英飛凌擴展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計算密集型應用而設計的400V和440V MOSFET
【2025年10月24日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY)通過增加頂部散熱(TSC)的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，涵蓋了AI服務器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機驅(qū)動、固態(tài)斷路器等領域。這款新產(chǎn)品可為這些關鍵系統(tǒng)提供所需的可靠性與性能。
CoolSiC? MOSFET 400 V G2產(chǎn)品組合專為滿足高功率與計算密集型應用需求而設計，適用于包括AI服務器電源在內(nèi)的多種場景
與傳統(tǒng)的250V和300V電壓等級的硅(Si)技術相比，CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在120°C工作溫度下的導通損耗可降低多達50%，這歸功于其導通電阻R(DS(on)隨結溫(Tj)變化的平穩(wěn)表現(xiàn)。此外，其開關性能指標顯著提升，反向恢復電荷相比傳統(tǒng)技術減少了至少五倍。在系統(tǒng)層面，CoolSiC? G2 400V和440V MOSFET在用于三電平飛跨電容CCM圖騰柱PFC ，相較于交錯式兩電平CCM圖騰柱PFC電路，峰值電源效率提升最高可達0.4%，相當于峰值效率下系統(tǒng)損耗減少約15%。
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