飛兆半導體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優(yōu)勢，能同時為DC/DC轉換器的初級和次級同步整流開關電源設計提供優(yōu)異的整體系統(tǒng)效率。FDS3572提供7

具有寬占空因子范圍的隔離式 MOSFET 驅動器

圖 1 所示電路主要用途是用于驅動頻率范圍為 1 Hz 至 300 kHz、占空因子為 0 ~ 100%的功率 MOSFE

飛兆半導體的80 V MOSFET

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IR D類音頻功放用 MOSFET

IR AC-DC同步整流MOSFET

IR AC-DC同步整流MOSFET

IR MOSFET及控制芯片組方案

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移動通信平臺中使用的雙路電源控制器MAX1715

討論了MAX1715在移動通信平臺中的應用方法，電路設計，參數(shù)計算及實驗電路和實驗結果。

新型IGBT/MOSFET驅動模塊SKHI22A/B

SKHI22A/B是德國西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅動模塊。

一種專為IGBT和MOSFET設計的驅動器

介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設計的電力電子驅動器件——SCALE集成驅動器的性能特點和內部結構 。

Maxim:MAX1567

MAX1567是一款六通道、高效率、完整的數(shù)碼相機電源轉換器方案，它適應2節(jié)AA，1節(jié)鋰電池和其它雙電池應用。其主要特點如下：1：該器件具有六個直流-直流轉換器通道：內置MOSFET的升壓轉換器；內置MOSFET可配置為升壓或

凌特公司通過2.6A超低正向電壓理想二極管提高二極管“或”效率

凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4411 低損耗 Power PathTM 控制器，能夠控制一個集成 P 溝道 MOSFET，為電源切換或負載共享提供近于理想的二極管功能。在導通時，MOSFET 的電壓降至 28mV，比同類別的肖特基二

IR全新多功能驅動集成電路

功率半導體領袖國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR2304及IR2308多功能600V高側及低側驅動集成電路，產品整合了專為照明鎮(zhèn)流器、電源及電機驅動內的半橋MOSFET或IGBT電路而設的保護功能。IR230

飛兆半導體推出采用SC75 FLMP封裝的低壓MOSFET

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P，為便攜設備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢，這些設備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉換器及

IR全新MOSFET具備快速本體二極管特性

功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新600V HEXFET功率MOSFET系列，新器件具備快速本體二極管特性，專為零電壓開關 (ZVS) 電路等軟開關應用度身訂造。ZVS技術能在開關式電源 (SM