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TrendForce：供貨緊縮與備貨需求，八月上旬NAND Flash合約價持續(xù)走穩(wěn)
【導讀】根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下研究部門DRAMeXhange調(diào)查，八月份上旬NAND Flash合約價持續(xù)走穩(wěn)，均價呈現(xiàn)部分持平與小漲的格局。買賣雙方對后續(xù)價格走勢意見分歧，記憶卡與隨身碟業(yè)者也呈現(xiàn)保守的態(tài)度，
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上旬市場交投平淡 NANDFlash合約價暫穩(wěn)
【導讀】由于市場擔心旺季不旺導致NAND Flash市場交易清淡，但是智能型手機、平板計算機等新產(chǎn)品備貨需求，仍驅(qū)動9月上旬NAND Flash合約價均價持平甚至小漲格局。預(yù)期NAND Flash合約價在近期仍將持平，第四季價格走勢
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日本第二大半導體廠商瑞薩電子仍在虧損
【導讀】日本第二大半導體廠商瑞薩電子(Renesas Electronics)因微控制器(Micro Controller Unit;MCU)、模擬/功率組件(Analog&Power;A&P)與系統(tǒng)單芯片(System on Chip;SoC)三大產(chǎn)品線第4季營收均較第3季下滑，致其半導
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淡季效應(yīng)影響 第一季NAND Flash品牌供貨商營收季減6.6%
受到第一季淡季效應(yīng)的沖擊，智能型手機、平板計算機與筆記本電腦出貨呈現(xiàn)衰退，影響到相關(guān)NAND Flash產(chǎn)品出貨量，全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，整體而言2014年第一
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東芝 控告四臺廠侵權(quán)
日本東芝公司3日宣布，已在臺灣法院控告力晶科技、智旺科技、力積電子與瑄譽科技（C.T.C），指控四家臺灣公司侵害東芝NAND快閃存儲器專利。力晶表示，目前已收到相關(guān)文件，快閃存儲器相關(guān)業(yè)務(wù)占力晶業(yè)務(wù)比重低，對公
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東芝控告力積等4家臺廠侵權(quán) 初步求償1億臺幣
全球第2大NAND型快閃記憶體(NAND Flash)廠商東芝(Toshiba)3日發(fā)布新聞稿宣布，已向臺灣智慧財產(chǎn)法院控告力積(Zentel Electronics；3553)、力晶(Powerchip Technology)、Powerflash Technology及C.T.C. Co., Ltd., 等
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比拼MBPR Surface Pro3屏幕性能測試
在上周的5月21號微軟發(fā)布了最新一代的Surface Pro 3平板電腦，不同于以往Surface產(chǎn)品的定位，這次微軟將Surface Pro 3定義為代替筆記本的全能產(chǎn)品。我們在之前也曾經(jīng)撰寫了相關(guān)的文章，從發(fā)布會、產(chǎn)品的角度來描繪了
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淡季效應(yīng)影響，第一季NAND Flash品牌供貨商營收季減6.6%
May 30, 2014---受到第一季淡季效應(yīng)的沖擊，智能型手機、平板計算機與筆記本電腦出貨呈現(xiàn)衰退，影響到相關(guān)NAND Flash產(chǎn)品出貨量，全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，整體
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三星使用V-NAND技術(shù)加大固態(tài)硬盤存儲能力
5月30日消息，據(jù)國外媒體報道，三星使用最新存儲技術(shù)加大了新的1TB固態(tài)硬盤的存儲能力。該固態(tài)硬盤主要面向高端個人電腦，采用三星第二代V-NAND技術(shù)。這項技術(shù)使得儲存芯片可以垂直疊放。三星同時發(fā)布了128GB, 256GB
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旺宏推新品 攻物聯(lián)網(wǎng)
旺宏（2337）昨（29）日宣布，旗下12寸廠開始生產(chǎn)第二代36納米SLC儲存型快閃存儲器（NAND Flash）產(chǎn)品，挹注營運。旺宏先前在法說會上表示，因36納米產(chǎn)能恐怕供不應(yīng)求，所以今年將增加相關(guān)資本支出。旺宏指出，上述第
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閃迪推出入門級解決方案iNAND Standard
閃存存儲解決方案供應(yīng)商閃迪公司面向中國及其他高速增長市場的入門級平板電腦和智能手機發(fā)布一款理想的存儲解決方案——iNAND Standard嵌入式閃存驅(qū)動器(EFD)。利用最新1Y納米X3 NAND閃存解決方案，原始設(shè)備制造商(O
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SanDisk針對入門裝置推出iNAND新產(chǎn)品
轉(zhuǎn)自臺灣經(jīng)濟日報的消息，SanDisk 加入 TLC 陣營，推出 8GB 以及 16GB 智能手機用的快閃記憶體。中國的智能手機市場擁有相當大的市場，近期在低價智能手機方面，有著相當多的需求，這次 SanDisk 發(fā)表的 iNAND 標準快
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3D NAND Flash成趨勢 各大廠商“摩拳擦掌”
近日，東芝(Toshiba)宣布改建日本四日市廠區(qū)的第二廠房，與新帝于同地點攜手興建3D NAND Flash的全新廠房。兩廠期待投入資金興建全新廠房，能為后續(xù)帶來更大效益，在價格競爭中取得優(yōu)勢。東芝表示，興建新晶圓廠將有
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SSD領(lǐng)域重大突破：老設(shè)備也能性能提升300% 功耗減少60%
縱觀固態(tài)硬盤技術(shù)的每次突破都必然伴隨著傳輸性能的大幅提升和存儲類型的重大調(diào)整。目前在設(shè)備上的NAND芯片上數(shù)據(jù)并不能被重新覆蓋，文件只能寫入到設(shè) 備的空白區(qū)域中然后將老的區(qū)域進行格式化。這最終導致數(shù)據(jù)相當分
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2014年eMMC將占NAND移動市場出貨量的40%
據(jù)iSuppli公司，2010年用于手機的嵌入式多媒體卡(eMMC) NAND閃存將出現(xiàn)爆炸性增長，預(yù)計出貨量增長224%。2007年eMMC面世的時候增長緩慢，但三年后的2010年，其出貨量將增長
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手機內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風光不再
市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一，
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三星看好PCM內(nèi)存潛力 有望取代NAND和NOR閃存
三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式.多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗階段.PCM內(nèi)存當中包含
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手機內(nèi)建NAND Flash風潮
手機搭載記憶體分為2種形式，第1是外接快閃記憶卡，第2是內(nèi)建NAND Flash記憶體。隨著消費者對于利用手機下載多媒體影音、照片、游戲等需求日益提升，對于記憶體容量的需求
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存儲器望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情
DRAM價格趨于穩(wěn)定，1Gb容量提前在9月初站上1.7美元，臺廠面對這樣美好的光景，心中還是有些疑慮，擔心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗，破壞DRAM價格漲勢，然現(xiàn)在
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政策助推LED燈大熱，波蘭、新西蘭、菲律賓成“掘金地”
從香港貿(mào)易發(fā)展局早前舉辦的香港國際春季燈飾展上了解到，受惠于歐洲經(jīng)濟回穩(wěn)，各國鼓吹綠色經(jīng)濟，綠色照明LED燈大熱 。 波蘭中產(chǎn)急增，需求多元化照明產(chǎn)品 來自波蘭的Daste Phu董事總經(jīng)理Dariusz
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