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[導(dǎo)讀]新型X4級(jí)器件在簡(jiǎn)化熱設(shè)計(jì),提高效率的同時(shí)減少了儲(chǔ)能、充電、無人機(jī)和工業(yè)應(yīng)用中零部件數(shù)量。

伊利諾伊州羅斯蒙特,2025年12月9日 -- Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家多元化的工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級(jí)超級(jí)結(jié)功率MOSFET。這款200 V、480 A N通道MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)極低,僅為1.99 mΩ,可在功率密集型設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)卓越的導(dǎo)通效率、簡(jiǎn)化熱管理并提高系統(tǒng)可靠性。

MMIX1T500N20X4功率MOSFET

MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔離SMPD-X封裝,配備頂部散熱結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)最佳熱管理。與最先進(jìn)的現(xiàn)有X4級(jí)MOSFET解決方案相比,該器件提供高達(dá)2倍的額定電流和低63%的RDS(on),使工程師能夠?qū)⒍鄠€(gè)并聯(lián)的低電流器件整合到單一的高電流解決方案中。

功能與特色:

· 200 V阻斷電壓,1.99 mΩ超低RDS(on),可將傳導(dǎo)損耗降至最低;

· 高電流能力(ID = 480 A)減少了所需并聯(lián)器件的數(shù)量;

· 緊湊型SMPD-X隔離封裝,具有2500 V隔離和改進(jìn)的熱阻(Rth(j-c) = 0.14 °C/W);

· 低柵極電荷(Qg = 535 nC)降低了柵極驅(qū)動(dòng)功率要求;

· 采用頂部冷卻式封裝,簡(jiǎn)化熱管理。

這些特性共同實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度、更少的元件數(shù)量以及更簡(jiǎn)便的組裝流程,有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

應(yīng)用:

該MMIX1T500N20X4非常適合:

· 直流負(fù)載開關(guān);

· 電池儲(chǔ)能系統(tǒng);

· 工業(yè)和過程電源;

· 工業(yè)充電基礎(chǔ)設(shè)施;

· 無人機(jī)和垂直起降飛行器(VTOL)平臺(tái)。

“新款器件使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒍鄠€(gè)并聯(lián)的低電流器件整合到一個(gè)高電流器件中,從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并減少元件數(shù)量。”Littelfuse產(chǎn)品營(yíng)銷分析師Antonio Quijano介紹道, “這有助于提高系統(tǒng)可靠性,簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)器的實(shí)施,同時(shí)提高功率密度和PCB空間利用率。”

常見問答(FAQ)

1. 與現(xiàn)有解決方案相比,MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系統(tǒng)效率?

MMIX1T500N20X4提供1.99 mΩ的超低RDS(on),額定電流為480 A,可減少傳導(dǎo)損耗和發(fā)熱。用單個(gè)器件取代多個(gè)并聯(lián)MOSFET,可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)量并提升整體系統(tǒng)效率。

2. 這款MOSFET最適合哪些應(yīng)用場(chǎng)景?

MOSFET非常適合對(duì)效率和可靠性要求嚴(yán)苛的大電流、中低壓系統(tǒng)。典型應(yīng)用包括直流負(fù)載開關(guān)、電池儲(chǔ)能、工業(yè)電源、充電基礎(chǔ)設(shè)施以及無人機(jī)或垂直起降飛行器的電力電子設(shè)備。

3. SMPD-X設(shè)計(jì)在散熱和封裝方面具有哪些優(yōu)勢(shì)?

高性能陶瓷基SMPD-X封裝具有出色的熱阻(Rth(j-c) = 0.14 °C/W)和2500 VRMS隔離性能,可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更安全的操作。其頂部冷卻設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了熱管理,減小了系統(tǒng)尺寸,并增強(qiáng)了長(zhǎng)期可靠性。

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