美光推出QLC NAND顆粒NVMe PCIe SSD

Crucial P1 SSD可提供最高2000MBps讀取與1700MBps寫入的表現(xiàn)，而在PCMark 8的混合模式測試可達到565MBps與5084分的表現(xiàn)，通過搭配SLC緩存構成動態(tài)寫入加速，具備180萬小時的MTTF與耐用性達200TB的寫入量，平均功耗僅100mW。QLC閃存顆粒相比以往的MLC、TLC速度低、穩(wěn)定性更差，所以售價方面想必也會更低一些，比較適合系統(tǒng)內沒有重要文件的用戶使用。

滿足先進汽車系統(tǒng)需求！西數3D NAND進入車用市場！

Western Digital(西部數據)公司近日推出了全球首款名為“i-NAND AT EU312 EFD”的3D TLC NAND車用嵌入式快閃存儲器，以滿足高級輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)和自動駕駛汽車等先進汽車系統(tǒng)的需求。

STM32 USB SD卡讀卡器和NAND FLASH模擬U盤

本次工程是要同時實現(xiàn)SD卡讀卡器和NAND Flash模擬U盤的功能。結合之前的兩個工程，稍稍修改下就可以了。既然要實現(xiàn)兩個盤，當然在usb_prop.c中的Max_Lun變量賦值為1，在USB_User組中同時添加fsmc_nand.c和sdio_sdcar

u-boot-2009.08在mini2440上的移植（三）---增加nand flash功能

移植環(huán)境1，主機環(huán)境：VMare下CentOS 5.5 ，1G內存。2，集成開發(fā)環(huán)境：Elipse IDE3，編譯編譯環(huán)境：arm-linux-gcc v4.4.3，arm-none-eabi-gcc v4.5.1。4，開發(fā)板：mini2440，2M nor flash，128M nand flash。5，u-bo

西部數據公司發(fā)布面向高端智能手機的96層3D NAND UFS 2.1嵌入式閃存盤

西部數據公司近日推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式閃存盤(EFD)-西部數據iNAND?MC EU321，旨在加速實現(xiàn)人工智能(AI)、增強現(xiàn)實(AR)、支持多個攝像頭的高分辨率攝影、4K視頻采集以及其他面向高端手機及計算設備的高要求應用。

大容量存儲需求強勁！西部數據發(fā)布96層3D NAND UFS 2.1嵌入式存儲

西數發(fā)布的96層3D NAND UFS 2.1存儲就是針對這一情況發(fā)布的產品，具備iNAND SmartSLC 5.1架構，針對目前熱門的AI、AR和多攝像頭支持、高分辨率拍攝等領域有所優(yōu)化。

基于ARM和NAND Flash的FPGA加載配置在TD-LTE中的實現(xiàn)

三星明年對存儲器投資整體下降：DRAM投資大降20%，NAND Flash投資將增加

報道進一步指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。

為減少對DRAM的依賴，SK加碼投資NAND！

日前有韓國媒體《Business Korea》分析，SK海力士這間M15工廠落成后，可借由擴大生產來縮小市場差距。另外根據SK海力士在第2季的財報中顯示，DRAM占80%的銷量，NAND Flash則僅占18%，和三星電子60：40的比重來比，SK海力士對DRAM的依賴偏高。SK海力士打算借由此次加碼投資NAND Flash來減少對DRAM的依賴。

ARM 系列 -- FS2410 開發(fā)板上 Nand Flash 到內存的代碼搬移

一、目的 通過將 Nand Flash 前 4K 代碼搬移到 SDRAM 中，了解如何初始化并使用 ARM 的內存， 為編寫 ARM bootloader 和搬移內核到內存作準備。二、代碼 關于如何建立開發(fā)環(huán)境，在我的前一篇隨筆(FS2401 發(fā)光二極管循

長江存儲高啟全：未來10年閃存 20%的市占率才能存活

對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入。

STM32 USB NAND Flash模擬U盤無法格式化問題的解決

前幾天，一直在尋找NAND Flash模擬U盤程序無法格式化的問題。在中秋月圓之夜，還苦逼地在實驗室調代碼，也許是杭州大圓月的原因，今晚感覺整人特別亢奮，效率也特別高，靈感也多。終于，在不懈的努力下，找到代碼中的

U-Boot中SMDK2410的NAND Flash驅動

標準的SMDK2410板不支持NAND Flash，啟動的時候是這樣的：U-Boot 1.1.2 (May 28 2006 - 08:20:50)U-Boot code: 33F80000 -> 33F99A14 BSS: -> 33F9DB0CRAM Configuration:Bank #0: 30000000 64 MBFlash: 1 MB*** War

新款iPhone 存儲器是定價的關鍵

根據《彭博社》24日報導，蘋果新款iPhone XS和iPhone XS Max智能手機，不同儲存容量版本，定價策略都有特別考量。彭博社表示，以iPhone XS的64GB容量版為準，蘋果預計512GB容量版的iPhone XS和iPhone XS Max要多賺取約134美元獲利。

東芝、西數宣布Fab 6工廠正式啟用！重點生產96層堆棧3D NAND閃存

今天東芝、西數一起宣布他們位于日本四日市三重縣的Fab 6工廠正式啟用，配套的閃存研發(fā)中心今年3月份已經運轉了，新的研發(fā)及生產中心重點就是96層堆棧3D NAND閃存，QLC閃存也將是重點，該工廠投產意味著東芝/西數的3D閃存產能進一步提速。

從Nand Flash啟動U-BOOT的基本原理

前4K的問題如果S3C2410被配置成從Nand Flash啟動(配置由硬件工程師在電路板設置), S3C2410的Nand Flash控制器有一個特殊的功能,在S3C2410上電后,Nand Flash控制器會自動的把Nand Flash上的前4K數據搬移到4K內部RAM中

中韓大力興建晶圓廠，兩國投資占全球一半

近年來中國對半導體愈加重視，并大力投資興建晶圓廠，而半導體產業(yè)相對發(fā)達的韓國也對建設晶圓廠非常重視，投資金額超過中國成為世界投資晶圓廠最多的國家。

中韓近年來大手筆興建晶圓廠，投資遠遠超過其他地區(qū)

其中韓國將以630億美元的投資領于其它地區(qū)，僅比排名第二的中國多10億美元。日本和美洲在晶圓廠方面的投資分別為220億美元和150億美元。而歐洲和東南亞投資總額均為80億美元。其中大約60%的晶圓廠將服務于內存領域(占比最大的將是3D NAND閃存，用于智能手機和數據中心的存儲產品)，而三分之一的晶圓廠將用于代工芯片制造。

迎接SSD低價大容量時代，群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash SSD控制芯片正式出貨

群聯(lián)董事長潘健成表示，QLC規(guī)格的單顆Flash晶粒儲存空間較上一代TLC規(guī)格多出1倍，容量升級、價格親民，這象征著SSD(固態(tài)硬盤)正式迎接低價大容量的時代!

STM32使用FSMC控制NAND flash 例程

近幾天開發(fā)項目需要用到STM32驅動NAND FLASH，但由于開發(fā)板例程以及固件庫是用于小頁（512B），我要用到的FLASH為1G bit的大頁（2K），多走了兩天彎路。以下筆記將說明如何將默認固件庫修改為大頁模式以驅動大容量NA