)用量身定制的產(chǎn)品型號(hào)。該系列產(chǎn)品重點(diǎn)面向諸如中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)等應(yīng)用,這類轉(zhuǎn)換器采用多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),用于48V電壓轉(zhuǎn)換以支持AI核心供電。此外,它還廣泛適用于電信設(shè)備和傳統(tǒng)服務(wù)器中的開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。該產(chǎn)品組合分為兩大技術(shù)類別:分別采用硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)做設(shè)備優(yōu)化。前者具有出色的米勒比、性能指數(shù)(FOM)和RDS(ON)10;后者具有超低的RDS(ON)45和FOMQg。新一代產(chǎn)品根據(jù)優(yōu)化類型不同,其RDS(ON)和FOM較OptiMOS? 5 25V分別最多降低20%和提升25%。
OptiMOS? 7產(chǎn)品組合
OptiMOS? 7 40 V:為優(yōu)化電機(jī)驅(qū)動(dòng)量身定制
OptiMOS? 7 40 V MOSFET專為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用而設(shè)計(jì),較前代產(chǎn)品具有更低的RDS(on)、更強(qiáng)大的柵極特性和抗噪性能,并且其安全工作區(qū)(SOA)擴(kuò)大了三倍。其較低的跨導(dǎo)特性優(yōu)化了電流分布,進(jìn)而減少電壓過(guò)沖,同時(shí)提高在惡劣工況下的性能。該產(chǎn)品組合適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用、電動(dòng)工具和園藝設(shè)備,可提供極高的可靠性、效率和功率密度。





