SAM4E單片機之旅——16、NAND Flash讀寫

這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。一、 接線這個開發(fā)板搭載了一個256 MB，8位的NAND Flash（MT29F2G08ABAEA）。引腳接線如下：偷個懶，直接上引腳復用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為

威剛：看好明年DRAM市場需求

NAND Flash方面，威剛認為，在價格及新技術逐步成熟驅動下，預期2019年SSD市場滲透率及使用容量都將大幅提升。

四季度NAND持續(xù)供過于求，降價幅度或加大！

市場觀察機構DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，2018年第三季度全球NAND閃存產(chǎn)業(yè)價值170億美元，環(huán)比增長4.4％，而閃存芯片價格平均降低了10-15％。隨著64/72層堆疊3D閃存的良率和

u-boot在s3c2410研發(fā)板上移植（NAND Flash Boot）過程

這篇文章對于我的U－Boot移植起了重要作用，闡述了U－Boot從NAND Flash啟動需要做的修改，但是其做法并不是完全正確（只是個人意見）。在這里謝謝Bekars渦輪增壓??！ 這篇文章轉載自他的博客：http://blog.csdn.net/

勝創(chuàng)推出全新M.2 SSD：讀寫速度達3.4GB/s，容量最高1TB

內存品牌勝創(chuàng)（KINGMAX）近日推出了全新的M.2 SSD產(chǎn)品—;—;Zeus M.2 2280 PCIe NVMe Gen3x4 SSD PX3480。PX3480與大多數(shù)M.2 NVMe 1.3

s3c2440 nand flash 拷貝實驗

首先明確一下我們的編程步驟。（1）、加電在nand_flash加載boot.s中4K以內的程序。這4k將自動拷貝到SRAM（片內RAM）執(zhí)行。（2）、我們需要用這4k的程序實現(xiàn)nand-flash中4K以后的程序的拷貝（當然，拷貝到SDRAM基址為

NAND Flash與S3C2410的接口電路

　　引言　　當前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設計中，存儲模塊設計是不可或缺的重要方面。NOR和 NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。NOR Flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系

ARM的兩種啟動方式 （NAND FLASH. NOR FLASH）

為什么會有兩種啟動方式？這就是有兩種FLASH 的不同特點決定的。NAND FLASH 容量大，存儲的單位比特數(shù)據(jù)的成本要低很多，但是要按照特定的時序對NAND FLASH 進行讀寫，因此CPU 無法對NAND FLASH 的數(shù)據(jù)進行直接尋址，

nand flash啟動分析

2410支持從nand flash啟動。通過將flash中最開始的4k代碼拷貝到，2410片內的一塊不用初始化的sram中運行，該拷貝過程完全由硬件支持，無需軟件操作?！　and Flash控制器有一個特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand F

半導體 “黑天鵝”陰云籠罩行業(yè)復蘇

鑒于半導體行業(yè)顯然處于下行周期中(盡管有愚蠢的人否認周期性的存在)，大多數(shù)投資者和行業(yè)參與者都想知道下行周期的時間和復蘇的形態(tài)，因為我們想知道何時再購買股票是安全的。我們也想嘗試預測復蘇的爬升速度，以評估行業(yè)和股票的增長。

兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產(chǎn)品領域通力合作

日前，業(yè)界領先的半導體供應商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產(chǎn)品可通過Digi-Key實現(xiàn)全球即時發(fā)貨，并在交貨周期及產(chǎn)品價格上更貼近客戶需求。

NAND價格下探0.1美元 三星、美光等原廠積極擴產(chǎn)

受惠于NAND Flash每GB價格下探0.1美元的甜蜜點，終端需求大爆發(fā)，三星、SK海力士、美光、東芝等均繼續(xù)積極擴充NAND產(chǎn)線，此舉對以量取勝的封測大廠力成與華泰來說，是一大佳音。近兩年，2D NAND轉向3D NAND，處于克服良率的階段，產(chǎn)能自然減少，導致后段封測廠訂單不理想，但近期因3D NAND良率持續(xù)提升，市場供給量增加，雖導致NAND報價快速且長時間的下滑，但也因為報價跌到市場可大量接受的甜蜜點，致使需求量快速拉升。

全球首個4D NAND閃存量產(chǎn)，96層堆棧，速度提升30%

早在今年的FMS國際閃存會議上，SK Hynix就宣告了業(yè)界首個基于CTF技術的4D NAND閃存，日前他們又宣布4D NAND閃存正式量產(chǎn)，目前主要是TLC類型，96層堆棧，512Gb核心容量，使用該技術可以減少30%的核心面積，讀取、寫入速度分別提升30%、25%。

嵌入式平臺上NAND FLASH的驅動實現(xiàn)

宜鼎工業(yè)高級3D NAND SSD 全球量產(chǎn)正式啟動

工控儲存領導廠商宜鼎國際，旗下工業(yè)級3D NAND SSD將正式于10月份開啟全球量產(chǎn)，穩(wěn)步提高產(chǎn)能。宜鼎國際董事長簡川勝表示，為提供業(yè)界高等級工控品質，宜鼎3D NAND TLC花費超過兩年時間進行前期導入測試以及工規(guī)等級的壓力震動測試，目前已成功導入客戶端，并持續(xù)以高端規(guī)格支持工控產(chǎn)業(yè)升級。

OK6410裸機簡單的NAND FLASH驅動,讀取一頁

OK6410裸機簡單的NAND?FLASH驅動,只寫了個簡單的函數(shù),讀取一頁 /**********************************************************

漲價太猛泡沫破裂? NAND2019年或要再跌50%

房地產(chǎn)泡沫喊了好多年了也沒見多少破裂，半導體行業(yè)里卻遇上了!還記得去年存儲產(chǎn)品的瘋狂漲價嗎?現(xiàn)在開始價格就像過山車開始下坡了。2016年下半年開始的新一輪存儲芯片的旺季，DRAM內存及NAND閃存的價格從那時候開始

英特爾14nm產(chǎn)能不足整個產(chǎn)業(yè)鏈都倒霉，西數(shù)已成受害者之一 ...

導致西數(shù)業(yè)績大降的因素除了HDD、NAND市場自身原因之外，還有很重要的外因，那就是某廠商的處理器缺貨，西數(shù)沒有指明品牌，不過大家都知道這是在說英特爾，早前也有分析稱英特爾14nm產(chǎn)能不足將會導致整個PC產(chǎn)業(yè)鏈受到影響，現(xiàn)在也應驗了。

英特爾美光合作徹底結束？美光15億美元收購IMFT剩余股份

1978年10月18日，美光公司正式成立，現(xiàn)今差不多是美光成立四十周年，如今的美光已經(jīng)是全球第四大半導體公司。除了四十年紀念日，今天美光還宣布了一件事，那就是收購與英特爾合資的IM Flash（簡稱I

據(jù)日本共同社(Kyodo News)24日報道稱，全球第二大NAND閃存制造商東芝內存公司(Toshiba Memory)最快將于2019年秋季IPO(首次公開招股)。

據(jù)日本共同社(Kyodo News)24日報道稱，全球第二大NAND閃存制造商東芝內存公司(Toshiba Memory)最快將于2019年秋季IPO(首次公開招股)。