【2025年10月22日, 德國慕尼黑訊】各行業(yè)高功耗應用的快速增長對功率電子技術提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在這方面發(fā)揮著關鍵作用，而針對應用優(yōu)化的設計思路為進一步提升已高度成熟的MOSFET技術帶來了新的可能性。通過采用這種以具體應用場景為核心的設計理念，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)推出適用于工業(yè)與消費市場的OptiMOS? 7功率MOSFET系列，進一步擴展其現(xiàn)有的OptiMOS? 7汽車應用產(chǎn)品組合。新OptiMOS? 7系列為各類工業(yè)與消費應用場景提供了理想的解決方案，其產(chǎn)品涵蓋高性能開關、電機驅(qū)動、RDS(ON)優(yōu)化等特定應用領域。

OptiMOS? 7標識

OptiMOS? 7 25 V：為優(yōu)化開關應用量身定制

OptiMOS? 7 25V MOSFET跳脫出傳統(tǒng)通用型設計思路，提供專為開關應用量身定制的產(chǎn)品型號。該系列產(chǎn)品重點面向諸如中間總線轉(zhuǎn)換器(IBC)等應用，這類轉(zhuǎn)換器采用多種拓撲結(jié)構(gòu)，用于48V電壓轉(zhuǎn)換以支持AI核心供電。此外，它還廣泛適用于電信設備和傳統(tǒng)服務器中的開關模式電源(SMPS)應用。該產(chǎn)品組合分為兩大技術類別：分別采用硬開關拓撲結(jié)構(gòu)和軟開關拓撲結(jié)構(gòu)做設備優(yōu)化。前者具有出色的米勒比、性能指數(shù)(FOM)和RDS(ON)10;后者具有超低的RDS(ON)45和FOMQg。新一代產(chǎn)品根據(jù)優(yōu)化類型不同，其RDS(ON)和FOM較OptiMOS? 5 25V分別最多降低20%和提升25%。

OptiMOS? 7產(chǎn)品組合

OptiMOS? 7 40 V：為優(yōu)化電機驅(qū)動量身定制

OptiMOS? 7 40 V MOSFET專為電機驅(qū)動應用而設計，較前代產(chǎn)品具有更低的RDS(on)、更強大的柵極特性和抗噪性能，并且其安全工作區(qū)(SOA)擴大了三倍。其較低的跨導特性優(yōu)化了電流分布，進而減少電壓過沖，同時提高在惡劣工況下的性能。該產(chǎn)品組合適用于電機驅(qū)動應用、電動工具和園藝設備，可提供極高的可靠性、效率和功率密度。