STM32使用FSMC控制NAND flash 例程

近幾天開發(fā)項目需要用到STM32驅(qū)動NAND FLASH，但由于開發(fā)板例程以及固件庫是用于小頁（512B），我要用到的FLASH為1G bit的大頁（2K），多走了兩天彎路。以下筆記將說明如何將默認固件庫修改為大頁模式以驅(qū)動大容量NA

NAND閃存架構(gòu)還要再跌11-13%，希捷、西數(shù)股價遭殃

與內(nèi)存相比，NAND閃存價格在今年初就開始由漲轉(zhuǎn)跌，上半年跌幅至少50%。對于未來的NAND價格走勢，市場及分析師普遍認為還會繼續(xù)再跌11-13%。NAND閃存價格下跌，但是今天股價遭殃的反而是希捷、西數(shù)，其中希捷股價暴跌7%，Evercore分析師大幅下調(diào)了希捷的目標股價。

stm32學習之NOR flash和NAND flash區(qū)別,RAM 和ROM區(qū)別

ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是ReadOnlyMemory的縮寫，RAM是RandomAccessMemory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。RAM有兩大

廠商產(chǎn)能陸續(xù)開出，內(nèi)存將繼續(xù)降價？

自2018年第二季起，內(nèi)存價格由于各新廠產(chǎn)能陸續(xù)開出價格開始松動，由其是在中國大陸，無論是DRAM或是NAND Flash產(chǎn)能都在持續(xù)開出;盡管目前尚未進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段，但預期2018下半年內(nèi)存價格仍有下跌空間， 在未來兩年內(nèi)存也不容易再出現(xiàn)價格飆漲的狀況。

到底是什么問題？七彩虹稱使用Intel的NAND，而Intel 3D NAND從不給第三方制造商

近日，日本一個網(wǎng)友買了七彩虹產(chǎn)品，七彩虹稱他們的產(chǎn)品使用了intel的NAND，據(jù)了解，Intel NAND從來不會銷售給制造商，這就引起了日本網(wǎng)友對七彩虹產(chǎn)品的質(zhì)疑，事實究竟是怎么樣的呢?

2018年DRAM芯片產(chǎn)值將突破1000億美元！三星成最大贏家

內(nèi)存芯片產(chǎn)值高，受益最高的就是韓國企業(yè)了，尤其是三星電子，三星在DRAM內(nèi)存占據(jù)全球市場份額的45%，NAND閃存占37%。

SK海力士4D NAND Flash首發(fā)，Q4送樣

倒數(shù)第二個出場的SK海力士(SK Hynix)帶來的黑科技4D NAND無疑更搶眼球，因為它們已經(jīng)可以在Q4送樣了。雖然之前三星、東芝/西部數(shù)據(jù)、美光/英特爾等已經(jīng)宣布過96層/QLC新一代技術(shù)，但發(fā)布產(chǎn)品SK海力士是第一家。

長江存儲正式公布3D NAND新架構(gòu)Xtacking

Xtacking可在一片晶圓上獨立加工負責數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路，而存儲單元則在另一片晶圓上被獨立加工，也就是說長江存儲打算在用不同的工藝在兩塊晶圓上生產(chǎn)NAND的陣列電路與NAND的邏輯電路，這樣的加工方式有利于選擇合適的先進邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能。

武漢光谷自主32層3D NAND即將量產(chǎn)

在光谷國家存儲器基地，首批芯片生產(chǎn)機臺也進入到了調(diào)試階段。中國擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維閃存芯片，有望在光谷實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

mini2440硬件篇之Nand Flash

1.硬件原理NandFlash在對大容量的數(shù)據(jù)存儲中發(fā)揮著重要的作用。相對于NorFlash，它具有一些優(yōu)勢，但它的一個劣勢是很容易產(chǎn)生壞塊，因此在使用NandFlash時，往往要利用校驗算法發(fā)現(xiàn)壞塊并標注出來，以便以后不再使用

NAND閃存價格還要連跌10%！大容量SSD將加速普及！

3D NAND閃存產(chǎn)能持續(xù)增加，預計Q3、Q4兩個季度中NAND價格都會下跌10%，不用過這也加速了大容量SSD硬盤的普及，未來2-3內(nèi)512GB將成為主流之選。

ARM筆記: NAND Flash程序

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號稱I/O速度堪比DDR4，長江存儲將展示新型3D NAND結(jié)構(gòu)Xtacking

根據(jù)長江存儲發(fā)布的公告，他們研發(fā)的Xtacking結(jié)構(gòu)3D NAND閃存，將具有前所未有的I/O速度，從而能夠?qū)FS、SSD硬盤及企業(yè)級SSD等產(chǎn)品的性能提升到前所未有的程度。

美光科技和英特爾宣布 3D Xpoint 聯(lián)合開發(fā)計劃的最新動態(tài)

美光科技和英特爾今日發(fā)布關(guān)于兩家公司 3D Xpoint™ 聯(lián)合開發(fā)合作關(guān)系的最新動態(tài)。雙方聯(lián)合開發(fā)了一種全新的非易失性內(nèi)存，與 NAND 存儲相比，其延遲大幅降低，耐久性顯著提高。

2020年采用QLC NAND的SDD將成主流

據(jù)報道，IHS Markit針對HDD和SSD市場的前景作出了詳細的分析，由2017年開始HDD的市場占有率呈遞增長，而SSD市場占有率的顯示為 50%的增長，隨著SSD單價下降，預期由HDD到SSD的過渡進展將非常順利。

西數(shù)再關(guān)閉馬來西亞硬盤工廠 HDD真的風光不再了嗎？

根據(jù)國外科技網(wǎng)站《The Register》的報導，在斥資 190 億美元收購 SanDisk 之后，西數(shù)電子 (Western Digital Corporation) 已經(jīng)全力執(zhí)行 NAND Flash 的業(yè)務，HDD 機械式硬盤市場在市場需求快速衰退的情況下，包括西數(shù)與希捷 (Seagate) 兩家大廠都已經(jīng)無法挽回頹勢之際，西數(shù)電子開始決心進行改變。

基于ARM9內(nèi)核Processor外部NAND FLASH的控制實現(xiàn)

ONFI發(fā)布新的NAND規(guī)范創(chuàng)造新的速度紀錄

3D NAND這么火，比2D NAND到底優(yōu)秀在哪？

如果用一個詞來描述2016年的固態(tài)硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關(guān)鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發(fā)生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產(chǎn)引發(fā)固態(tài)漲價，閃存顆粒的制程問題引發(fā)的廠商競爭，以及“日經(jīng)貼”般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。

淺談嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應用