-
DDR4、NAND Flash存儲器芯片發(fā)展趨勢
轉自臺灣digitimes的消息，DDR4以前瞻性的高傳輸速率、低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導入英特爾工作站/伺服器以及高端桌上型電腦平臺，并與LP-DDR3存儲器將同時存在一段時間;至于NAND Flash快閃存儲器也跨
-
SSD前景因延遲和錯誤率蒙上陰影
加州大學和微軟的研究發(fā)現，隨著芯片尺寸縮小，NAND Flash記憶體會出現顯著的性能退化。當電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm，SSD的延遲會增加一倍。加州大學的研究生Laura
-
蘋果3.9億美元收購閃盤組建供應商Anobit
1月12日消息 據彭博社報道，有消息人士表示，蘋果以3.9億美元的價格完成收購以色列閃存盤部件制造商Anobit。據稱，該收購價格較此前Anobit方面的報價要低。收購傳聞最早于
-
感謝蘋果iphon6！NAND芯片進入最強使用潮
在移動互聯(lián)網時代，業(yè)界皆以蘋果為首。在iphone6沒出之前就流傳著“iphone6不出，業(yè)界無以為手機”。蘋果的影響力由此可見一斑?，F在蘋果iphone6終于來了，在其引領手機發(fā)展的同時，無意中也大大影響了NAN
-
蘋果掀NAND芯片最大使用潮
蘋果發(fā)布iPhone 6 與iPhone 6 Plus兩款新機，因應4G時代對超大影音檔案儲存需求，最高儲存容量增至128GB，主打64GB機種，比原本大增三倍，是歷來儲存容量最高的iPhone。蘋果以儲存型快閃存儲器(NAND Flash)為儲存空間
-
中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程
21ic訊 中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產 NAND 產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自
-
武漢新芯“3D NAND”項目獲業(yè)內權威專家一致認可
21ic訊 武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數據型閃存(3D NAND Flash)技術開發(fā)及產業(yè)化”項目可行性專家評審會，業(yè)內專家對該項目的技術
-
三星展示新款外接式SSD 采TLC VNand顆粒
雖然用SSD當做隨身儲存裝置并非創(chuàng)新，不過三星在此次IFA 2014期間首度推出以隨身儲存為訴求的外接式SSD「T1」，并且以micro USB 3.0作為連接接口。三星針對隨身儲存訴求推出外接式SSD「T1」，并且采用輕巧、迷你機身
-
NAND Flash存儲器管理算法的設計及實現
O 引言Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數據。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設
-
應用材料公司推出CMP和CVD新產品
OFweek顯示網訊 2014年7月7日，加利福尼亞州圣克拉拉——應用材料公司今日宣布推出兩款幫助客戶解決在制造高性能、低功耗3D器件關鍵性挑戰(zhàn)的全新半導體制造系統(tǒng)，展示了其在高尖端半導體材料工程上的專業(yè)領
-
Intel-鎂光公布25nm NAND細節(jié) 采用Airgap技術
在本月6日至8日舉辦的IEDM2010舊金山大會上，Intel與鎂光兩家公司合作展示了其25nm NAND制程的細節(jié)，有趣的是，這種制程竟然會是首款將曾被IBM熱捧的AirGap(空氣隙型介電層
-
NAND Flash進入10納米時代
不同于系統(tǒng)半導體、NAND Flash已展開10納米時代，DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術，有利DRAM的先進制程轉換，但電容器制程問題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產
-
三星蟬聯(lián)SSD市場老大 營收超過第二、第三總和
相比處理器、主板和顯卡市場的不慍不火，SSD固態(tài)硬盤這幾年倒是很猛，而且在NAND供應短缺的影響下，下半年的SSD價格據說還要漲。根據蓋特納的統(tǒng)計，在2013年的全球SSD固態(tài)硬盤市場上，三星毫無意外地繼續(xù)蟬聯(lián)第一名，
-
NAND Flash進入10納米時代
不同于系統(tǒng)半導體、NAND Flash已展開10納米時代，DRAM無法輕易突破10納米的高墻。雖然四重曝光(Quadruple patterning;QPT)技術，有利DRAM的先進制程轉換，但電容器制程問題是一大難題，由于采用新材料將直接影響生產
-
系統(tǒng)OEM備貨需求穩(wěn)健 6月下旬NAND Flash合約價續(xù)揚2-5%
市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，NAND Flash供貨商為了追求利潤極大化，開始重新配置產能，透過縮減通路供給量來滿足系統(tǒng)OEM客戶訂單需求，帶動6月下旬NAND Flash顆粒合約價上漲
-
NAND Flash顆粒漲聲待續(xù)
全球市場研究機構TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，NAND Flash供應商為了追求利潤極大化，開始重新配置產能，透過縮減通路供給量來滿足系統(tǒng)EM客戶訂單需求，帶動6月下旬NAND Flash顆粒合約價
-
分析師預言英特爾、美光將在NAND市場分道揚鑣
英特爾(Intel)與美光(Micron)將在 NAND 快閃存儲器業(yè)務上分道揚鑣嗎?一位市場分析師斷言，美光將撇下英特爾自己走自己的NAND之路。但英特爾拒絕對此發(fā)表評論，表示該分析師
-
旺宏發(fā)展3D NAND 掌握專利蓄勢待發(fā)
轉自臺灣digitimes的消息，臺系記憶體廠旺宏積極累積快閃記憶體專利，獨立研發(fā)3D NAND技術，目前公司80~90%研發(fā)費用都投注在3D NAND技術上，長期發(fā)展是要與國際大廠一較高下?？扉W記憶體市場下一階段進入3D NAND
-
6月上旬NAND Flash合約價上漲2-4%
全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，近期各家智慧型手機大廠備貨力道明顯升溫，加上NANDFlash廠商加速轉進新制程導致供貨縮減，6月上旬NANDFlash合約價上
-
六月上旬NAND Flash合約價上漲2-4% 第三季可望續(xù)上漲
市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，近期各家智能型手機大廠備貨力道明顯升溫，加上NAND Flash廠商加速轉進新制程導致供貨縮減，6月上旬NAND Flash合約價上漲2-4%。展望第三季，
