在本月6日至8日舉辦的IEDM2010舊金山大會上，Intel與鎂光兩家公司合作展示了其25nm NAND制程的細(xì)節(jié)，有趣的是，這種制程竟然會是首款將曾被IBM熱捧的AirGap(空氣隙型介電層)技術(shù)商用化的產(chǎn)品。

當(dāng)初IBM用來解釋Airgap的說明圖

必須首先說明的是，Intel和鎂光此前成立了一家NAND合資公司IM Flash，公司此前已經(jīng)宣布正式將25nmNAND閃存芯片推出上市，不過此前雙方都還沒有透露這款芯片中使用了AirGap技術(shù)制作互聯(lián)層的介電層。

Chipworks網(wǎng)站的分析師Dick James稱：“這是首款商用化的應(yīng)用了AirGap技術(shù)的產(chǎn)品。”包括IBM公司在內(nèi)，許多公司都曾經(jīng)熱捧過這項技術(shù)，但該技術(shù)在他們的實際產(chǎn)品中均未開花結(jié)果。

在一份在IDEM上發(fā)布的文件中，Intel和鎂光介紹了其64Gb密度的MLC NAND芯片產(chǎn)品，這款產(chǎn)品在芯片字線上的晶體管柵極半節(jié)距長度為24.5nm，位線方向上則為28.5nm，晶體管單元的面積為0.0028平方微米。文件中還稱：“晶體管采用液浸式193nm光刻技術(shù)，配合了高級柵節(jié)距縮減技術(shù)，很好地控制了圖形邊緣的線性粗糙度和不同光刻對象關(guān)鍵尺寸的變化率。”

文件中還介紹稱：“在25nm尺度，5%的關(guān)鍵長度變化率相當(dāng)于3個晶格位置的長度.由于inhibit操作期間需要隔離6V左右的電壓，因此晶體管功能區(qū)的淺槽隔離結(jié)構(gòu)在深度方向上的尺寸很難明顯縮減，這樣產(chǎn)品的淺槽隔離結(jié)構(gòu)的深寬比將高達(dá)7：1。而任何結(jié)構(gòu)尺寸上的不一致，都會導(dǎo)致晶體管功能區(qū)的彎曲，舉例而言，如果關(guān)鍵尺寸變化了3nm，那么溝道的錯位距離可會高達(dá)10nm。因此，控制晶體管結(jié)構(gòu)尺寸的穩(wěn)定性，對保證NAND陣列的良好性能非常重要。過度縮減字線距離，會導(dǎo)致字線間電容的增加和晶體管界面電容的增加。”

文件最后部分寫道：“要解決這個問題，我們引入了空氣隙技術(shù)，這種結(jié)構(gòu)將在字線之間生成;同時位線間我們也使用了這種技術(shù)。”

說明：Airgap技術(shù)即在介電層嵌入空氣隙的技術(shù)，其本質(zhì)與Low-K電介質(zhì)的性質(zhì)相同，均是試圖減小導(dǎo)線間電容，提高電路運(yùn)行速度的技術(shù)。