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2017年的內(nèi)存市場(chǎng)：一直在“缺貨”
內(nèi)存市場(chǎng)包含NAND Flash、NOR及DRAM，分別都受到供給短缺，以及需求大幅成長(zhǎng)的影響，導(dǎo)致內(nèi)存顆粒等料件價(jià)格暴漲。 不同內(nèi)存背后的市場(chǎng)供需變化，以及技術(shù)發(fā)展近況都是影響要素，同時(shí)，也影響著未來(lái)的價(jià)格走向。
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基于magnum 2 測(cè)試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測(cè)試技術(shù)研究
NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)壞塊和在使用過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)壞塊增長(zhǎng)的情況，針對(duì)這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測(cè)試機(jī)的速測(cè)試的方法，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測(cè)試效率。另外，針對(duì)NAND FLASH的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如tREA（讀信號(hào)低電平到數(shù)據(jù)輸出時(shí)間）和tBERS（塊擦除時(shí)間）等，使用測(cè)試系統(tǒng)為器件施加適當(dāng)?shù)目刂萍?lì)，完成NAND FLASH的時(shí)序配合，從而達(dá)到器件性能的測(cè)試要求。
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淺析Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)
Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)
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為什么3D NAND的平均生命周期很短？
隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限，3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
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NAND閃存深入解析
對(duì)于許多消費(fèi)類(lèi)音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案，這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的
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大容量NAND FALSH的原理及應(yīng)用
摘要:VDNF2T16VP193EE4V25是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一款大容量(2Tb)NAND FLASH，文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并針對(duì)基于FPGA的應(yīng)用進(jìn)行了說(shuō)明。
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大容量NAND FALSH的原理及應(yīng)用
VDNF2T16VP193EE4V25是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一款大容量（2Tb）NAND FLASH，文中介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，并針對(duì)基于FPGA的應(yīng)用進(jìn)行了說(shuō)明。
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捍衛(wèi)霸主地位 NAND芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻
三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱(chēng)，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求?！笨墒?，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎?
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捍衛(wèi)霸主地位 NAND芯片市場(chǎng)風(fēng)云變幻
三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱(chēng)，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎?
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存儲(chǔ)器價(jià)格持續(xù)上漲，背后意味著什么？
根據(jù)市場(chǎng)分析師表示，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND的價(jià)格正居高不下，而且預(yù)計(jì)還會(huì)更進(jìn)一步攀升。許多人認(rèn)為目前的存儲(chǔ)器市場(chǎng)情況只是暫時(shí)的供需不均衡?；蛘撸麄冾A(yù)期當(dāng)3D NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)的制造趨于成熟后，就能解決目前的市場(chǎng)情況。然而，以DRAM的市況而言，沒(méi)人能知道DRAM供應(yīng)何時(shí)會(huì)改善。
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東芝這個(gè)業(yè)務(wù)到底能不能賣(mài)出去了？
東芝未能在自行設(shè)定的周四截止日期之前達(dá)成出售芯片業(yè)務(wù)的交易。這令人懷疑該公司能否及時(shí)堵上財(cái)務(wù)窟窿以避免退市，并維持芯片業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。芯片業(yè)務(wù)是東芝的重要資產(chǎn)。
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三星為確保晶圓貨源，開(kāi)啟搶晶圓大戰(zhàn)
2017年三星電子(Samsung Electronics)同步啟動(dòng)DRAM、3D NAND及晶圓代工擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)資本支出上看150億~220億美元，遠(yuǎn)超過(guò)臺(tái)積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開(kāi)出，近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長(zhǎng)約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準(zhǔn)備。
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NAND供不應(yīng)求，三星擴(kuò)產(chǎn)
不久前，三星電子宣布，未來(lái)將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過(guò)，三星稱(chēng)，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場(chǎng)的需求?！笨墒牵堑耐顿Y真的只為滿足NAND芯片市場(chǎng)需求嗎?
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半導(dǎo)體供不應(yīng)求，日本半導(dǎo)體市場(chǎng)走勢(shì)向好
日本半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，從2016年夏季日?qǐng)A對(duì)美元匯率下跌以來(lái)，便持續(xù)成長(zhǎng)，現(xiàn)在除短期的存儲(chǔ)器與面板設(shè)備需求暢旺外，中長(zhǎng)期還有5G與物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關(guān)設(shè)備需求，市場(chǎng)開(kāi)始認(rèn)為這波不是傳統(tǒng)的2年景氣周期，而是更長(zhǎng)期設(shè)備市場(chǎng)榮景的開(kāi)始。
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再投70億美元!三星欲擴(kuò)大在華閃存芯片產(chǎn)能
近日消息，三星電子稱(chēng)預(yù)計(jì)未來(lái)三年將投資70億美元，擴(kuò)大其在中國(guó)西安工廠的NAND閃存芯片(晶片)生產(chǎn)。據(jù)路透社報(bào)道，該公司在一份監(jiān)管文件中稱(chēng)，28日已批準(zhǔn)70億美元預(yù)期投資中的23億美元支出。報(bào)道稱(chēng)，三星電子7月初曾
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eMMC/UFS/SSD全部小漲
研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技內(nèi)存儲(chǔ)存研究DRAMeXchange指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3～10%的季增水平。
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3D NAND亟待解決的技術(shù)問(wèn)題，你知道答案嗎？
3D NAND閃存是一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限，給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來(lái)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù)，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類(lèi)NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類(lèi)移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。
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內(nèi)存供不應(yīng)求，三星/SK變成“熱鍋上的螞蟻”
三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)礙于南韓新頒布的學(xué)生不得加班法令，滿手訂單卻陷入缺工困境，正急著大舉招募新人幫手。
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三星或于明年推出一款超大容量的3D NAND芯片
3D NAND閃存是一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。
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1 Tb的3D NAND芯片，這樣的三星，你愛(ài)嗎？
據(jù)外媒消息，三星電子 NAND Flash 技術(shù)再升級(jí)，9 日宣布研發(fā)出容量達(dá) 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片，預(yù)計(jì)明年問(wèn)世。三星宣稱(chēng)，這一技術(shù)是過(guò)去 10 年來(lái)存儲(chǔ)器的最大進(jìn)展之一，本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運(yùn)用于SSD(固態(tài)硬盤(pán))上，計(jì)劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。
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